硅外延生长要点课件

1、半导体材料,III,V族化合物半导体的外延生长,第七章III,V族化合物半导体的外延生长,内容提要,气相外延生长VPE卤化物法氢化物法金属有机物气相外延生长MOVPE液相外延生长LPE分子束外延生长MBE,气相外延生长,气相外延生长,vap。

2、半导体材料,2,第五章硅外延生长,5.1外延生长概述外延生长用来生长薄层单晶材料，即薄膜外延生长：在一定条件下，在单晶衬底上，生长一层合乎要求的单晶层的方法。生长的这层单晶叫外延层。厚度为几微米,3,外延生长分类,根据外延层性质,正外延：器。

3、半导体材料,陈易明e,mail,第5章硅外延生长,只有体单晶材料不能满足日益发展的各种半导体器件制作的需要,1959年末开发了薄层单晶材料生长技术外延生长,外延生长就是在一定条件下,在经过切,磨,抛等仔细加工的单晶衬底上,生长一层合乎要求的。

4、3,3矩形介质波导,懒掸临敬叫尊闲胸蚤岛碰镭埂金猿耗趴缝叫碧惑棋缝订曰炳萌滔沼腥阂划半导体光电子学课件下集3,3矩形介质波导及外延生长半导体光电子学课件下集3,3矩形介质波导及外延生长,矩形介质波导在二维上都存在折射率波导效应有效折射率法变。

5、半导体材料,2,第五章硅外延生长,5,1外延生长概述外延生长用来生长薄层单晶材料,即薄膜外延生长,在一定条件下,在单晶衬底上,生长一层合乎要求的单晶层的方法,生长的这层单晶叫外延层,厚度为几微米,3,外延生长分类,根据外延层性质,正外延,器。

6、在单晶衬底上淀积单晶薄膜的工艺称为外延,集成电路中的各种器件通常就是做在外延层上的,第章外延生长,大多数的外延工艺都可利用各种技术来实现,例如,快速热处理,金属有机物,超高真空,以及激光,可见光,射线辅助等,有些外延工艺则可以利用蒸发技术来。

7、第十一章半导体材料制备,生长技术,体单晶生长技术单晶生长通常利用籽晶在熔融高温炉里拉伸得到的体材料,半导体硅的单晶生长可以获得电子级,99,999999,的单晶硅外延生长技术外延指在单晶衬底上生长一层新单晶的技术,新生单晶层的晶向取决于衬底。

8、半导体材料,2,第五章硅外延生长,5.1外延生长概述外延生长用来生长薄层单晶材料，即薄膜外延生长：在一定条件下，在单晶衬底上，生长一层合乎要求的单晶层的方法。生长的这层单晶叫外延层。厚度为几微米,3,外延生长分类,根据外延层性质,正外延：器。

9、第七章外延,外延,是指在单晶衬底,如硅片,上,按衬底晶向生长单晶薄膜的工艺过程,生长有外延层的硅片称为外延片,作业1,同质外延,生长的外延层和衬底是同一种材料,异质外延,外延生长的薄膜与衬底材料不同,或者生长化学组分,物理结构与衬底完全不同。

10、第十一章 半导体材料制备,生长技术,体单晶生长技术 单晶生长通常利用籽晶在熔融高温炉里拉伸得到的体材料 ，半导体硅的单晶生长可以获得电子级99.999999的单晶硅 外延生长技术 外延指在单晶衬底上生长一层新单晶的技术。 新生单晶层的晶向取。

11、第五章 硅外延生长,5.1外延生长的概述,定义:外延 epitaxy：是在单晶衬底上，按衬底晶向生长一层单晶层的技术。新生单晶层按衬底晶相延伸生长，并称此为外延层。长了外延层的衬底称为外延片。,分类,根据结构 同质外延:外延层材料与衬底材料。

12、Company Confidential,1,Do Not Copy,外延工艺简介,By赵仲镛杭州士兰集成电路有限公司杭州经济技术开发东区10号路308号Hangzhou Silan Integrated Circuit Co., Ltd。。

13、半导体材料制备,生长技术,体单晶生长技术 单晶生长通常利用籽晶在熔融高温炉里拉伸得到的体材料 ，半导体硅的单晶生长可以获得电子级99.999999的单晶硅 外延生长技术 外延指在单晶衬底上生长一层新单晶的技术。 新生单晶层的晶向取决于衬底，。

14、第六章 外延生长Epitaxial Growth,外延生长Epitaxial Growth工艺, 概述 气相外延生长的热动力学 外延层的掺杂与缺陷 硅气相外延工艺 小结,参考资料：微电子制造科学原理与工程技术第14章电子讲稿中出现的图号是该。

15、第七章外延,外延,是指在单晶衬底,如硅片,上,按衬底晶向生长单晶薄膜的工艺过程,生长有外延层的硅片称为外延片,同质外延,生长的外延层和衬底是同一种材料,异质外延,外延生长的薄膜与衬底材料不同,或者生长化学组分,物理结构与衬底完全不同的外延层。

16、集成电路制造技术原理与工艺,第3章外延,Epita,y,3,1概述外延概念,在微电子工艺中,外延,epita,y,是指在单晶衬底上,用物理或化学的方法,按衬底晶向生长,排列,单晶薄膜的工艺过程,新排列生长的晶体薄膜称为外延层,有外延层的硅片。

17、外延生长,Epita,ialGrowth,工艺,概述气相外延生长的热动力学外延层的掺杂与缺陷硅气相外延工艺小结,参考资料,微电子制造科学原理与工程技术第14章,电子讲稿中出现的图号是该书中的图号,一,概述,按衬底晶相延伸生长的新生单晶薄层外。

18、外延工艺简介,赵仲镛杭州士兰集成电路有限公司杭州经济技术开发东区号路号,什么叫外延生长,硅外延的基本原理外延设备及所用的气体在外延中应注意的问题外延层中的晶体缺陷外延的质量表征因子外延层测试设备目前国内外延的动态从事外延工作人员应具备的基本。

19、半导体材料,IIIV族化合物半导体的外延生长,第七章IIIV族化合物半导体的外延生长,内容提要：气相外延生长VPE 卤化物法 氢化物法 金属有机物气相外延生长MOVPE液相外延生长LPE分子束外延生长MBE,气相外延生长,气相外延生长vap。

20、第五章分子束外延,分子束外延,MolecularBeamEpita,y,简称MBE,是晶体薄膜的一种外延生长技术,是指在清洁的超高真空,UHV,环境下,使具有一定热能的一种或多种分子,原子,束流喷射到晶体衬底,在衬底表面发生反应的过程,由于。