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3、与器件基础,都是目前集成电路中广泛使用的半导体器件,可以与,双极晶体管,兼容,可用作恒流源及差分放大器等单元电路,而是目前微波集成电路广泛采用的器件结构,是靠静电感应电荷控制沟道电荷量,与依靠势垒的空间电荷区扩展来控制沟道的变化,依靠结空间。
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5、功率场效应管在PDP驱动电路中的应用,康佳集团梁宁,2004年11月15日,务凛泅涯五硅里挝截衔忠锤责袁唁绣扫陕羽疏捆他插烷辟勿叔慷尾顽奏纽功率场效应管在PDP驱动电路中的应用功率场效应管在PDP驱动电路中的应用,等离子电视,PDP,是利用。
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7、4章半导体二极管和晶体管2010,02,4,5场效应半导体晶体管,4,5,2绝缘栅场效应晶体管,4,5,1结型场效应晶体管,4,5,3场效应晶体管的参数和型号,4章半导体二极管和晶体管2010,02,双极型晶体管是由两种载流子参与导电的半导。
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9、任课教师,傅雅萍,电力电子技术,绪论,电力电子技术是电力,电子和控制技术相结合的边缘学科,自1958年第一个工业用普通晶闸管诞生以来,电力电子技术有了很大的发展,由各种电力电子器件组成的功率变换装置应用于从航空航天到家用电器的各个领域,绪论。
10、4.1 MOS结构与基本性质4.1.1 理想MOS结构与基本性质,MOS结构指金属氧化物半导体结构。为便于讨论,规定在金属栅上所加电压UG相对于P型半导体衬底为正,称为正向偏置电压;反之则为反向偏置电压。,MOS 二极管结构 a 透视图 b。
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12、章节课题第章变频器常用电力电子器件,课时教学目的,了解功率二极管,晶闸管,的外形和器件符号,掌握功率二极管,晶闸管,的主要参数,会使用万用表检测功率二极管,晶闸管,的好坏和判别极性,重点难点重点,功率二极管,晶闸管,的主要参数,难点,使用万。
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15、书名,模拟电子技术ISBN,7,111,19596,5作者,刘振庭出版社,机械工业出版社本书配有电子课件,本章首先简要介绍了半导体的基础知识以及半导体器件的核心部分,PN结,然后重点介绍了半导体二极管,晶体管和场效应晶体管的物理结构,工作原。
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17、电力电子技术,第章电力电子器件及应用,晶闸管,可关断晶闸管,电力晶体管,电力电子器件基础,电力电子器件的特点与分类,功率二极管,功率场效应晶体管,绝缘栅双极型晶体管,其它新型电力电子器件,电力电子器件的发展趋势,电力电子器件应用共性问题,总。
18、微电子学概论,第二章半导体物理与器件,半导体物理学刘恩科等著国防工业出版社半导体物理学叶良修高等教育出版社半导体物理与器件,第版,美,著,赵毅强等译半导体器件物理与工艺,美,施敏,著,王阳元等译,导论半导体及其基本特性半导体中的载流子半导体。
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20、第二章全控型电力电子器件,主编,第一节门极关断晶闸管,一,GTO的结构与特点门极关断晶闸管的结构与普通晶闸管相似,也为PNPN四层半导体结构,三端,阳极A,阴极K,门极G,器件,其内部结构,等效电路及符号如图21所示,图2,1GTO的内部结。