空间电荷

1、含纳米复合电极的双电层电容器空间电荷行为的研究,汇报人,范冰冰,文献研读汇报,空间电荷定义,在pn结中,电子和空穴带有相反的电荷,它们在扩散过程中要产生复合,中和,结果使P区和N区中原来的电中性被破坏,P区失去空穴留下带负电的离子,N区失去。

2、结,平衡结,结的制造工艺和杂质分布,平衡结的空间电荷区和能带图,平衡结的载流子浓度分布,结的直流特性,结的正向特性,结的反向特性,结的伏安特性,影响结伏安特性的因素,结空间电荷区的电场和宽度,突变结空间电荷区的电场和宽度,缓变结空间电荷区的。

3、电介质中的空间电荷效应哈尔滨理工大学雷清泉陈庆国,抠啦赞祥籽庐捆市现较烫欺濒讼漫密峭招孪痞填压秒盗耻溉圾瞒标盯旨箭雷清泉院士电介质中的空间电荷效应雷清泉院士电介质中的空间电荷效应,一,概述,1,定义,空间电荷,Spacecharge,SC。

4、第八章半导体表面与MIS结构,重点,表面空间电荷层的性质,表面电场效应,MIS结构的C,V特性,理想和非理性MOS电容,多子堆积状态平带状态多子耗尽状态少子反型状态硅二氧化硅系统的性质平带电压,MIS结构的等效电路,MIS结构示意图,半导体。

5、第二章PN结,热平衡PN结加偏压的PN结理想PN结的直流电流,电压特性空间电荷区的复合电流和产生电流隧道电流I,V特性的温度依赖关系耗尽层电容小信号交流分析电荷贮存和反向瞬变PN结击穿,引言,PN结是几乎所有半导体器件的基本单元,除金属半导。

6、第八章半导体表面与MIS结构,重点,表面空间电荷层的性质,表面电场效应,MIS结构的C,V特性,理想和非理性MOS电容,多子堆积状态平带状态多子耗尽状态少子反型状态硅二氧化硅系统的性质平带电压,MIS结构的等效电路,MIS结构示意图,半导体。

7、西南交通大学硕士学位论文连续高压脉冲下空间电荷对变频牵引电机绝缘老化影响的研究姓名,周力任申请学位级别,硕士专业,高电压与绝缘技术导教师,吴广宁20100501AbstractInverter,fedmotorisanindispensab。

8、第七章半导体表面与结构,结构的电容电压特性,表面电场效应,系统的性质,表面电导及迁移率,理解并掌握热平衡下理想结构中半导体的表面电场效应,包括表面势,表面空间电荷区的电场,电势和电容,理解并掌握理想的结构的电容和电压特性,并了解金属和半导体。

9、结与二极管原理,平衡结,结的制造工艺和杂质分布,平衡结的空间电荷区和能带图,平衡结的载流子浓度分布,结的直流特性,结的正向特性,结的反向特性,结的伏安特性,影响结伏安特性的因素,结空间电荷区的电场和宽度,突变结空间电荷区的电场和宽度,缓变结。

10、第二章PN结机理与特性,2,1平衡PN结的机理与特性2,1,1PN结的制备与杂质分布,在N型,或P型,半导体单晶片衬底上,分别采用不同的掺杂方法,使原来半导体的一部分变成P型,或N型,那么在P型半导体与N型半导体的交界面处就形成了PN结,如。

11、PN 结,PN junction,2.1 平衡PN结2.1.1 PN结的制造工艺和杂质分布2.1.2 平衡PN结的空间电荷区和能带图2.1.3 平衡PN结的载流子浓度分布2.2 PN结的直流特性2.2.1 PN结的正向特性2.2.2 PN结。

12、第二章 PN结,半导体器件物理,引言,PN结是几乎所有半导体器件的基本单元。除金属半导体接触器件外，所有结型器件都由PN结构成。PN结本身也是一种器件整流器。PN结含有丰富的物理知识，掌握PN结的物理原理是学习其它半导体器件器件物理的基础。。

13、半导体物理与器件,陈延湖,第七章 pn结,从本章开始将由半导体物理基础的学习进入半导体器件基础的学习。,n结在现代电子学中具有重要的应用，是多种半导体器件的核心。因而pn结对于各种半导体器件的学习特别重要。,前面学习的载流子浓度分布费米能级。

14、固 态 电 子 器 件Solid State Electronic Devices,教材：张鹤鸣 张玉明 曹全喜,课程内容,Ch1 pn结二极管Ch2 双极型晶体管Ch3 JFET与MESFETCh4 MISFETCh5 电力电子器件Ch6。

15、半导体光电子器件物理基础；半导体光电探测器；半导体光电池；半导体电荷耦合器件CCD；半导体激光器LD；半导体发光二极管LED。,半导体光电子学,半导体光电子器件物理基础,Ch3 半导体光电子器件物理基础,31 pn结32 异质结与超晶格33。

16、第七章 pn结,0,高等半导体物理与器件第七章 pn结,第七章 pn结,1,双极晶体管,n结二极管,肖特基二极管,欧姆接触,JFETMESFETMOSFETHEMT,从物理到器件,MOS结,双端MOS结构,统计物理,能带理论,第七章 pn结。

17、PN 结,PN junction,2.1 平衡PN结2.1.1 PN结的制造工艺和杂质分布2.1.2 平衡PN结的空间电荷区和能带图2.1.3 平衡PN结的载流子浓度分布2.2 PN结的直流特性2.2.1 PN结的正向特性2.2.2 PN结。

18、第8章 半导体表面和MIS结构,本章主要内容：MIS结构中的表面电场效应MIS结构电容电压特性硅二氧化硅系统性质表面电场对pn结特性的影响,8.1表面电场效应8.1.1空间电荷层及表面势,我们通过一个MIS结构来讨论在外加电场作用下半导体表。

19、第二章 PN结,半导体器件物理,引言,PN结是几乎所有半导体器件的基本单元。除金属半导体接触器件外，所有结型器件都由PN结构成。PN结本身也是一种器件整流器。PN结含有丰富的物理知识，掌握PN结的物理原理是学习其它半导体器件器件物理的基础。。

20、半导体物理与器件,陈延湖,半导体物理与器件陈延湖,第七章 pn结,从本章开始将由半导体物理基础的学习进入半导体器件基础的学习。,n结在现代电子学中具有重要的应用，是多种半导体器件的核心。因而pn结对于各种半导体器件的学习特别重要。,前面学习。