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晶体结构缺陷

晶体结构缺陷,缺陷产生的原因定义意义缺陷分类,例,纤锌矿结构晶体,可以离开原位进入间隙,缺陷,特点,空位和间隙成对产生,晶体体积不变,缺陷,形成,缺陷的产生,点缺陷的符号表征,反应方程式,例,写出溶解在中缺陷反应方程式,用,离子晶体为例,空,1,第二章晶体结构缺陷,主讲,管登高博士后副教授硕导,2,

晶体结构缺陷Tag内容描述:

1、晶体结构缺陷,缺陷产生的原因定义意义缺陷分类,例,纤锌矿结构晶体,可以离开原位进入间隙,缺陷,特点,空位和间隙成对产生,晶体体积不变,缺陷,形成,缺陷的产生,点缺陷的符号表征,反应方程式,例,写出溶解在中缺陷反应方程式,用,离子晶体为例,空。

2、1,第二章晶体结构缺陷,主讲,管登高博士后副教授硕导,2,2,0总述2,1点缺陷2,2线缺陷2,3面缺陷与体缺陷2,4固溶体,第二章晶体结构缺陷,3,2,0总述,1,缺陷产生的原因热震动杂质2,缺陷定义实际晶体与理想晶体相比有一定程度的偏离。

3、第三章晶体结构缺陷,本章推荐参考书,崔国文编,缺陷,扩散与烧结,清华大学出版社B,Henderson著,范印哲译,晶体缺陷,高等教育出版社,3,1缺陷及其分类,实际的真实晶体中,在高于0K的任何温度下,都或多或少地存在着对理想晶体的偏离,这。

4、第三章晶体结构缺陷,一,晶体结构缺陷的类型,缺陷的类型,点缺陷,线缺陷,面缺陷,其特点是在三维方向上的尺寸都很小,缺陷的尺寸处在一,两个原子大小的级别,又称零维缺陷,例如空位,间隙原子和杂质原子等,其特点是仅在一维方向上的尺寸较大,而另外二。

5、晶体结构缺陷,点缺陷,点缺陷的名称,无机非金属材料中最重要也是最基本的结构缺陷是点缺陷,根据点缺陷相对于理想晶格位置的偏差状态,点缺陷具有不同的名称,填隙原子,或离子,指原子,或离子,进入正常格点位置之间的间隙位置,成为填隙原子,离子,空位。

6、第二章晶体结构缺陷,缺陷的含义,通常把晶体点阵结构中周期性势场的畸变称为晶体的结构缺陷,理想晶体,质点严格按照空间点阵排列,实际晶体,存在着各种各样的结构的不完整性,研究缺陷的意义,由于缺陷的存在,才使晶体表现出各种各样的性质,使材料加工。

7、本章要求掌握的主要内容,一,需掌握的概念和术语1,点缺陷,肖特基空位,弗仑克尔空位,间隙原子,置换原子2,线缺陷,刃型位错,螺型位错,混合型位错,柏氏矢量,位错运动,滑移,攀移,3,面缺陷,表面,界面,界面能,晶界,相界4,关于位错的应力场。

8、点缺陷,本节介绍以下内容,一,点缺陷的符号表征,符号二,缺陷反应方程式的写法,一,点缺陷的符号表征,符号,以,型化合物为例,空位,用来表示,符号中的右下标表示缺陷所在位置,含义即原子位置是空的,间隙原子,亦称为填隙原子,用,来表示,其含义为。

9、2,7半导体晶体中的掺杂缺陷电子缺陷,根据能带理论,当原子或离子紧密堆积形成晶体时,外层价电子是离域的,所有的价电子归整个晶格的原子所共有,外层电子,能量高,势垒穿透概率较大,可以在整个固体中运动,称为共有化电子,内层电子与原子核结合较紧。

10、2,5固溶体,将外来组元引入晶体结构,占据主晶相质点位置一部分或间隙位置一部分,仍保持一个晶相,这种晶体称为固溶体,即溶质溶解在溶剂中形成固溶体,也称为固体溶液,一,固溶体的分类二,置换型固溶体三,间隙型固溶体四,形成固溶体后对晶体性质的影。

11、第三节晶体结构缺陷,样品的场离子,显微分析照片,学习内容,点缺陷,固溶体,非化学计量化合物,固溶体的研究方法,线缺陷,位错,缺陷种类,点缺陷,最简单的晶体缺陷,在结点上或邻近的微观区域内偏离晶体结构的正常排列,在空间三维方向上的尺寸都很小。

12、晶体结构缺陷StructureDefectsofCrystal,本章学习要点,1,缺陷的分类及热缺陷浓度计算公式2,缺陷的符号3,缺陷的方程式及缺陷的化学式4,固溶体的分类及置换型固溶体影响因素5,刃位错的理论,晶体结构缺陷,实际的真实晶体。

13、太原科技大学材料学院研究生课程,材料物理第二章,材料的结构缺陷,非化学计量化合物,田玉明太原科技大学材料学院,实际的化合物中,有一些化合物不符合定比定律,负离子与正离子的比例并不是一个简单的固定的比例关系,这些化合物称为非化学计量化合物,非。

14、无机材料物理化学,主讲,专业基础教研室朱振峰教授,陕西科技大学材料科学与工程学院,课件制作,朱振峰秦本正胡秀兰,绪论,硅物化,工艺,指导,补充完善,理论角度,制造角度,奠定工艺基础提供理论依据专业理论训练,奠定工业基础工程实际训练,一,问题。

15、第四章晶体结构缺陷,1,缺陷的定义,通常把晶体点阵结构中周期性势场的畸变称为晶体的结构缺陷,2,理想晶体,质点严格按照空间点阵排列的晶体,3,实际晶体,存在着各种各样的结构的不完整性的晶体,4,晶体缺陷对材料性能的影响,点缺陷与材料的电学性。

16、2,3晶体结构缺陷,主要内容1,点缺陷,类型,点缺陷表示法以及方程式的写法,2,线缺陷,位错的基本类型,位错的运动,3,面缺陷,晶界与亚晶界,总述1,缺陷产生的原因热震动,杂质2,缺陷定义实际晶体与理想晶体相比有一定程度的偏离或不完美性,把。

17、第二章晶体的结构缺陷,概述,1,晶体结构缺陷是造成晶格点阵畸变的因素,2,缺陷的分类,按缺陷大小,形状和作用范围可把缺陷分为三类,点缺陷,在三维方向上尺度都很小的缺陷,线缺陷,一维方向上的缺陷,在其它两维方向上尺度都很小,面缺陷,在两维方向。

18、第二章晶体的结构缺陷,本章内容,2,1晶体的点缺陷2,2晶体的线缺陷2,3晶体的面缺陷2,4固溶体,2,4固溶体,一,固溶体的概念二,固溶体的分类三,置换型固溶体四,间隙型固溶体五,形成固溶体后对晶体性质的影响六,固溶体的研究方法,固溶体。

19、晶体结构缺陷Structure Defects of Crystal,晶体结构缺陷课件,本章学习要点,1缺陷的分类及热缺陷浓度计算公式2缺陷的符号3缺陷的方程式及缺陷的化学式4固溶体的分类及置换型固溶体影响因素5刃位错的理论,本章学习要点1。

20、无机材料物理化学,主讲,专业基础教研室朱振峰教授,陕西科技大学材料科学与工程学院,课件制作,朱振峰秦本正胡秀兰,绪论,硅物化,工艺,指导,补充完善,理论角度,制造角度,奠定工艺基础提供理论依据专业理论训练,奠定工业基础工程实际训练,一,问题。

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