双极晶体管直流特性

1、3,MOSFET的直流特性,本节内容推导长沟道MOSFET的电流电压之间的数学关系,包括,线性区的I,V关系饱和区的I,V关系亚阈值区的I,V关系沟道长度调制效应,基本方程,半导体器件的特性一般由下面三组方程决定,器件结构,以NMOS为例。

2、3,MOSFET的直流特性,本节内容推导长沟道MOSFET的电流电压之间的数学关系,包括,线性区的I,V关系饱和区的I,V关系亚阈值区的I,V关系沟道长度调制效应,基本方程,半导体器件的特性一般由下面三组方程决定,器件结构,以NMOS为例。

3、第3章,晶体管的直流特性,3,1概述3,2平面晶体管的电流放大系数及影响电流放大系数的因素3,3晶体管的反向电流3,4晶体管的击穿电压3,5晶体管的基极电阻,晶体管的基本结构平面晶体管的电流放大系数晶体管的直流特性晶体管的反向电流,晶体管。

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6、第二,三讲直流电动机的电力拖动,1,杜少武,第二,三讲直流电动机的电力拖动,1,他励直流电动机的机械特性2,他励直流电动机的起动3,他励直流电动机的制动4,他励直流电动机的调速5,晶闸管直流电动机系统6,他励直流电动机过渡过程的能量损耗7。

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8、微电子学概论,第二章半导体物理与器件,半导体物理学刘恩科等著国防工业出版社半导体物理学叶良修高等教育出版社半导体物理与器件,第版,美,著,赵毅强等译半导体器件物理与工艺,美,施敏,著,王阳元等译,导论半导体及其基本特性半导体中的载流子半导体。

9、1121,半导体器件原理,主讲人：蒋玉龙本部微电子学楼312室，65643768Email: http:10.14.3.121,2121,第三章 MOSFET的基本特性,3.1 MOSFET的结构和工作原理3.2 MOSFET的阈值电压3.。

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11、1,集成电路原理与设计,微电子学,微电子技术是电子计算机和通信的核心技术微电子技术的核心是集成电路,IntegratedCircuit,IC,技术微电子学是电子学的一门分支,主要研究电子或离子在固体材料中的运动规律及其应用微电子学是以实现电。

12、第三章双极型晶体管的直流特性,内容,3,1双极晶体管基础,3,2均匀基区晶体管的电流放大系数,3,3缓变基区晶体管的电流放大系数,3,4双极晶体管的直流电流电压方程,3,5双极晶体管的反向特性,3,6基极电阻,3,1双极晶体管的基础,由两个。

13、第二,三讲直流电动机的电力拖动,1,杜少武,第二,三讲直流电动机的电力拖动,1,他励直流电动机的机械特性2,他励直流电动机的起动3,他励直流电动机的制动4,他励直流电动机的调速5,晶闸管直流电动机系统6,他励直流电动机过渡过程的能量损耗7。

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16、1,下篇场效应晶体管,场效应晶体管是区别于结型晶体管的另一大类晶体管,它通过改变垂直于导电沟道的电场强度来控制沟道的导电能力,从而调制通过沟道的电流,由于场效应晶体管的工作电流仅由多数载流子输运,故又称之为,单极型,场效应,晶体管,2,根据。

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18、1,下篇 场效应晶体管,场效应晶体管是区别于结型晶体管的另一大类晶体管。它通过改变垂直于导电沟道的电场强度来控制沟道的导电能力，从而调制通过沟道的电流。由于场效应晶体管的工作电流仅由多数载流子输运，故又称之为单极型场效应晶体管,2,根据其结。

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