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直拉单晶炉

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2、Preface,单晶,singlecrystal,晶体是经过结晶过程而形成的具有规则的几何外形的固体,晶体中原子或分子在空间按一定规律周期性重复的排列,所谓单晶,即结晶体内部的微粒在三维空间呈有规律地,周期性地排列,或者说晶体的整体在三维方。

3、第4章硅,锗晶体中的杂质和缺陷,单晶的电学参数通常是采用掺杂的方法,即在单晶生长过程中加入一定量的杂质,并控制它们在晶体中的分布来解决,本章结合硅,锗单晶生长的实际,介绍掺杂技术,然后介绍硅,锗单晶中缺陷的问题,理想半导体,1,原子严格周期。

4、第二章单晶材料的制备,第一节单晶材料的发展与概述第二节固相固相平衡的晶体生长第三节从熔体中生长晶体,熔体法,第四节常温溶液法第五节高温溶液法第六节其它晶体生长方法,第一节单晶材料的发展与概述,单晶不仅是人们认识固体的基础,而且,对单晶的研究。

5、介质的磁化,磁介质顺磁质和抗磁质的磁化,传导电流产生,与介质有关的电流产生,顺磁质,抗磁质,铁磁质,锰,铬,铂,氮,水银,铜,硫,氢,金,铁,镍,钴,铁氧体,相对磁导率,顺磁质试件向右摆动,顺磁质试件向右摆动,抗磁质磁化后试件的极性,近代科。

6、第4章硅,锗晶体中的杂质和缺陷,半导体材料中的杂质和缺陷对其性质具有重要的影响,半导体硅,锗器件的制做不仅要求硅,锗材料是具有一定晶向的单晶,而且还要求单晶具有一定的电学参数和晶体的完整性,单晶的电学参数通常是采用掺杂的方法,即在单晶生长过。

7、1,普通降温法生长单晶是溶液法制备单晶中最简单的一种,适合实验室制备单晶,最初用于生长二磷酸腺甙,ADP,1947年英国人托德合成,一种人工生物单晶体,磷酸二氢钾,KDP,磷酸二氘钾,DKDP,等的单晶体,KDP和DKDP晶体均具有光电子性。

8、半导体材料,徐桂英材料学院无机非金属材料系,第5章,半导体材料的制备,第5章,半导体材料的制备,为了满足第四章所提出的要求,以保证半导体器件的需要,发展了一系列的半导体材料制备工艺,其中大部分已在工业规模范围内得到实现,这些工艺大体可分为提。

9、1,第二章单晶生长技术,2,由原子,分子或离子等微粒在空间按一定规律,周期性重复排列所构成的长程有序的固体物质,非晶态结构示意图,晶态结构示意图,2,0晶体知识回顾,1,晶体定义,3,2,晶体的特性,1,晶体的均匀性与各向异性,晶体的一些与。

10、第3章硅半导体材料基础,3,1半导体材料概述3,1,1半导体材料发展根据物质的导电性质,将它们分为导体,绝缘体和介于两者之间的半导体三大类,1947年锗晶体管的诞生引起了电子工业的革命,打破了电子管一统天下的局面,从此人类从使用电子管的时代。

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14、,直拉单晶硅工艺技术,主讲教师:裴迪石油化工学院,1,直拉单晶炉的热系统,直拉单晶炉的热系统是指为了熔化硅料,并保持在一定温度下进行单晶生长的整个系统,它包括:加热器保温罩保温盖托碗石墨坩埚电极等部件。它们是由耐高温的高纯石墨和碳毡材料加工。

15、直拉单晶硅工艺技术,主讲教师,裴迪石油化工学院,1,热场,单晶硅是在热场中进行拉制的,热场的优劣对单晶硅质量有很大影响,单晶硅生长过程中,好的热场,能生产出高质量的单晶,不好的热场容易使单晶变成多晶,甚至根本引不出单晶,有的热场虽然能生长单。

16、直拉法晶体硅生长流程与原理,直拉式单晶炉培训,技术工艺部,报告人,丁永生日期,2011,10,21,培训内容,一,直拉法单晶硅生长环境二,直拉式单晶炉基本结构三,直拉法单晶硅生长工艺步骤,一,直拉硅单晶的生长环境,高温环境的形成1,硅的熔点。

17、直拉单晶硅工艺技术,主讲教师,裴迪石油化工学院,1,1,热场的概念热场也称温度场,热系统内的温度分布状态叫热场,煅烧时,热系统内的温度分布相对稳定,称为静态热场,在单晶生长过程中,热场是会发生变化,称为动态热场,单晶生长时,由于不断发生物相。

18、第二节硅片制备中的热工设备,单晶炉和多晶硅铸锭炉,一,单晶炉,目前在所有安装的太阳电池中,超过90,以上的是晶体硅太阳电池,因此位于产业链前端的硅锭片的生产对整个太阳电池产业有着很重要的作用,太阳电池硅锭主要有单晶硅锭和多晶硅锭,这两种硅锭。

19、1,直拉单晶硅工艺技术,主讲教师,裴迪石油化工学院,第二章直拉单晶炉,直拉单晶炉是用于直拉法单晶生长的设备,炉子分两部分组成,机械部分和电控系统,炉体为一带水套的不锈钢炉室,其内装有由石墨加热器和石墨保温套构成的热场,籽晶轴和坩埚轴分别从炉。

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