直拉硅单晶

1、第二章单晶材料的制备,第一节单晶材料的发展与概述第二节固相固相平衡的晶体生长第三节从熔体中生长晶体,熔体法,第四节常温溶液法第五节高温溶液法第六节其它晶体生长方法,第一节单晶材料的发展与概述,单晶不仅是人们认识固体的基础,而且,对单晶的研究。

2、王峰鲁东大学化学与材料科学学院,材料合成与制备,第一章单晶材料的制备第二章非晶态材料的制备第三章薄膜的制备第四章功能陶瓷的合成与制备第五章结构陶瓷的制备,目录,单晶,singlecrystal,即结晶体内部的微粒在三维空间呈有规律地,周期性。

3、1,第六章 塑性变形,2,第六章 塑性变形,Smith W F. Foundations of Materials Science and Engineering. McGRAW.HILL.3E,利用材料的塑性，我们可以对材料进行压力加工如。

4、单晶硅设备工艺流程,目录,1. 硅料的提炼2.单晶硅片工艺流程3. 单晶炉展示4. 产品展示5. 单晶炉种类6. 单晶炉结构7. 各个部件的作用8. 单晶工艺流程9. 晶升， 埚升介绍10.加热部分,硅的提炼：,硅，Si,地球上含硅的东西多。

5、单晶硅的制备,单晶硅的主要用途,单晶硅的性质,单晶硅的生长原理,单晶硅的制法,直拉法直拉法技术改进,单晶硅的制备,主要内容,单晶硅的主要用途,单晶硅的制备,单晶硅的性质,单晶硅的主要用途,单晶硅的制备,单晶硅的生长原理,单晶硅的性质,单晶硅。

6、第4章硅,锗晶体中的杂质和缺陷,半导体材料中的杂质和缺陷对其性质具有重要的影响,半导体硅,锗器件的制做不仅要求硅,锗材料是具有一定晶向的单晶,而且还要求单晶具有一定的电学参数和晶体的完整性,单晶的电学参数通常是采用掺杂的方法,即在单晶生长过。

7、半导体材料,徐桂英材料学院无机非金属材料系,第5章,半导体材料的制备,第5章,半导体材料的制备,为了满足第四章所提出的要求,以保证半导体器件的需要,发展了一系列的半导体材料制备工艺,其中大部分已在工业规模范围内得到实现,这些工艺大体可分为提。

8、第4章 硅锗晶体中的杂质和缺陷,半导体材料中的杂质和缺陷对其性质具有重要的影响。半导体硅锗器件的制做不仅要求硅锗材料是具有一定晶向的单晶，而且还要求单晶具有一定的电学参数和晶体的完整性。 单晶的电学参数通常是采用掺杂的方法，即在单晶生长过程。

9、第4章硅,锗晶体中的杂质和缺陷,单晶的电学参数通常是采用掺杂的方法,即在单晶生长过程中加入一定量的杂质,并控制它们在晶体中的分布来解决,本章结合硅,锗单晶生长的实际,介绍掺杂技术,然后介绍硅,锗单晶中缺陷的问题,理想半导体,1,原子严格周期。

10、关于单晶电阻率判定的建议关于直拉硅单晶电阻率判定标准的建议一,氧施主的理论分析氧是硅中的最主要杂质之一,在硅熔点处,最大溶解度为2,7510cm,18,3氧直拉硅单晶的氧主要来源于石英埚,氧杂质在低温热处理时,会产生施主效应,使得P型硅晶体。

11、第二章 元素半导体材料,本章介绍以锗硅为代表的元素半导体材料。因目前国内外，各种类型的半导体器件，如晶体管集成电路，大规模集成电路等多采用硅单晶制成。所以这里重点讨论硅单晶材料。至于化合物半导体材料将在后面讲述。,单晶硅棒材料见硅材料图1图。

12、第一章,电子工程系陈曦,硅材料及衬底制备,刘玉岭等编,微电子化学技术基础,化学工业出版社,2005李乃平主编,微电子器件工艺,华中理工大学出版社,1995关旭东编著,硅集成电路工艺基础,北京大学出版社,2008张厥宗编著,硅单晶抛光片的加工。

13、第二节硅片制备中的热工设备,单晶炉和多晶硅铸锭炉,一,单晶炉,目前在所有安装的太阳电池中,超过90,以上的是晶体硅太阳电池,因此位于产业链前端的硅锭片的生产对整个太阳电池产业有着很重要的作用,太阳电池硅锭主要有单晶硅锭和多晶硅锭,这两种硅锭。

14、1,直拉单晶硅工艺技术,主讲教师,裴迪石油化工学院,第二章直拉单晶炉,直拉单晶炉是用于直拉法单晶生长的设备,炉子分两部分组成,机械部分和电控系统,炉体为一带水套的不锈钢炉室,其内装有由石墨加热器和石墨保温套构成的热场,籽晶轴和坩埚轴分别从炉。

15、第4章 硅锗晶体中的杂质和缺陷,半导体材料中的杂质和缺陷对其性质具有重要的影响。半导体硅锗器件的制做不仅要求硅锗材料是具有一定晶向的单晶，而且还要求单晶具有一定的电学参数和晶体的完整性。 单晶的电学参数通常是采用掺杂的方法，即在单晶生长过程。

16、硅片公司工艺流程,直回料包括,头尾直回,边皮直回,棒料,埚底料,IC料等,1,边皮直回料,4,棒料,5,头尾直回料,2,边皮直回料,原料的种类,3,埚底料,6,IC料,物理法多晶,硅原料的检测,1,检测原料的型号两种型号,N与PN型,磷是主。

17、直拉生长工艺,直拉法又称Cz法,目前,98,的电子元件都是用硅材料制作的,其中约85,是用直拉硅单晶制作的,直拉硅单晶由于具有较高的氧含量,机械强度比Fz硅单晶大,在制电子器件过程申不容易形变,由于它的生长是把硅熔融在石英坩埚中,而逐渐拉制。

18、直拉生长工艺,直拉法又称Cz法,目前,98,的电子元件都是用硅材料制作的,其中约85,是用直拉硅单晶制作的,直拉硅单晶由于具有较高的氧含量,机械强度比Fz硅单晶大,在制电子器件过程申不容易形变,由于它的生长是把硅熔融在石英坩埚中,而逐渐拉制。

19、第3章硅半导体材料基础,3,1半导体材料概述3,1,1半导体材料发展根据物质的导电性质,将它们分为导体,绝缘体和介于两者之间的半导体三大类,1947年锗晶体管的诞生引起了电子工业的革命,打破了电子管一统天下的局面,从此人类从使用电子管的时代。

20、直拉法晶体硅生长流程与原理,直拉式单晶炉培训,技术工艺部,报告人,丁永生日期,2011,10,21,培训内容,一,直拉法单晶硅生长环境二,直拉式单晶炉基本结构三,直拉法单晶硅生长工艺步骤,一,直拉硅单晶的生长环境,高温环境的形成1,硅的熔点。