晶体中的位错

1、第4章实际晶体结构中的位错,4,1实际晶体中位错的分类4,2实际晶体中位错的柏氏矢量4,3位错反应4,4面心立方晶体中的位错4,5体心立方晶体中的位错4,6密排六方晶体中的位错,4,1实际晶体中位错的分类,简单立方晶体中位错的柏氏矢量b总是。

2、材料科学基础,白晶东南大学材料科学与工程学院,晶体缺陷,概念及分类,0,点缺陷,1,位错的基本知识,2,位错的运动,3,位错的生成与增殖,5,位错的弹性性质,4,实际晶体中的位错,6,缺陷的概念及分类,平移对称性的示图,一,缺陷的概念,平移。

3、高二化学晶体结构练习题学校,姓名,班级,考号,一,单项选择,认真分析和的晶体结构,判断下列说法错误的是,和都属于型的离子晶体和晶体中阴,阳离子个数比相同,所以阴,阳离子的配位数相等和晶体中阴,阳离子的配位数分别为和和都属于型的离子晶体,所以。

4、第四章晶体缺陷,本章主要内容,1,教学内容,点缺陷,面缺陷,体缺陷的产生及扩散,2,基本要求,掌握点缺陷,位错,面缺陷与体缺陷,缺陷的扩散等,第四章晶体缺陷,完美晶体组成晶体的所有原子或离子都排列在晶格中,没有晶格空位,也没有间隙原子或离子。

5、1,第四章晶体中的点缺陷与线缺陷4,1热力学平衡态点缺陷一,点缺陷的类型二,热缺陷浓度计算4,2非热力学平衡态点缺陷4,3点缺陷符号与化学方程式一,点缺陷的符号,三,二,缺陷反应方程式,四,缺陷化学反应表示法,五,点缺陷的化学平衡4,5掺杂。

6、1,第四章晶体中的点缺陷与线缺陷4,1热力学平衡态点缺陷一,点缺陷的类型二,热缺陷浓度计算4,2非热力学平衡态点缺陷4,3点缺陷符号与化学方程式一,点缺陷的符号,三,二,缺陷反应方程式,四,缺陷化学反应表示法,五,点缺陷的化学平衡4,5掺杂。

7、第二章 实际晶体中的位错行为,实际晶体与连续弹性介质的差别,晶体是周期排列的,晶格阻力PN力；,晶体的各向异性,实际晶体有固定的滑移面和滑移方向；,实际晶体的原子具有独特的堆垛方式,层错部分位错和全位错。,目录,第一节 PN模型与PN力第二。

8、第4章实际晶体结构中的位错,4,1实际晶体中位错的分类4,2实际晶体中位错的柏氏矢量4,3位错反应4,4面心立方晶体中的位错4,5体心立方晶体中的位错4,6密排六方晶体中的位错,4,1实际晶体中位错的分类,简单立方晶体中位错的柏氏矢量b总是。

9、材料加工金属学基础,主讲教师,王亚男,第4章实际晶体结构中的位错,4,1实际晶体中位错的分类4,2实际晶体中位错的柏氏矢量4,3位错反应4,4面心立方晶体中的位错4,5体心立方晶体中的位错4,6密排六方晶体中的位错,4,1实际晶体中位错的分。

10、第四章晶体缺陷,本章主要内容,1,教学内容,点缺陷,面缺陷,体缺陷的产生及扩散,2,基本要求,掌握点缺陷,位错,面缺陷与体缺陷,缺陷的扩散等,第四章晶体缺陷,完美晶体组成晶体的所有原子或离子都排列在晶格中,没有晶格空位,也没有间隙原子或离子。

11、1,第三章晶体结构缺陷,引言,在介绍晶体结构时,为了说明晶体的周期性和方向性,把晶体处理为完全理想状态,实际上晶体中存在着偏离理想的结构,晶体缺陷就是指实际晶体中与理想的点阵结构发生偏差的区域,这些区域的存在,并不影响晶体结构的基本特性,仅。

12、实在晶体结构中的位错,在实在的晶体结构中,位错线可能有哪一些柏氏矢量取决于两方面,一方面是位错线本身的能量,位错线能量和b2成正比,因而,位错线的柏氏矢量尽可能取最短的矢量,另一方面看,如果位错的拍氏矢量不是取点阵的平移矢量,使得位错线移动。

13、第39讲晶体结构与性质,第十二章物质结构与性质选考,第39讲晶体结构与性质第十二章物质结构与性质选考,考纲要求1.理解离子键的形成，能根据离子化合物的结构特征解释其物理性质。2.了解晶体的类型，了解不同类型晶体中结构微粒微粒间作用力的区别。。

14、第4章 硅锗晶体中的杂质和缺陷,半导体材料中的杂质和缺陷对其性质具有重要的影响。半导体硅锗器件的制做不仅要求硅锗材料是具有一定晶向的单晶，而且还要求单晶具有一定的电学参数和晶体的完整性。 单晶的电学参数通常是采用掺杂的方法，即在单晶生长过程。

15、材料加工金属学基础,主讲教师：王亚男,第4章 实际晶体结构中的位错,4.1 实际晶体中位错的分类4.2 实际晶体中位错的柏氏矢量4.3 位错反应4.4 面心立方晶体中的位错4.5 体心立方晶体中的位错4.6 密排六方晶体中的位错,4.1 实。

16、材料科学基础,第 二章 晶体缺陷,材料科学基础第 二章 晶体缺陷,晶体结构的特点是长程有序。结构基元或者构成物体的粒子原子离子或分子等完全按照空间点阵规则排列的晶体叫理想晶体。在实际晶体中，粒子的排列不可能这样规则和完整，而是或多或少地存在。

17、晶体缺陷与固态相变,主讲：崔占全 教授,导入案例,金属的理论剪切强度约为G为切变模量，而实际金属的剪切强度要比这个理论值低34个数量级，即相差几千到几万倍。例如：Fe的理论切应力为10960 MNm2,而实际切应力仅为2.75 MNm2。这。

18、第四章晶体缺陷,原子的不规则排列产生晶体缺陷,晶体缺陷在材料组织控制,如扩散,相变,和性能控制,如材料强化,中具有重要作用,晶体缺陷,实际晶体中与理想点阵结构发生偏差的区域,点缺陷,在三维空间各方向上尺寸都很小的缺陷,如空位,间隙原子,异类。

19、第4章 实际晶体结构中的位错,4.1 实际晶体中位错的分类4.2 实际晶体中位错的柏氏矢量4.3 位错反应4.4 面心立方晶体中的位错4.5 体心立方晶体中的位错4.6 密排六方晶体中的位错,4.1 实际晶体中位错的分类,简单立方晶体中位错。