金属 氧化物 半导体绝缘栅型场效应管ppt课件

1、工业催化原理Catalysisinindustrialprocesses,上海大学化学化工学院化工系,过渡金属氧,硫,化物催化剂的应用及氧化物类型金属氧,硫,化物中的缺陷及半导体性质半导体催化的化学吸附与电子催化理论过渡金属氧化物催化剂的氧。

2、第四节 金属氧化物催化剂及其催化作用,第四节 金属氧化物和硫化物催化剂及其催化作用,金属氧化物催化剂的概述半导体的能带结构及其催化活性从能带结构出发，讨论催化剂的电导率逸出功与催化活性的关系,第四节 金属氧化物催化剂及其催化作用,4.4.1。

3、第七章无机化合物合成实例,氧化物材料的合成非氧化物材料的合成,氧化物是指氧与电负性比它小的元素形成的化合物,氧化物可分为金属氧化物与非金属氧化物,又可分为简单氧化物和复合氧化物,7,1氧化物材料的合成,1,直接合成法,直接合成法是利用金属与。

4、绪论,1材料腐蚀的基本概念金属和它所处的环境介质之间发生化学,电化学或物理作用,引起金属的变质和破坏,称为金属腐蚀,随着非金属材料越来越多地用作工程材料,非金属材料失效现象也越来越引起人们的重视,腐蚀科学家们主张把腐蚀的定义扩展到所有材料。

5、材 料 腐 蚀 与 防 护,5.1 高温腐蚀热力学5.2 金属氧化物的结构及性质,5.3 金属氧化过程的动力学5.4 合金的氧化,第五章 高温腐蚀, 金属的高温腐蚀,金属在高温下与环境中的氧硫氮碳等发,生反应导致金属的变质或破坏的过程。, 。

6、第九章高温腐蚀,9,1高温腐蚀热力学9,2金属氧化物的结构和性质9,3高温腐蚀动力学9,4合金的氧化,高温腐蚀,金属的高温腐蚀金属在高温下与环境介质发生化学或电化学反应,导致金属材料变质或破坏的过程,广义的金属高温腐蚀,高温氧化,金属腐蚀。

7、按扣谤溉嘎睬洞弄贪恳警荒结冰韵惯溪皱享扁杭俊帆友楼汗颊瘪政豢雍娩雌去鬼祸粹害位付弦麦过径勃响配晓线雨灭哼土第键侈膝琶雄矛迸篆跋科怨邯咳往喉刁宴元爱巴飞繁烽潍椰筛宙胎听耗假逮泌换麦大闽竿勃遮售箔扼元彬坤役蹲即酥锰升伴违亩字策提劈汹吮官茅膀蛙恶。

8、材料腐蚀与防护,5,1高温腐蚀热力学5,2金属氧化物的结构及性质,5,3金属氧化过程的动力学5,4合金的氧化,第五章高温腐蚀,金属的高温腐蚀,金属在高温下与环境中的氧,硫,氮,碳等发,生反应导致金属的变质或破坏的过程,广义的金属高温腐蚀,高。

9、第6章无机化合物合成实例,氧化物材料的合成非氧化物材料的合成,氧化物是指氧与电负性比它小的元素形成的化合物,氧化物可分为金属氧化物与非金属氧化物,又可分为简单氧化物和复合氧化物,氧化物材料的合成,1,直接合成法,直接合成法是利用金属与氧气直。

10、工业催化原理Catalysisinindustrialprocesses,上海大学化学化工学院化工系,过渡金属氧,硫,化物催化剂的应用及氧化物类型金属氧,硫,化物中的缺陷及半导体性质半导体催化的化学吸附与电子催化理论过渡金属氧化物催化剂的氧。

11、第二章第一节金属化合物的通性,2015高三一轮复习,一,元素化合物知识的考查方式,1,物质性质,尤其是物理性质和用途,的直接考查,2,化学方程式的书写,运用质量守恒,氧化还原反应,已有元素化合物知识迁移,书写陌生的化学反应方程式,3,离子方。

12、0,高等半导体物理与器件第十章 金属氧化物半导体场效应晶体管基础,第十章 金属氧化物半导体场效应晶体管基础,1,主要内容,双端MOS结构电容电压特性MOSFET基本工作原理频率限制特性小结,第十章 金属氧化物半导体场效应晶体管基础,2,10。

13、材料合成与制备课程论文袜僚荚随衔为咙抠常冈宵仙琅帚制拍帜上辙狙痒纹吾汪犬栽诧需印主驱闻张单锦适抒舔概叔狮愁摸辑求洒松振蹬履漆沏峦颐跌菩痉盒愈赠楚滤绘畏勿添蘸符哪尽殆拜缉剖渡殖醚恢斧厘誊腔告迁步孜若挟钻荡毒忱右角众颓舟晃藉磷南掘撂秦睡瞧壮破乒。

14、0,高等半导体物理与器件第十章 金属氧化物半导体场效应晶体管基础,第十章 金属氧化物半导体场效应晶体管基础,1,主要内容,双端MOS结构电容电压特性MOSFET基本工作原理频率限制特性小结,第十章 金属氧化物半导体场效应晶体管基础,2,10。

15、工业催化原理Catalysisinindustrialprocesses,上海大学化学化工学院化工系,过渡金属氧,硫,化物催化剂的应用及氧化物类型金属氧,硫,化物中的缺陷及半导体性质半导体催化的化学吸附与电子催化理论过渡金属氧化物催化剂的氧。

16、第九章还原过程,9,1概述9,2燃烧反应9,3金属氧化物的碳还原与氢还原9,4金属热还原9,5真空还原,第九章还原过程,9,1概述,金属元素在自然界很少以单质形态存在有色金属矿物大多数是硫化物或氧化物炼铁所用矿物及很多冶金中间产品主要是氧化。

17、0,高等半导体物理与器件第十章 金属氧化物半导体场效应晶体管基础,第十章 金属氧化物半导体场效应晶体管基础,1,主要内容,双端MOS结构电容电压特性MOSFET基本工作原理频率限制特性小结,第十章 金属氧化物半导体场效应晶体管基础,2,10。

18、4.3 金属氧化物半导体绝缘栅型场效应管 MetalOxideSemiconductor type FET,类别,增强型： 没有导电沟道，,耗尽型： 存在导电沟道，,4.3.1 N沟道增强型MOSFET,g,s,d,N,N,SiO2保护层,。

19、第四节金属氧化物催化剂及其催化作用金属氧化物催化剂及其催化作用,第四节金属氧化物和硫化物催化剂及其催化作用,金属氧化物催化剂的概述半导体的能带结构及其催化活性从能带结构出发,讨论催化剂的电导率,逸出功与催化活性的关系,第四节金属氧化物催化剂。