直拉单晶

1、半导体材料,徐桂英材料学院无机非金属材料系,第5章,半导体材料的制备,第5章,半导体材料的制备,为了满足第四章所提出的要求,以保证半导体器件的需要,发展了一系列的半导体材料制备工艺,其中大部分已在工业规模范围内得到实现,这些工艺大体可分为提。

2、单晶硅的制备,单晶硅的主要用途,单晶硅的性质,单晶硅的生长原理,单晶硅的制法,直拉法直拉法技术改进,单晶硅的制备,主要内容,单晶硅的主要用途,单晶硅的制备,单晶硅的性质,单晶硅的主要用途,单晶硅的制备,单晶硅的生长原理,单晶硅的性质,单晶硅。

3、硅片公司工艺流程,直回料包括,头尾直回,边皮直回,棒料,埚底料,IC料等,1,边皮直回料,4,棒料,5,头尾直回料,2,边皮直回料,原料的种类,3,埚底料,6,IC料,物理法多晶,硅原料的检测,1,检测原料的型号两种型号,N与PN型,磷是主。

4、第4章硅,锗晶体中的杂质和缺陷,半导体材料中的杂质和缺陷对其性质具有重要的影响,半导体硅,锗器件的制做不仅要求硅,锗材料是具有一定晶向的单晶,而且还要求单晶具有一定的电学参数和晶体的完整性,单晶的电学参数通常是采用掺杂的方法,即在单晶生长过。

5、第4章硅,锗晶体中的杂质和缺陷,单晶的电学参数通常是采用掺杂的方法,即在单晶生长过程中加入一定量的杂质,并控制它们在晶体中的分布来解决,本章结合硅,锗单晶生长的实际,介绍掺杂技术,然后介绍硅,锗单晶中缺陷的问题,理想半导体,1,原子严格周期。

6、第4章 硅锗晶体中的杂质和缺陷,半导体材料中的杂质和缺陷对其性质具有重要的影响。半导体硅锗器件的制做不仅要求硅锗材料是具有一定晶向的单晶，而且还要求单晶具有一定的电学参数和晶体的完整性。 单晶的电学参数通常是采用掺杂的方法，即在单晶生长过程。

7、第4章 硅锗晶体中的杂质和缺陷,半导体材料中的杂质和缺陷对其性质具有重要的影响。半导体硅锗器件的制做不仅要求硅锗材料是具有一定晶向的单晶，而且还要求单晶具有一定的电学参数和晶体的完整性。 单晶的电学参数通常是采用掺杂的方法，即在单晶生长过程。

8、中华人民共和国电子行业标准光伏用直拉单晶炉,发布,实施中华人民共和国工业和信息化部发布前言范围规范性引用文件术语和定义产品型号及构成型号标记,主要构成,工作条件要求,夕测,工工安工检验鉴定检出厂检验,判定规则外观要求试验,检验规哪,包装,运。

9、详细的直拉单晶生产工艺一,装炉和化料单晶生长运行的第一步是在石英用烟中装入多晶硅料,多晶硅通常装在双层的洁净塑料袋子中,5KG一袋,也有很多较大规格的袋子,可以在将硅带入装料区域之前取出外层塑料袋,以减少可能被运入用烟的任何污染,石英珀烟可。

10、,直拉单晶硅工艺技术,主讲教师：裴迪石油化工学院,1,直拉单晶炉的热系统,直拉单晶炉的热系统是指为了熔化硅料，并保持在一定温度下进行单晶生长的整个系统，它包括：加热器保温罩保温盖托碗石墨坩埚电极等部件。它们是由耐高温的高纯石墨和碳毡材料加工。

11、直拉单晶硅工艺技术,主讲教师,裴迪石油化工学院,1,热场,单晶硅是在热场中进行拉制的,热场的优劣对单晶硅质量有很大影响,单晶硅生长过程中,好的热场,能生产出高质量的单晶,不好的热场容易使单晶变成多晶,甚至根本引不出单晶,有的热场虽然能生长单。

12、直拉单晶埚跟比长度等参数的计算,主讲人,牛冬梅培训对象,单晶操作工2010,10,17,坐标长度的计算,直拉单晶炉的拉速,温校曲线都是以晶体生长的长度为坐标设定的,投入自动后,它们就以长度为坐标,自动按设定曲线,拉速,温校,转速,进行控制。

13、籽晶晶体定向的检测,检测依据及设备,原理,检测作业指导书,检测数据分析,采样及其样品处理,检测报告书,采样及其样品处理,一,采样,单晶棒,单晶片,取头部,中部,尾部各三片,要具有代表性二,样品处理,试样待测面用或金刚砂研磨或喷砂,对圆片试样。

14、第3章硅半导体材料基础,3,1半导体材料概述3,1,1半导体材料发展根据物质的导电性质,将它们分为导体,绝缘体和介于两者之间的半导体三大类,1947年锗晶体管的诞生引起了电子工业的革命,打破了电子管一统天下的局面,从此人类从使用电子管的时代。

15、第一章,电子工程系陈曦,硅材料及衬底制备,刘玉岭等编,微电子化学技术基础,化学工业出版社,2005李乃平主编,微电子器件工艺,华中理工大学出版社,1995关旭东编著,硅集成电路工艺基础,北京大学出版社,2008张厥宗编著,硅单晶抛光片的加工。

16、直拉法晶体硅生长流程与原理,直拉式单晶炉培训,技术工艺部,报告人,丁永生日期,2011,10,21,培训内容,一,直拉法单晶硅生长环境二,直拉式单晶炉基本结构三,直拉法单晶硅生长工艺步骤,一,直拉硅单晶的生长环境,高温环境的形成1,硅的熔点。

17、直拉单晶硅工艺技术,主讲教师,裴迪石油化工学院,1,1,热场的概念热场也称温度场,热系统内的温度分布状态叫热场,煅烧时,热系统内的温度分布相对稳定,称为静态热场,在单晶生长过程中,热场是会发生变化,称为动态热场,单晶生长时,由于不断发生物相。

18、1,直拉单晶硅工艺技术,主讲教师,裴迪石油化工学院,第二章直拉单晶炉,直拉单晶炉是用于直拉法单晶生长的设备,炉子分两部分组成,机械部分和电控系统,炉体为一带水套的不锈钢炉室,其内装有由石墨加热器和石墨保温套构成的热场,籽晶轴和坩埚轴分别从炉。

19、第二节硅片制备中的热工设备,单晶炉和多晶硅铸锭炉,一,单晶炉,目前在所有安装的太阳电池中,超过90,以上的是晶体硅太阳电池,因此位于产业链前端的硅锭片的生产对整个太阳电池产业有着很重要的作用,太阳电池硅锭主要有单晶硅锭和多晶硅锭,这两种硅锭。