汽相淀积

1、微细加工与技术,电子科技大学微电子与固体电子学院,张庆中,教材,微电子制造科学原理与工程技术,电子工业出版社,主要参考书,微细加工技术,蒋欣荣,电子工业出版社,半导体制造技术,电子工业出版社,第章引论,主要内容加工尺度,亚毫米纳米量级,加工。

2、第二章,第二章,半导体器件的特性,本章内容,半导体基本知识,结及二极管,双极型晶体管,第二章,半导体基本知识,一,什么是半导体,根据物体导电能力,电阻率,的不同,可以将物体分为导体,绝缘体,和半导体,硅,锗,纯水,硬玻璃,橡胶,云母,石英。

3、SiGeIC工艺技术实现宽带和低噪声,SiGe工艺采用锗对硅进行掺杂,利用现有的CMOS生产设备或双极工艺设备制造芯片,SiGe技术能够获得比双极器件高得多的速度,用0,5m工艺很容易达到几百兆的带宽,在相似的功率水平下比双极工艺提供更低的。

4、第十一章淀积,学习目标,1,描述多层金属化,叙述并解释薄膜生长的三个阶段,2,不同薄膜不同淀积技术,3,化学汽相淀积,CVD,反应的8个基本步骤,包括不同类型的化学反应,4,描述CVD反应如何受限制,解释反应动力学以及对CVD薄膜掺杂的效应。

5、第13章化学汽相淀积,在蒸发和溅射这些物理淀积方法中,粒子几乎直线运动,存在台阶覆盖问题,随着集成电路尺寸的不断缩小和纵横比的提高,使台阶覆盖问题更为突出,此外,蒸发和溅射主要用于金属薄膜的淀积,不太适用于半导体薄膜和绝缘薄膜的淀积,反应室。

6、第13章化学汽相淀积,在蒸发和溅射这些物理淀积方法中,粒子几乎直线运动,存在台阶覆盖问题,随着集成电路尺寸的不断缩小和纵横比的提高,使台阶覆盖问题更为突出,此外,蒸发和溅射主要用于金属薄膜的淀积,不太适用于半导体薄膜和绝缘薄膜的淀积,反应室。

7、半导体工艺原理与技术张晓波此方工业大学微电实验中心,参增书,著半导体制造技术韩郑生等译电子工业出版社,曾莹等译微电子制造科学原理与工程技术电子工业出版社,严利人等译硅超大规模集成电路工艺技术一理论,实践与模型电子工业出版社,庄同曾集成电路制。

8、半导体材料,外延生长,外延是在单晶上生长一层同质或异质的薄膜层。,薄膜制备技术,1物理气相沉积Physical Vapor Deposition，PVD 2化学气相沉积Chemical Vapor Deposition，CVD 3氧化法高压。

9、1,基本概念微电子,微电子技术是随着集成电路,尤其是超大型规模集成电路而发展起来的一门新的技术,微电子技术包括系统电路设计,器件物理,工艺技术,材料制备,自动测试以及封装,组装等一系列专门的技术,微电子技术是微电子学中的各项工艺技术的总和微。

10、外延生长,外延是在单晶上生长一层同质或异质的薄膜层。,薄膜制备技术,1物理气相沉积Physical Vapor Deposition，PVD 2化学气相沉积Chemical Vapor Deposition，CVD 3氧化法高压氧化法 4电。

11、集成电路设计基础,BASICICDESIGN,本课程的主要内容及要求,一,本课程的教学目的1,掌握有关集成电路设计和生产过程中的基本概念,2,对集成电路的设计,生产过程的基本知识有一个比较系统,全面的了解和认识,3,熟悉集成电路的设计方法及。

12、第三章 集成电路工艺3.1 概述3.2 集成电路制造工艺3.3 BJT工艺3.4 MOS工艺3.5 BiMOS工艺3.6 MESFET工艺与HEMT工艺,50m,100 m头发丝粗细,30m,1m 1m晶体管的大小,3050m皮肤细胞的大小。

13、第二章集成电路的制造工艺,第一节双极型集成电路的工艺流程第二节MOS集成电路的工艺流程第三节外延工艺第四节氧化工艺第五节化学汽相淀积,CVD,方法第六节掺杂技术第七节光刻工艺第八节刻蚀技术,第二章集成电路的制造工艺,第九节淀积工艺第十节表面。

14、半导体制造工艺,淘珊壤雏纳策戎共猜腆巷蚊阴赂呐自琳灾截扶打固弥晤别战钥瞅虾夸翌卢半导体工艺技术半导体工艺技术,微电子学：Microelectronics微电子学微型电子学核心半导体器件,诬思顽汗且情柴蹈粤五誊碟怀酒腥毗殿积泰咱沧愧辆妹滓每厌。

15、浮法在线化学汽相淀积镀膜技术手册秦皇岛玻璃工业研究设计院一九九六年五月一,化学汽相淀积法镀膜原理化学汽相淀积,CVD,工艺已成为膜制备方法中很重要的一类,本质上,CVD是一种材料的合成法,在这种方法中蒸汽相成份以化学方法反应形成固体薄膜,作。

16、第一章 集成电路的基本制造工艺,信息工程学院李薇薇,微电子学：Microelectronics微电子学微型电子学核心集成电路集成电路：Integrated Circuit，缩写IC通过一系列特定的加工工艺，将晶体管二极管等有源器件和电阻电容。

17、第四章集成电路制造工艺,集成电路的制造需要非常复杂的技术,它主要由半导体物理与器件专业负责研究,VLSI设计者可以不去深入研究,但是作为从事系统设计的工程师,有必要了解芯片设计中的工艺基础知识,才能根据工艺技术的特点优化电路设计方案,对于电。

18、集成电路制造工艺,制造业,芯片制造过程,需要集成的内容,有源器件制备在同一衬底上,相互隔离,二极管,双极晶体管,MOSFET,无源器件,电阻,电容等,互连引线,P,P,集成电路设计与制造的主要流程框架,集成电路的设计过程,设计创意,仿真验证。

19、集成电路制造工艺,集成电路设计与制造的主要流程框架,集成电路的设计过程,设计创意,仿真验证,设计业,制造业,芯片制造过程,集成电路芯片的显微照片,集成电路的内部单元,俯视图,沟道长度为0,15微米的晶体管,栅长为90纳米的栅图形照片,50m。

20、本章概要,概述化学气相淀积介质及其性能外延,11.1 概述,引言,薄膜淀积是芯片加工过程中一个至关重要的工艺步骤，通过淀积工艺可以在硅片上生长各种导电薄膜层和绝缘薄膜层。 各种不同类型的薄膜淀积到硅片上，在某些情况下，这些薄膜成为器件结构中。