异质结双极型

1、半导体材料,陈易明,第六章IIIV族化合物半导体,一,重要IIIV族化合物半导体介绍二,IIIV族化合物半导体的晶体结构三,IIIV族化合物半导体的能带结构,III一V族化合物半导体是由周期表中IIIA和VA族元素化合而成,几乎在与锗,硅等。

2、半导体材料,陈易明e,mail,第5章硅外延生长,只有体单晶材料不能满足日益发展的各种半导体器件制作的需要,1959年末开发了薄层单晶材料生长技术外延生长,外延生长就是在一定条件下,在经过切,磨,抛等仔细加工的单晶衬底上,生长一层合乎要求的。

3、模拟集成电路分析与设计,何红松,教材及参考书,教材,吴建辉编著,模拟集成电路分析与设计,第二版,电子工业出版社,参考书,引言,模拟电路与模拟集成电路工艺,先进工艺下模拟集成电路的挑战,课程主题与学习目标,模拟电路与模拟集成电路,分立元件音频。

4、模拟集成电路分析与设计,何红松,教材及参考书,教材,吴建辉编著,模拟集成电路分析与设计,第二版,电子工业出版社,参考书,引言,模拟电路与模拟集成电路工艺,先进工艺下模拟集成电路的挑战,课程主题与学习目标,模拟电路与模拟集成电路,分立元件音频。

5、电子科学与技术一级学科介绍,物理科学与技术学院,电子信息学院,方国家教授,加速器,电镜联机装置,离子能量,束流密度,束斑直径,扫描均匀性,优于,电镜分辨率,电子束斑,相机像素,离子束样品夹角,国家自然科学基金重点项目,半导体器件物理,电子器。

6、射频,族化合物半导体技术,成都,内容限定化合物,元素半导体,族,族半导体射频,光,热,敏感,低频实用性成熟,低维结构,量子点,量子线,量子谐振隧穿,锑化物基半导体,内容,化合物半导体特性的吸引力与发展历程微波应用对半导体特性潜力的挖掘器件设。

7、微波二极管,量子效应和热电子器件,现代半导体器件物理与工艺,本章内容,基本微波技术隧道二极管碰撞电离雪崩渡越时间二极管转移电子器件量子效应器件热电子器件,微波频率涵盖约从,到,相当于波长从到,一般电子部件在微波频率与其在较低频率的工作行为是。

8、微波二极管,量子效应和热电子器件,现代半导体器件物理与工艺,本章内容,基本微波技术隧道二极管碰撞电离雪崩渡越时间二极管转移电子器件量子效应器件热电子器件,微波频率涵盖约从,到,相当于波长从到,一般电子部件在微波频率与其在较低频率的工作行为是。

9、微波二极管,量子效应和热电子器件,现代半导体器件物理与工艺,本章内容,基本微波技术隧道二极管碰撞电离雪崩渡越时间二极管转移电子器件量子效应器件热电子器件,微波频率涵盖约从,到,相当于波长从到,一般电子部件在微波频率与其在较低频率的工作行为是。

10、微波二极管,量子效应和热电子器件,现代半导体器件物理与工艺,本章内容,基本微波技术隧道二极管碰撞电离雪崩渡越时间二极管转移电子器件量子效应器件热电子器件,微波频率涵盖约从,到,相当于波长从到,一般电子部件在微波频率与其在较低频率的工作行为是。

11、1,射频通信电路杜正伟,东主楼11区216房间电话,62784107E,mail,2,绪论前期课,微波技术,电子线路内容,微波电路理论,应用技术,半导体知识,通信系统概念,3,本课的相关课程与技术,相关课程,电磁场,基础课电场磁场分布,电波。

12、异质结双极晶体管,半导体器件物理,肖克莱于年提出这种晶体管的概念,年代中期,在解决了砷化镓的外延生长问题之后,这种晶体管才得到较快的发展,最初称为,宽发射区,晶体管,其主要特点是发射区材料的禁带宽度大于基区材料的禁带宽度,异质结是由两种不同。

13、吴志毅,任务2无源器件射频特性,有源晶体管简介,传输线,无源元件射频特性分析,在电子电路中经常提及无源器件与无源元件概念,所谓无源器件就是无需能源的器件,主要作用是用来进行信号传输,比如,电容,电感,电阻,耦合器,功分器,环形器,隔离器,衰。

14、第2章 射频元器件及电路模型,教学重点,能力要求,本章目录,第一节 无源集总元件第二节 射频二极管第三节 双极型晶体管第四节 场效应晶体管第五节 双极型器件和场效应器件的比较,知识结构,射频元器件及电路模型,双极型器件和场效应器件的比较,双。

15、第2章 射频元器件及电路模型,教学重点,能力要求,本章目录,第一节 无源集总元件第二节 射频二极管第三节 双极型晶体管第四节 场效应晶体管第五节 双极型器件和场效应器件的比较,知识结构,射频元器件及电路模型,双极型器件和场效应器件的比较,双。

16、第5章 双极型晶体管及相关器件,5.1 晶体管的工作原理5.2 双极型晶体管的静态特性5.3 双极型晶体管的频率响应与开关特性5.4 异质结双极型晶体管5.5 可控硅器件及相关功率器件,第5章 双极型晶体管及相关器件5.1 晶体管的工作原理。

17、双极型晶体管及相关器件,现代半导体器件物理与工艺,本章内容,双极型晶体管的工作原理双极型晶体管的静态特性双极型晶体管的频率响应与开关特性异质结双极型晶体管可控硅器件及相关功率器件,双极型晶体管,的结构,双极型晶体管是最重要的半导体器件之一。

18、双极型晶体管及相关器件,现代半导体器件物理与工艺,本章内容,双极型晶体管的工作原理双极型晶体管的静态特性双极型晶体管的频率响应与开关特性异质结双极型晶体管可控硅器件及相关功率器件,双极型晶体管,的结构,双极型晶体管是最重要的半导体器件之一。

19、异质结双极型晶体管,本章内容,的理论基础,的制作方法与结构,典型结构的性能,的应用展望,的理论基础,年,提出了宽禁带材料作晶体管发射结的原理年,若发射区材料的禁带宽度大于基区的禁带宽度,可获得很高的注入比年,利用液相外延方法制成了异质结双极。

20、化合物半导体器件Compound Semiconductor Devices微电子学院戴显英2013.9,第四章 异质结双极型晶体管,HBT的基本结构HBT的增益HBT的频率特性先进的HBT,4.1 HBT的基本结构,4.1.1 HBT的基。