微电子工艺

1、第10章 封装技术,第10章 封装技术,本章目标：,1熟悉封装的流程,2熟悉常见半导体的封装形式,第10章 封装技术,一概述二封装工艺三封装设计,第10章 封装技术,一概述 1简介 2影响封装的芯片特性 3封装的功能 4洁净度和静电控制 5。

2、2023,02,05,1,1,第六讲薄膜工艺之物理气相淀积,主讲人,李方强,2023,02,05,2,引言,在集成电路制造工艺中,常常需要在硅片的表面淀积各种固体薄膜,薄膜厚度一般在纳米到微米的数量级,薄膜材料可以是金属,半导体或绝缘体,淀。

3、微电子工艺考题一,填空与选择题1结晶的SiO2是Si,O四面体结构,而无定形SiO2不是Si,O四面体结构,因而密度小,对错2杂质在硅晶体中的扩散机构主要有和两种,3二氧化硅薄膜在半导体器件生产上的应用有,对杂质的掩蔽作用对器件表面的保护和。

4、2023,02,18,1,1,第六讲薄膜工艺之物理气相淀积,主讲人,李方强,2023,02,18,2,引言,在集成电路制造工艺中,常常需要在硅片的表面淀积各种固体薄膜,薄膜厚度一般在纳米到微米的数量级,薄膜材料可以是金属,半导体或绝缘体,淀。

5、2023,10,13,1,1,第六讲薄膜工艺之物理气相淀积,主讲人,李方强,2023,10,13,2,引言,在集成电路制造工艺中,常常需要在硅片的表面淀积各种固体薄膜,薄膜厚度一般在纳米到微米的数量级,薄膜材料可以是金属,半导体或绝缘体,淀。

6、第6章 化学气相淀积工艺工艺,第6章 化学气相淀积工艺,本章4学时目标：,1化学气相淀积的分类,2熟悉常见的化学气相淀积形成的绝缘材料,3Si3N4薄膜的作用和淀积机理,4多晶硅薄膜的作用和淀积机理,0教材p241p255，p261p265。

7、1,第4章 外延工艺,2,2,第4章 外延工艺,本章3学时目标：,1了解相图和固溶度的概念,2了解外延技术的特点和应用,3掌握外延的分类,4掌握气相外延的原理步骤,5了解分子束外延的实现方式和优点,3,3,第4章 外延工艺,一相图和固溶度的。

8、清洗的概念及超净室环境介绍,污染的类别及清除过程,第五讲之片的清洗工艺,三道防线,净化环境,硅片清洗,吸杂,引言,芯片代加工工厂的环境通过以下措施进行,高效过滤器和空气再循环,工作人员的超净工作服,高纯化学药品和气体,严格的制造规程,引言。

9、第五章光刻,光刻基本概念负性和正性光刻胶差别光刻的8个基本步骤光刻光学系统光刻中对准和曝光的目的光刻特征参数的定义及计算方法五代光刻设备,学习目标,5,1引言,光刻是把掩膜版上的电路图形超精确地转移到涂覆在硅片上的光刻胶膜上,为后续刻蚀或离。

10、,1,第2章 半导体材料和晶圆制备,本章4学时目标：,1掺杂半导体的两种特性,2三种主要的半导体材料及其优缺点,3N型和P型半导体材料在组成电性能方面的不同,4多晶和单晶的不同,5两种重要的晶圆晶向示意图,6常见晶体生长的方法,7晶圆制备的。

11、清洗的概念及超净室环境介绍,污染的类别及清除过程,第五讲之片的清洗工艺,三道防线,净化环境,硅片清洗,吸杂,引言,芯片代加工工厂的环境通过以下措施进行,高效过滤器和空气再循环,工作人员的超净工作服,高纯化学药品和气体,严格的制造规程,引言。

12、第5章 氧化工艺,第5章 氧化工艺,本章4学时目标：,1掌握硅器件中二氧化硅层的用途,2熟悉热氧化的机制,3熟悉干氧化湿氧化和水汽氧化的特点,4掺氯氧化的作用,5氧化膜质量的检测方法,第5章 氧化工艺,一旧事重提 1氧化工艺的定义 2二氧化。

13、第5章氧化工艺,第5章氧化工艺,本章,4学时,目标,1,掌握硅器件中二氧化硅层的用途,2,熟悉热氧化的机制,3,熟悉干氧化,湿氧化和水汽氧化的特点,4,掺氯氧化的作用,5,氧化膜质量的检测方法,第5章氧化工艺,一,旧事重提1,氧化工艺的定义。

14、第六讲薄膜工艺之化学气相淀积,主讲人,李方强,化学气相沉积合成方法发展,化学气相沉积乃是通过化学反应的方式,利用加热,等离子激励或光辐射等各种能源,在反应器内使气态或蒸汽状态的化学物质在气相或气固界面上经化学反应形成固态沉积物的技术,化学气。

15、第3章 污染控制芯片制造基 本工艺概述,2,第3章 污染控制芯片制造基本工艺概述,本章3学时目标：,1列出至少三种在芯片厂中尽量减少人员污染的技术,2掌握晶片的清洗技术,3重点理解一号和二号溶液的使用方法,4鉴别和解释四种基本的芯片生产工艺。

16、课程论文题目微电子工艺光刻工艺学生姓名学号院系电子工程系专业电子科学与技术指导教师二一三年六月十二日光刻工艺南京信息工程大学电子工程系,南京摘要,光刻,photoetching,是通过一系列生产步骤将晶圆表面薄膜的特定部分除去的工艺,在此之。

17、第六讲薄膜工艺之化学气相淀积,主讲人,李方强,化学气相沉积合成方法发展,化学气相沉积乃是通过化学反应的方式,利用加热,等离子激励或光辐射等各种能源,在反应器内使气态或蒸汽状态的化学物质在气相或气固界面上经化学反应形成固态沉积物的技术,化学气。

18、第8章 光刻工艺,第8章 光刻工艺,本章目标：,1熟悉光刻工艺的流程,2能够区别正胶和负胶,3了解对准和曝光的光学方法,4解释湿法刻蚀和干法刻蚀的方法和优缺点,第8章 光刻工艺,一概述二光刻胶三曝光显影阶段四刻蚀去胶阶段,第8章 光刻工艺,。

19、第9章 掺杂技术,第9章 掺杂技术,本章目标：,1熟悉掺杂技术的两种方式2熟悉扩散掺杂的原理3掌握离子注入相关概念及其原理4熟悉离子注入的工艺流程5了解离子注入系统的设备及其优点,第9章 掺杂技术,一扩散二离子注入技术三集成电路的形成,第9。

20、清洗的概念及超净室环境介绍,污染的类别及清除过程,第五讲之片的清洗工艺,三道防线,净化环境,硅片清洗,吸杂,引言,芯片代加工工厂的环境通过以下措施进行,高效过滤器和空气再循环,工作人员的超净工作服,高纯化学药品和气体,严格的制造规程,引言。