外延技术讲座

1、第三章,薄膜成形工艺,外延工艺,定义,外延,epita,y,Epi,ta,is,是在单晶衬底上,合适的条件下沿衬底原来的结晶轴向生长一层晶格结构完整的新的单晶层的制膜技术,新生单晶层按衬底晶相延伸生长,并称为外延层,长了外延层的衬底称为外延。

2、半导体材料,2,第五章硅外延生长,5,1外延生长概述外延生长用来生长薄层单晶材料,即薄膜外延生长,在一定条件下,在单晶衬底上,生长一层合乎要求的单晶层的方法,生长的这层单晶叫外延层,厚度为几微米,3,外延生长分类,根据外延层性质,正外延,器。

3、第四章外延片的制备,4,1硅外延工艺概述定义,外延,epita,y,是在一定条件下,在一片表面经过细致加工的单晶衬底上,沿其原来的结晶轴方向,生长一层导电类型,电阻率,厚度和晶格结构完整性都符合要求的新单晶层的过程,新生单晶层按衬底晶相延伸。

4、半导体材料,2,第五章硅外延生长,5.1外延生长概述外延生长用来生长薄层单晶材料，即薄膜外延生长：在一定条件下，在单晶衬底上，生长一层合乎要求的单晶层的方法。生长的这层单晶叫外延层。厚度为几微米,3,外延生长分类,根据外延层性质,正外延：器。

5、第六章 外延生长Epitaxial Growth,外延生长Epitaxial Growth工艺, 概述 气相外延生长的热动力学 外延层的掺杂与缺陷 硅气相外延工艺 小结,参考资料：微电子制造科学原理与工程技术第14章电子讲稿中出现的图号是该。

6、Company Confidential,1,Do Not Copy,外延工艺简介,By赵仲镛杭州士兰集成电路有限公司杭州经济技术开发东区10号路308号Hangzhou Silan Integrated Circuit Co., Ltd。。

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9、半导体材料,IIIV族化合物半导体的外延生长,第七章IIIV族化合物半导体的外延生长,内容提要：气相外延生长VPE 卤化物法 氢化物法 金属有机物气相外延生长MOVPE液相外延生长LPE分子束外延生长MBE,气相外延生长,气相外延生长vap。

10、1,第4章 外延工艺,2,2,第4章 外延工艺,本章3学时目标：,1了解相图和固溶度的概念,2了解外延技术的特点和应用,3掌握外延的分类,4掌握气相外延的原理步骤,5了解分子束外延的实现方式和优点,3,3,第4章 外延工艺,一相图和固溶度的。

11、第五章 硅外延生长,5.1外延生长的概述,定义:外延 epitaxy：是在单晶衬底上，按衬底晶向生长一层单晶层的技术。新生单晶层按衬底晶相延伸生长，并称此为外延层。长了外延层的衬底称为外延片。,分类,根据结构 同质外延:外延层材料与衬底材料。

12、第二章 概念,概念与感觉知觉表象有着质的区别。感觉知觉表象是反映对象的具体形象的。在具体形象中，对象的本质属性和非本质属性是混合在一起没有分开的。概念不是反映对象的具体形象，而是抽象地反映对象的本质属性，舍弃了对象的非本质属性。所以，概念具。

13、第二章 外延及CVD工艺,1 外延工艺一.外延工艺概述定义:外延epitaxy是在单晶衬底上生长一层单晶膜的技术。新生单晶层按衬底晶相延伸生长，并称此为外延层。长了外延层的衬底称为外延片。,20221217,1,第二章 外延及CVD工艺1 。

14、集成电路制造工艺原理课程总体介绍：1 课程性质及开课时间：本课程为电子科学与技术专业微电子技术方向和光电子技术方向的专业选修课。本课程是半导体集成电路晶体管原理与设计和光集成电路等课程的前修课程。本课程开课时间暂定在第五学期。2 参考教材：。

15、集成电路制造工艺原理课程总体介绍：1 课程性质及开课时间：本课程为电子科学与技术专业微电子技术方向和光电子技术方向的专业选修课。本课程是半导体集成电路晶体管原理与设计和光集成电路等课程的前修课程。本课程开课时间暂定在第五学期。2 参考教材：。

16、七夕，古今诗人惯咏星月与悲情。吾生虽晚，世态炎凉却已看透矣。情也成空，且作挥手袖底风罢。是夜，窗外风雨如晦，吾独坐陋室，听一曲尘缘，合成诗韵一首，觉放诸古今，亦独有风韵也。乃书于纸上。毕而卧。凄然入梦。乙酉年七月初七。啸之记。 集成电路制造。

17、半导体材料,2,第五章硅外延生长,5.1外延生长概述外延生长用来生长薄层单晶材料，即薄膜外延生长：在一定条件下，在单晶衬底上，生长一层合乎要求的单晶层的方法。生长的这层单晶叫外延层。厚度为几微米,3,外延生长分类,根据外延层性质,正外延：器。

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19、外延技术讲座提要,外延工艺简述外延的某些关键工艺几种常见外延炉性能比较外延工艺及设备的展望,一,外延工艺简述,1,外延的含意Epita,y是由希腊词来的表示在上面排列upontoarrange,外延的含意是在衬底上长上一层有一定厚度一定电阻。

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