扩散与离子注入

1、离子注入机设备简介,离子注入机设备简介,目 录一离子注入技术的发展回顾及特点二离子注入机设备结构及其作用三离子注入工艺技术四离子注入损伤与退火五离子注入工艺技术的质量测量 六离子注入机的检查及故障的排出 七离子注入机的安全操作 八离子注入技。

2、毕业设计论文离子注入工艺及设备研究系电子信息工程系专业微电子技术姓名班级微电103学号1001113110指导教师职称讲师指导教师职称设计时间2012,9,192013,1,4摘要,在电子工业中,离子注入现在已经成为了微电子工艺中的一种重要。

3、毕业设计论文离子注入工艺及设备研究设计时间摘要,在电子工业中,离子注入现在已经成为了工艺中的一种重要的掺杂技术,也是控制MOSFET阈值电压的一个重要手段,因此在当代制造大规模集成电路中,可以说是一种必不可少的手段,离子注入的方法就是在真空。

4、离子束的性质离子束是一种带电原子或带电分子的束状流,能被电场或磁场偏转,能在电场中被加速而获得很高的动能,离子束的用途掺杂,曝光,刻蚀,镀膜,退火,净化,改性,打孔,切割等,不同的用途需要不同的离子能量E,E50KeV,注入掺杂,离子束加工。

5、Chap4离子注入,核碰撞和电子碰撞注入离子在无定形靶中的分布注入损伤热退火,离子注入,离子注入是一种将带电的且具有能量的粒子注入衬底硅的过程,注入能量介于1KeV到1MeV之间,注入深度平均可达10nm10um,离子剂量变动范围,从用于阈。

6、第十七章扩散和离子注入,1,ppt课件,17,1引言,本章主要内容,扩散工艺和离子注入工艺扩散和离子注入工艺的应用扩散和离子注入设备,本章知识要点,掌握掺杂的目的和应用,掌握扩散和离子注入的原理及其应用,掌握退火效应和沟道效应了解离子注入设。

7、微电子工艺学Microelectronic Processing第四章掺杂原理与技术,张道礼 教授Email: zhangVoice: 87542894,掺杂doping：将一定数量和一定种类的杂质掺入硅中，并获得精确的杂质分布形状dopi。

8、1,Chapter8离子注入,2,目标,至少列出三种最常使用的掺杂物辨认出至少三种掺杂区域描述离子注入的优点描述离子注入机的主要部分解释通道效应离子种类和离子能量的关系解释后注入退火辨认安全上的危害,3,离子注入,简介安全性硬件制程概要,4。

9、黄君凯教授,6,2非本征扩散,本征扩散在扩散温度下,掺杂浓度n,T,掺入物质浓度与衬底浓度叠加,小于本征载流子浓度时,半导体依然属于本征型,扩散为本征扩散,P型和N型杂质相继扩散或同时扩散可线性叠加并独立处理,扩散系数与掺杂浓度无关,非本征。

10、芯片制造工艺 掺杂,扩 散 和 离 子 注 入,主 要 内 容,5.1 概述 5.2 扩散 5.3 离子注入掺杂 5.4 掺杂质量评价 5.5 实训 扩散工艺规程,为了在硅片内部指定区域得到选择性掺杂，核心步骤为：1 在硅片表面生长一层二氧。

11、杂质掺杂,现代半导体器件物理与工艺,杂质掺杂,所谓杂质掺杂是将可控数量的杂质掺入半导体内,杂质掺杂的实际应用主要是改变半导体的电特性,扩散和离子注入是半导体掺杂的两种主要方式,高温扩散,一直到世纪年代,杂质掺杂主要是由高温的扩散方式来完成。

12、第七章离子注入,IonImplantation,离子注入概述,最早应用于原子物理和核物理研究提出于1950s1970s中期引入半导体制造领域,离子注入,离子注入是另一种对半导体进行掺杂的方法,将杂质电离成离子并聚焦成离子束,在电场中加速而获。

13、复习提纲,复习提纲,第一章 绪论,学习内容：1.半导体产业概况2.器件技术3.硅和硅片制备4.硅片清洗学习要求：1.了解半导体产业及其发展情况；2.了解集成电阻集成电容集成BJT集成CMOS等无源和有源器件的结构；3.了解硅晶体结构单晶硅生。

14、集成电路制造技术第四章离子注入,西安电子科技大学微电子学院戴显英2013年9月,本章主要内容,离子注入特点离子注入设备原理离子注入机理离子注入分布离子注入损失注入退火离子注入与热扩散对比,4,1离子注入特点,定义,将带电的,且具有能量的粒子。

15、微电子工艺学第四章掺杂原理与技术,张道礼教授,掺杂,将一定数量和一定种类的杂质掺入硅中,并获得精确的杂质分布形状,掺杂应用,阱,栅,源漏,沟道等,基极,发射极,集电极等,掺杂,基本概念,结深,薄层电阻,杂质固溶度,掺杂,目的,改变晶片电学性。

16、集成电路制造技术第四章离子注入,西安电子科技大学微电子学院戴显英2012年9月12日,本章主要内容,离子注入特点离子注入设备原理离子注入机理离子注入分布离子注入损失注入退火离子注入与热扩散对比,4,1离子注入特点,定义,将带电的,且具有能量。

17、半导体制造技术,陈弈星,第十七章离子注入,本章目标,1,解释掺杂在硅片制造过程中的目的和应用,2,讨论杂质扩散的原理和过程,3,对离子注入有整体的认识,包括优缺点,4,讨论剂量和射程在离子注入中的重要性,5,列举离子注入机的个主要子系统,6。

18、Chap4离子注入,核碰撞和电子碰撞注入离子在无定形靶中的分布注入损伤热退火,嗡蝎剧绩卉酸余哭匹抒凌药鸥虹题薯锄咳色哄弗法夕增社峻羡病卿谦谜举集成电路工艺基础04,离子注入集成电路工艺基础04,离子注入,离子注入,离子注入是一种将带电的且具。

19、微电子工艺学第四章掺杂原理与技术,张道礼教授,掺杂,将一定数量和一定种类的杂质掺入硅中,并获得精确的杂质分布形状,掺杂应用,阱,栅,源漏,沟道等,基极,发射极,集电极等,掺杂,基本概念,结深,薄层电阻,杂质固溶度,掺杂,目的,改变晶片电学性。

20、第9章 掺杂技术,第9章 掺杂技术,本章目标：,1熟悉掺杂技术的两种方式2熟悉扩散掺杂的原理3掌握离子注入相关概念及其原理4熟悉离子注入的工艺流程5了解离子注入系统的设备及其优点,第9章 掺杂技术,一扩散二离子注入技术三集成电路的形成,第9。