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4、第三章双极结型晶体管,双极结型晶体管的结构基本工作原理理想双极结型晶体管中的电流传输爱伯斯,莫尔方程缓变基区晶体管基区扩展电阻和电流密聚基区宽度调变效应晶体管的频率响应混接型等效电路晶体管的开关特性击穿电压,1947,12,23日第一只点接。
5、第三章双极结型晶体管,双极结型晶体管的结构基本工作原理理想双极结型晶体管中的电流传输爱伯斯,莫尔方程缓变基区晶体管基区扩展电阻和电流密聚基区宽度调变效应晶体管的频率响应混接型等效电路晶体管的开关特性击穿电压P,N,P,N结构异质结双极晶体管。
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7、部分习题解答,部分物理常数,第章,在区耗尽区中,高斯定理为,取一个圆柱形体积,底面在结的冶金结面,即原点,处,面积为一个单位面积,顶面位于,处,则由高斯定理可得,当,时,因此,于是得,结的正向扩散电流为,式中的因含而与温度关系密切,因此正向。
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12、第三章,双极型晶体管,3,1基本原理3,2IV特性3,3晶体管模型3,4频率特性3,5功率特性3,6开关特性3,7异质结晶体管HBT,简介,双极型器件是电子和空穴两种载流子都参与导电的半导体器件从P,N结理论的讨论中已知电流输运是由电子和空。
13、第三章双极型晶体管的直流特性,内容,3,1双极晶体管基础,3,2均匀基区晶体管的电流放大系数,3,3缓变基区晶体管的电流放大系数,3,4双极晶体管的直流电流电压方程,3,5双极晶体管的反向特性,3,6基极电阻,3,1双极晶体管的基础,由两个。
14、3,4,3,5,双极型晶体管模型缓变基区晶体管,一缓变基区晶体管,这个电场沿着杂质浓度增加的方向,有助于电子在大部分基区范围内输运这时电子通过扩散和漂移越过基区薄层,致使输运因子增加,实际晶体管杂质分布是不均匀的,缓变的发射区掺杂对晶体管性。
15、异质结双极型晶体管,本章内容,的理论基础,的制作方法与结构,典型结构的性能,的应用展望,的理论基础,年,提出了宽禁带材料作晶体管发射结的原理年,若发射区材料的禁带宽度大于基区的禁带宽度,可获得很高的注入比年,利用液相外延方法制成了异质结双极。
16、缓变基区晶体管,基区掺杂近似为指数分布,少子在基区主要作漂移运动,又称为漂移晶体管,缓变基区晶体管的电流放大系数,本节以管为例,结电压为与,本节求基区输运系数的思路,进而求出基区渡越时间,将代入少子电流密度方程,求出,与,令基区多子电流密度。
17、化合物半导体器件Compound Semiconductor Devices微电子学院戴显英2013.9,第四章 异质结双极型晶体管,HBT的基本结构HBT的增益HBT的频率特性先进的HBT,4.1 HBT的基本结构,4.1.1 HBT的基。
18、第二章双极型晶体管的直流特性,晶体管分类,结型晶体管又称双极型晶体管,场效应晶体管,又称单极型晶体管,两者复合如绝缘栅双极型晶体管,半导体三极管的型号,国家标准对半导体三极管的命名如下,第二位,锗管,锗管,硅管,硅管,第三位,低频小功率管。
19、1,微电子器件原理,第4章双极型晶体管的功率特性,哈尔滨工业大学,威海,微电子中心罗敏cn,TEL,5687574,804,2,第4章双极型晶体管的功率特性,大功率晶体管工作在高电压和大电流条件下,电流增益和特征频率等比直流情况下会显著下降。
