尼曼半导体物理与器件第七章ppt课件

1、半导体物理与器件Semiconductor Physics andDevices,陕西科技大学物理教研室管志花201020112,课程简介课本：Neamen 美，赵毅强译,半导体物理与器件参考书:1.Charles Kittel,固体物理导。

2、第六章 pn结,本章主要内容,6.1 pn结及其能带图； 6.2 pn结电流电压特性； 6.3 pn结电容； 6.4 pn结击穿特性； 6.5 pn隧道特性；,Pn相关器件认识,二极管,整流桥,主要面向计算机主板硬盘驱动器手机充电器紧急照明。

3、微电子学概论,第二章半导体物理与器件,半导体物理学刘恩科等著国防工业出版社半导体物理学叶良修高等教育出版社半导体物理与器件,第版,美,著,赵毅强等译半导体器件物理与工艺,美,施敏,著,王阳元等译,导论半导体及其基本特性半导体中的载流子半导体。

4、第六章 pn结,本章主要内容,6.1 pn结及其能带图； 6.2 pn结电流电压特性； 6.3 pn结电容； 6.4 pn结击穿特性； 6.5 pn隧道特性；,Pn相关器件认识,二极管,整流桥,主要面向计算机主板硬盘驱动器手机充电器紧急照明。

5、第二章 光电检测器件工作原理及特性,第二章 光电检测器件工作原理及特性,半导体物理基础 光电检测器件的物理基础 光电检测器件的特性参数,一半导体的特性,半导体的导电能力在不同的条件下有显著的差异。,21 半导体物理基础,物质按导电能力可分为。

6、,第一章 太阳能电池的工作原理和基本特性 之半导体物理基础,1半导体的性质,世界上的物体如果以导电的性能来区分，有的容易导电，有的不容易导电。容易导电的称为导体，如金银铜铝铅锡等各种金属；不容易导电的物体称为绝缘体，常见的有玻璃橡胶塑料石英。

7、7,3反偏pn结的偏置状态,反偏状态下,外加电场方向和内建电场相同,反偏,在p,n区之间施加一个反向电压为反偏,反偏电压几乎全部施加于空间电荷区,而中性区电压几乎为0,7,3反偏,外加电场的存在将会使得能带图中N型区的费米能级往下拉,下拉的。

8、.,第二章 太阳能电池原理,2.1 半导体物理基础 2.2 太阳电池物理基础,.,2.1 半导体物理基础,2.1.1半导体的能带结构,1原子的能级和晶体的能带,制造半导体器件所用的材料大多是单晶体。单晶体是由靠得很紧密的原子周期性重复排列而。

9、第七章 pn结,0,高等半导体物理与器件第七章 pn结,第七章 pn结,1,双极晶体管,n结二极管,肖特基二极管,欧姆接触,JFETMESFETMOSFETHEMT,从物理到器件,MOS结,双端MOS结构,统计物理,能带理论,第七章 pn结。

10、第四章 平衡半导体,平衡半导体The Semiconductor in Equilibrium是指半导体处于平衡状态或热平衡状态，是指没有外界影响如电压电场磁场或温度梯度等作用于半导体上的状态。本征半导体Intrinsic Semicond。

11、0,高等半导体物理与器件第十章 金属氧化物半导体场效应晶体管基础,第十章 金属氧化物半导体场效应晶体管基础,1,主要内容,双端MOS结构电容电压特性MOSFET基本工作原理频率限制特性小结,第十章 金属氧化物半导体场效应晶体管基础,2,10。

12、第一章太阳能电池的工作原理和基本特性之半导体物理基础,1,半导体的性质,世界上的物体如果以导电的性能来区分,有的容易导电,有的不容易导电,容易导电的称为导体,如金,银,铜,铝,铅,锡等各种金属,不容易导电的物体称为绝缘体,常见的有玻璃,橡胶。

13、半导体物理与器件,陈延湖,理想半导体：原子严格地周期性排列，晶体具有完整的晶格结构原子是静止的晶体中无杂质，无缺陷。,电子在周期场中作共有化运动，形成允带和禁带电子能量只能处在允带中的能级上，禁带中无能级。且由本征激发提供载流子。,实际半导。

14、0,高等半导体物理与器件第十章 金属氧化物半导体场效应晶体管基础,第十章 金属氧化物半导体场效应晶体管基础,1,主要内容,双端MOS结构电容电压特性MOSFET基本工作原理频率限制特性小结,第十章 金属氧化物半导体场效应晶体管基础,2,10。

15、第三章 固体量子理论初步1,1,高等半导体物理与器件第三章 固体量子理论初步1,第三章 固体量子理论初步1,2,本章内容,允带与禁带固体中电的传导三维扩展状态密度函数统计力学,第三章 固体量子理论初步1,3,能带理论是研究固体中电子运动的一。

16、9.5 欧姆接触,金属半导体接触,整流接触肖特基势垒,非整流接触欧姆接触,肖特基接触的特点是接触区的电流电压特性是非线性的，呈现出二极管的特性，因而具有整流效应，所以肖特基接触又叫整流接触。欧姆接触的特点是不产生明显的附加阻抗，而且不会使半。

17、第五章电荷输运现象,在电场和磁场作用下，半导体中电子和空穴的运动引起各种电荷输运现象，主要包括电导霍尔效应和磁阻。 这些现象是研究半导体基本特性和内部机构的重要方面。通过电导和霍尔效应的测量，可以确定半导体中载流子浓度迁移率和杂质电离能等基。

18、第六章 pn结,6.1 pn结及其能带图 6.2 pn结电流电压特性6.3 pn结电容6.4 pn结击穿6.5 pn结隧道效应,6.1 pn结及其能带图,冶金结P区和n区的交界面突变结线性缓变结超突变结突变结均匀分布，交界处突变,6.1 p。

19、半导体物理与器件,陈延湖,第七章 pn结,从本章开始将由半导体物理基础的学习进入半导体器件基础的学习。,n结在现代电子学中具有重要的应用，是多种半导体器件的核心。因而pn结对于各种半导体器件的学习特别重要。,前面学习的载流子浓度分布费米能级。

20、半导体物理与器件,陈延湖,半导体物理与器件陈延湖,第七章 pn结,从本章开始将由半导体物理基础的学习进入半导体器件基础的学习。,n结在现代电子学中具有重要的应用，是多种半导体器件的核心。因而pn结对于各种半导体器件的学习特别重要。,前面学习。