功率场效应晶体管ppt课件

1、第一章电力半导体器件,电力电子器件概述,功率二极管,晶闸管,可关断晶闸管,电力晶体管,功率场效应晶体管,绝缘栅双极型晶体管,电力电子器件散热,串并联及缓冲保护,功率场效应晶体管全控型,的结构与工作原理,的基本特性,的主要参数,的安全工作区。

2、第二章全控型电力电子器件,主编,第一节门极关断晶闸管,一,GTO的结构与特点门极关断晶闸管的结构与普通晶闸管相似,也为PNPN四层半导体结构,三端,阳极A,阴极K,门极G,器件,其内部结构,等效电路及符号如图21所示,图2,1GTO的内部结。

3、第一章电力半导体器件,电力电子器件概述,功率二极管,晶闸管,可关断晶闸管,电力晶体管,功率场效应晶体管,绝缘栅双极型晶体管,电力电子器件散热,串并联及缓冲保护,功率场效应晶体管全控型,的结构与工作原理,的基本特性,的主要参数,的安全工作区。

4、11,第三章 电力场效应晶体管,电力MOSFET的种类按导电沟道可分为P沟道和N沟道。 耗尽型当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道。 增强型对于NP沟道器件，栅极电压大于小于零时才存在导电沟道。电力MOSFET主要是N沟道增强型。,1电。

5、4.1 MOS结构与基本性质4.1.1 理想MOS结构与基本性质,MOS结构指金属氧化物半导体结构。为便于讨论，规定在金属栅上所加电压UG相对于P型半导体衬底为正，称为正向偏置电压;反之则为反向偏置电压。,MOS 二极管结构 a 透视图 b。

6、4章半导体二极管和晶体管2010,02,4,5场效应半导体晶体管,4,5,2绝缘栅场效应晶体管,4,5,1结型场效应晶体管,4,5,3场效应晶体管的参数和型号,4章半导体二极管和晶体管2010,02,双极型晶体管是由两种载流子参与导电的半导。

7、智能手机检测与维修,项目一 手机基本原理与拆装,掌握移动通信原理手机的基本工作原理，了解和掌握手机与基站间是如何进行通信的，手机是如何拨通的，手机的通话内容是如何进行加密的等基础性内容。,一移动台的构成,1.移动台结构框图2. SIM卡,1。

8、书名,模拟电子技术ISBN,7,111,19596,5作者,刘振庭出版社,机械工业出版社本书配有电子课件,本章首先简要介绍了半导体的基础知识以及半导体器件的核心部分,PN结,然后重点介绍了半导体二极管,晶体管和场效应晶体管的物理结构,工作原。

9、功率场效应管在PDP驱动电路中的应用,康佳集团梁宁,2004年11月15日,务凛泅涯五硅里挝截衔忠锤责袁唁绣扫陕羽疏捆他插烷辟勿叔慷尾顽奏纽功率场效应管在PDP驱动电路中的应用功率场效应管在PDP驱动电路中的应用,等离子电视,PDP,是利用。

10、杨淑英合肥工业大学电气与自动化工程学院,安徽省高等学校精品课程,电力电子技术,PowerElectronicTechnology,上次课主要内容回顾,上次课主要内容回顾,上次课主要内容回顾,晶闸管工作特性,承受反向电压时,不论门极是否有触发。

11、浓仇辜卉腑椎侮滋圆挽惯艳足掀蛇潘刹痔烘歇米左那裔轴撕堡框股倚孽滓实验14MOS场效应晶体管Kp,F的测试,ppt实验14MOS场效应晶体管Kp,F的测试,ppt,怯茸杏副枯驾索蹲荧六止镭歇割咏蓉侨近谢疑滦悠体房换膳楼抢耽镶计花实验14MOS。

12、与器件基础,都是目前集成电路中广泛使用的半导体器件,可以与,双极晶体管,兼容,可用作恒流源及差分放大器等单元电路,而是目前微波集成电路广泛采用的器件结构,是靠静电感应电荷控制沟道电荷量,与依靠势垒的空间电荷区扩展来控制沟道的变化,依靠结空间。

13、微电子学概论,第二章半导体物理与器件,半导体物理学刘恩科等著国防工业出版社半导体物理学叶良修高等教育出版社半导体物理与器件,第版,美,著,赵毅强等译半导体器件物理与工艺,美,施敏,著,王阳元等译,导论半导体及其基本特性半导体中的载流子半导体。

14、任课教师,傅雅萍,电力电子技术,绪论,电力电子技术是电力,电子和控制技术相结合的边缘学科,自1958年第一个工业用普通晶闸管诞生以来,电力电子技术有了很大的发展,由各种电力电子器件组成的功率变换装置应用于从航空航天到家用电器的各个领域,绪论。

15、电力电子技术,第章电力电子器件及应用,晶闸管,可关断晶闸管,电力晶体管,电力电子器件基础,电力电子器件的特点与分类,功率二极管,功率场效应晶体管,绝缘栅双极型晶体管,其它新型电力电子器件,电力电子器件的发展趋势,电力电子器件应用共性问题,总。

16、开关电源推选文档,开关电源推选文档,课题四 开关电源,PC主机开关电源的基本作用就是将交流电网的电能转换为适合各个配件使用的低压直流电供给整机使用。一般有四路输出，分别是5V5V12V12V。 电路的原理框图如图43所示，输入电压为AC22。

17、第章结型场效应晶体管,第章结型场效应晶体管,概念,器件的特性,非理想因素,等效电路和频率限制,高电子迁移率晶体管,概念内容,基本原理,基本原理结型场效应管分类,由肖特基势垒整流接触结制成,所用知识,半导体材料,结,肖特基势垒二极管,基本概念。

18、1.4场效应晶体管,FieldEffect Transistors FETs,内容提要,1.4.1结型场效应管,原理输出特性与转移特性1.4.2绝缘栅型场效应管,原理输出特性与转移特性1.4.3场效应管的主要参数1.4.5场效应管与晶体管的。

19、第三章电力场效应晶体管,分为结型和绝缘栅型通常主要指绝缘栅型中的型,简称电力,结型电力场效应晶体管一般称作静电感应晶体管,特点用栅极电压来控制漏极电流驱动电路简单,需要的驱动功率小,开关速度快,工作频率高,热稳定性优于,电流容量小,耐压低。

20、Modern Semiconductor Devices for Integrated Circuits C. Hu,Slide 71,Chapter 7 MOSFETs in ICs Scaling, Leakage, and Other。