晶体管的模型

1、集成电路设计技术与工具,第五章 集成电路元器件及其SPICE模型,基本要求,掌握集成电阻集成电容和集成电感等无源器件的SPICE模型，掌握二极管的电路模型和噪声模型，掌握双极型晶体管EM模型和GP模型，掌握MOS场效应晶体管的MOS1模型和。

2、第三章,双极型晶体管,3,1基本原理3,2IV特性3,3晶体管模型3,4频率特性3,5功率特性3,6开关特性3,7异质结晶体管HBT,简介,双极型器件是电子和空穴两种载流子都参与导电的半导体器件从P,N结理论的讨论中已知电流输运是由电子和空。

3、实验五低噪声放大器的设计制作与调试,一,实验目的,了解低噪声放大器的工作原理及设计方法,学习使用ADS软件进行微波有源电路的设计,优化,仿真,掌握低噪声放大器的制作及调试方法,二,实验内容,了解微波低噪声放大器的工作原理,使用ADS软件设计。

4、实验五低噪声放大器的设计制作与调试,一,实验目的,了解低噪声放大器的工作原理及设计方法,学习使用ADS软件进行微波有源电路的设计,优化,仿真,掌握低噪声放大器的制作及调试方法,二,实验内容,了解微波低噪声放大器的工作原理,使用ADS软件设计。

5、低噪声放大器的设计制作与调试,一,实验目的,了解低噪声放大器的工作原理及设计方法,学习使用ADS软件进行微波有源电路的设计,优化,仿真,掌握低噪声放大器的制作及调试方法,二,实验内容,了解微波低噪声放大器的工作原理,使用ADS软件设计一个低。

6、实验五低噪声放大器的设计制作与调试,一,实验目的,了解低噪声放大器的工作原理及设计方法,学习使用ADS软件进行微波有源电路的设计,优化,仿真,掌握低噪声放大器的制作及调试方法,二,实验内容,了解微波低噪声放大器的工作原理,使用ADS软件设计。

7、实验五低噪声放大器的设计制作与调试,一,实验目的,了解低噪声放大器的工作原理及设计方法,学习使用ADS软件进行微波有源电路的设计,优化,仿真,掌握低噪声放大器的制作及调试方法,二,实验内容,了解微波低噪声放大器的工作原理,使用ADS软件设计。

8、实验五低噪声放大器的设计制作与调试,一 实验目的,了解低噪声放大器的工作原理及设计方法。学习使用ADS软件进行微波有源电路的设计，优化，仿真。掌握低噪声放大器的制作及调试方法。,二 实验内容,了解微波低噪声放大器的工作原理。使用ADS软件设。

9、封面,晶体管高频小信号等效电路与参数,西藏圣湖玛旁雍错湖畔牧场,返回,引言,本页完,引言,晶体管在高频小信号运用时,它的等效电路主要有两种形式,形式等效电路和物理模拟等效电路,混合参数等效电路,返回,形式等效电路通常亦称为y参数等效电路,是。

10、1,放大电路的分析方法,等效电路分析法,2,等效电路分析法宗旨,线性化,晶体管特性的非线形使电路分析复杂化,因此,我们总是对它作近似处理,在一定的条件下把它线性化,这是引出等效电路的指导思想,这种方法把电路理论与晶体管的特性结合起来,能有效。

11、封面,晶体管高频小信号等效电路与参数,西藏圣湖玛旁雍错湖畔牧场,返回,引言,本页完,引言,晶体管在高频小信号运用时,它的等效电路主要有两种形式,形式等效电路和物理模拟等效电路,混合参数等效电路,返回,形式等效电路通常亦称为y参数等效电路,是。

12、第2章双极型晶体管及其放大电路,21双极型晶体管的工作原理22晶体管伏安特性曲线及参数23晶体管工作状态分析及偏置电路24放大器的组成及其性能指标25放大器图解分析法26放大器的交流等效电路分析法27共集电极放大器和共基极放大器28放大器的。

13、第2章双极型晶体管及其放大电路,21双极型晶体管的工作原理22晶体管伏安特性曲线及参数23晶体管工作状态分析及偏置电路24放大器的组成及其性能指标25放大器图解分析法26放大器的交流等效电路分析法27共集电极放大器和共基极放大器28放大器的。

14、第2章双极型晶体管及其放大电路,21双极型晶体管的工作原理22晶体管伏安特性曲线及参数23晶体管工作状态分析及偏置电路24放大器的组成及其性能指标25放大器图解分析法26放大器的交流等效电路分析法27共集电极放大器和共基极放大器28放大器的。

15、第三章SPICE中的器件模型,集成电路模拟程序SPICESPICE在集成电路的晶体管级模拟方面,成为工业标准的模拟程序,集成电路设计工程,特别是模拟和模拟数字混合信号集成电路设计工程师必须掌握SPICE的应用,下面重点给出无源集成元器件的S。

16、封面,晶体管的高频等效电路,广州白云山红叶,返回,引言,从晶体管的物理结构出发,考虑发射结和集电结电容的影响,就可以得到在高频信号作用下的物理模型,称为混合模型,由于晶体管的混合模型与第二章介绍的h参数模型在低频信号作用下具有一致性,因此。

17、封面,晶体管的高频等效电路,广州白云山红叶,返回,引言,从晶体管的物理结构出发,考虑发射结和集电结电容的影响,就可以得到在高频信号作用下的物理模型,称为混合模型,由于晶体管的混合模型与第二章介绍的h参数模型在低频信号作用下具有一致性,因此。

18、双极晶体管模型和模型参数,西安电子科技大学微电子学院年月,双极晶体管模型和模型参数,一,概述二,模型,三,模型四,模型五,和中的模型参数六,其他效应的考虑七,获取晶体管模型参数的基本方法,双极晶体管模型和模型参数,一,概述,电路中的有源器件。

19、MOS与双极型晶体管的比较,本讲内容,MOS晶体管模型双极型晶体管模型MOS与双极型晶体管的比较,从双极型到MOS晶体管的过度,SIA预测的集成电路工艺发展,Moore定律,ISSCC2005论文的分布情况,不同工艺条件下采用MPW方式加工。

20、第五章集成无源器件及模型,引言,集成无源器件及模型,二极管及其模型,双极型晶体管及其模型,场效应晶体管及其模型,模型参数提取技术,引言,集成电路可以认为是由元器件组成的,元件,如电阻,电容,电感等结构简单,性能可用一个简单方程描述的单元,器。