微电子元器件第六章场效应晶体管

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2、金属氧化物半导体场效应晶体管,姓名,黄钰凯导师,凌智勇,半导体,定义,半导体,指常温下导电性能介于导体,与绝缘体,之间的材料,半导体按化学成分分类,锗和硅是最常用的元素半导体,化合物半导体包括第和第族化合物,砷化镓,磷化镓等,第和第族化合物。

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5、第九章场效应晶体管,管基本原理,管的电学参数阈值电压,电流方程,其他电学参数,第九章场效应晶体管原理,参考书,双极型与半导体器件原理黄均鼎汤庭鳌编著复旦大学出版社晶体管原理半导体器件电子学,英文版,美国,电子工业出版社,晶体管工作原理,晶体。

6、第三章电力场效应晶体管,分为结型和绝缘栅型通常主要指绝缘栅型中的型,简称电力,结型电力场效应晶体管一般称作静电感应晶体管,特点用栅极电压来控制漏极电流驱动电路简单,需要的驱动功率小,开关速度快,工作频率高,热稳定性优于,电流容量小,耐压低。

7、1,4场效应晶体管,场效应管是一种利用电场效应来控制电流的一种半导体器件,是仅由一种载流子参与导电的半导体器件,从参与导电的载流子来划分,它有电子作为载流子的N沟道器件和空穴作为载流子的P沟道器件,1,4,1结型场效应管,JunctionF。

8、6,4,3Effectsofrealsurfaces,alkalimetalions碱金属离子sodium,Na,ion钠离子mobilecharge可动电荷trappedcharge陷阱电荷interfacecharge界面电荷fi,ed。

9、场效应晶体管有二种结构形式,1,绝缘栅型场效应晶体管又分增强型和耗尽型二类2,结型场效应晶体管,只有耗尽型,第章MOS场效应晶体管,场效应晶体管在集成电路中被广泛使用,绝缘栅场效应晶体管,MOSFET,分为增强型和耗尽型两大类,每类中又有N。

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14、场效应晶体管,管的结构,工作原理和输出特性,场效应晶体管的结构,基本工作原理和输出特性,场效应晶体管的分类,场效应晶体管的阈值电压,管阈值电压的定义,管阈值电压的表示式,非理想条件下的阈值电压,影响阈值电压的其他因素,阈值电压的调整技术,管。

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16、1,晶体管及其小信号放大场效应管放大电路,停幻而苟拖渊豫钉舔拱肺彼袱兹炉都柴向靡卖姚肛矿绞铁傻笆矢纂惮朱呜晶体管及其小信号放大场效应管放大电路晶体管及其小信号放大场效应管放大电路,2,场效应晶体管,FET,电压控制器件多子导电输入阻抗高,噪。

17、信息与通信工程专业概论,第二部分电子电路实现技术,信息与通信工程专业概论,电子电路实现技术,通信系统的基本结构电子技术的作用和任务电子电路的基本原理和特点数字电子技术与计算机集成电路技术与微电子技术,终端,终端,传输媒介,消息,消息,电信号。

18、半导体器件物理基础,MOS场效应晶体管,场效应管与晶体管的区别,晶体管是电流控制元件,场效应管是电压控制元件,晶体管参与导电的是电子空穴,因此称其为双极型器件,场效应管是电压控制元件,参与导电的只有一种载流子,因此称其为单级型器件,晶体管的。