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3、,第7章 致冷型红外成像器件,红外辐射的发现: 红外辐射是1800年由英国天文学家威廉赫谢尔Herschel爵士发现的,他在重复牛顿著名的棱镜实验时,探测到紧邻可见光谱低频端的区域中存在的热量。1900年,普朗克推导出了普朗克辐射定律,并定。
4、第二章 半导体器件,半导体的基本知识半导体二极管晶体三极管场效应管,2.1半导体基础知识,一本征半导体二杂质半导体三PN结的形成及其单向导电性四PN结的电容效应,一本征半导体1半导体的概念和特性,导电性介于导体与绝缘体之间的物质称为半导体。。
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6、第5章工程实例,5.1 微波无源元件 5.2 微波天线设计 5.3 信号完整性设计 5.4 电磁兼容问题研究,5.1微波无源元件,5.1.1滤波器的基本响应滤波器响应的一般形式可以写为,511,其中,为波纹常数,Fn为一个滤波器网络的响应函。
7、第四章光波系统的无源器件,一个完整的光波传输系统,除了光源,光纤,光缆,和光电检测器外,还需许多不用电源的光路器件来完成各种不同的功能,按结构分类,分立元件型,全光纤型和集成波导型,分力元件型,输入光纤的光波经准直透镜扩束,无源光变换器件对。
8、第一章 常用半导体器件,第一章 常用 器件,半导体,金属,惰性气体,硅锗,4,4,4,小,易,大,二者之间,不易,二者之间,半导体,1.1.1 本征半导体,1.1 半导体基础知识,纯净的晶体结构的半导体,无杂质,半导体硅和锗的最外层电子价电。
9、无源器件理论,移动通信技术培训,京信通信系统,中国,有限公司江苏省公司业务发展部,一,无源器件概述二,无源器件电气指标的定义三,腔体器件与微带器件的比较四,无源器件的工艺要求五,室内分布系统应用案例六,室内分布系统功分器的选择,目录,线性互。
10、合作成员,顾银银,胡星,王健健,朱建平,沈来伟,方智奇,有源器件,一,功率放大器二,运算放大器三,低噪声放大器四,混频器五,振荡器,是,主要内容,1,功率放大器的作用功率放大器的作用是放大来自前放大器的信号,产生足够的不失真输出功率,一,功。
11、第五章半导体器件,半导体基本知识半导体二极管半导体三极管场效应晶体管,云南大学软件学院,型半导体和型半导体,共价键,价电子,自由电子,空穴,型半导体,含有较多带负电的自由电子,型半导体,含有较多带正电的空穴,结及其单向导电特性,将型半导体和。
12、光通讯器件FiberOptics,Contents,供应商简介,基础概念和原理,光纤及其结构,基础概念,光纤分类,基础概念,传播模式为多个模式纤芯直径为50m传输模式可达几百个传输带宽主要受模式色散支配,只能通过一个基模纤芯细一般为9um。
13、第一章 半导体基础与半导体器件,1.1 半导体物理基础知识,一半导体的结构特点,二半导体的分类,三PN结,本征半导体,杂质半导体,PN结的形成,PN结的单向导电性,本征激发现象,P型半导体,N型半导体,半导体的结构1,半导体:导电性能介于导。
14、MOS器件物理,MOS管交流小信号模型,MOS管低频小信号模型小信号是指对偏置的影响非常小的信号。由于在很多模拟电路中,MOS管被偏置在饱和区,所以主要推导出在饱和区的小信号模型。在饱和区时MOS管的漏极电流是栅源电压的函数,即为一个压控电。
15、激光陀螺仪的基本工作原理主要特点及其应用情况控制工程与科学BIT,一,激光陀螺仪的结构和工作原理二,激光陀螺仪的特点三,激光陀螺仪需要突破的主要技术原理四,激光陀螺仪的用途五,激光陀螺仪的影响,1,动态范围宽,测量角速度范围可达0,0014。
16、1,第四讲,全控型器件及其他新型 电力电子器件,教师:孔祥新地点:JC202,曲阜师范大学 电气信息与自动化学院,2,回顾整流器件的应用,功率二极管的基本特性:,P,N,A,K,A,K,VD,具有单向导电性,3,功率二极管的类型,整流二极管。
17、二,光纤连接器的重要技术指标插入损耗,回波损耗,重复性,互换性等,对于单模光纤,在传导模场为高斯分布的近似下,连接损耗主要是横向偏离,损耗与偏离量的关系为,估算模场半径4,9m,横向偏离距离1m的连接损耗,横向偏离距离光纤的模场半径大于纤芯。
18、第七章 半导体器件基础,7.1 PN结,PN结的制备方法突变结和缓变结PN结,7.1.1 PN结的制备方法,合金法扩散法生长法离子注入法,合金法,n型 Si,Al块,Al液体,铝硅合金结,P型硅,n型 Si,n型 Si,扩散法,N型硅,氧化。
19、1,接收,发送系统通常由滤波器,低噪声放大器,功率放大器,振荡器,倍频器,混频器以及开关电路,功率合成与分配电路等基本的射频与微波电路模块组成,组成这些模块的更基本单元就是各类有源器件与无源器件,初次进行射频与微波电路设计,感到最难入手的就。