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2、1,简述,1,CMOS器件和CCD器件的工作原理上有什么相同点和不同点,答,CMOS图像传感器的光电转换原理与CCD基本相同,其光敏单元受到光照后产生光生电子,而信号的读出方法却与CCD不同,每个CMOS源像素传感单元都有自己的缓冲放大器。
3、,第7章 致冷型红外成像器件,红外辐射的发现: 红外辐射是1800年由英国天文学家威廉赫谢尔Herschel爵士发现的,他在重复牛顿著名的棱镜实验时,探测到紧邻可见光谱低频端的区域中存在的热量。1900年,普朗克推导出了普朗克辐射定律,并定。
4、半主动激光制导,光电探测器,单元器件,点源,探测,跟踪制导等,光电成像器件,阵列器件,面源,探测,目标识别等,成像制导攻击目标,光电成像器件,微光夜瞄镜,微光夜视眼镜,热像仪,早在1934年就成功地研制出光电摄像管,Iconoscope,用。
5、光电技术与光纤基础总复习,二,韩鹏,内容,第一章,光电检测应用中的基础知识第二章,光电检测中的常用光源第三章,结型光电器件第四章,光电导器件第五章,真空光电器件第六章,真空成像器件第七章,固体成像器件第八章,红外辐射与红外探测器第九章,光导。
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9、第五章直视型电真空成像物理,5,1像管成像的物理过程5,2像管结构类型与性能参数5,3辐射图像的光电转换5,4电子图像的成像理论5,5电子图像的发光显示5,6光学图像的传像与电子图像的倍增,5,1像管成像的物理过程,像管通过三个环节完成图像。
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11、第6章真空成像器件,了解,光电子成像技术的重要性,理解,像管的三个基本部分组成,成像的三个物理过程,每个过程的理论依据,理解,级联式像增强器,微通道板像增强器,第三代像增强器和第四代像增强器,理解,摄像管的作用,区别及分类,理解,慢电子束扫。
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14、项目名称:表面等离子体超分辨成像光刻基础研究首席科学家:罗先刚 中国科学院光电技术研究所起止年限:2011.1至2015.8依托部门:中国科学院二预期目标3.1本项目总体目标本项目以国家在国民经济和国防高科技领域对信息科学技术中新一代微纳信。
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16、第五章直视性电真空成像器件成像物理,象管成像的物理过程象管结构类型与性能指标辐射图像的光电转换电子图像的成像理论电子图像的发光显示光学图像的传像与电子图像的倍增,5,1象管成像的物理过程,步骤,1,将接收的微弱或不可见的输入辐射图像转换成电。
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