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二次离子质谱分析

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2、第六章,半导体材料的测试分析,半导体单晶材料性能的评价,晶体的结构完整性,晶向,晶格缺陷,位错密度,识别,密度,分布,络合物的特征,组分分析,材料的化学成分及配比,掺杂原子性质,浓度及其分布,氧碳含量,重金属杂质等,导电性能,导电类型,电阻。

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4、The Technology Of Focused Ion Beam FIB,聚焦离子束微纳加工技术邢卓学号:2013202020072指导老师:任峰,集成电路制造中的三束技术,电子束技术,光子束技术,离子束技术,具有极高的分辨率,可制作最。

5、第十四章其它显微分析方法简介,本章简要介绍几种表面分析仪器和技术,离子探针分析仪,或二次离子质谱仪,低能电子衍射,俄歇电子能谱仪,场离子显微镜,和原子探针,射线光电子能谱仪,扫描隧道显微镜,与原子力显微镜,可提供,表面几个原子层的化学成分。

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11、西南交通大学,山岭隧道课程第五章支护结构设计龚伦制作,龚伦讲师,制嘴晤臆盒哎堪鄂筛藻挪钱巍菌叔甘巫梦俐糠随谨惠碧邑轨柜祖酗抽脉仔复合式衬砌结构设计,课件,复合式衬砌结构设计,课件,荷载结构模式计算方法地层结构模式计算方法复合式衬砌结构设计单。

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13、质谱分析技术原理与应用台湾质谱学会编著,演讲人,202x1111,第1章一种功能强大的分析仪器质谱仪,英汉名词对照索引,附录maldi基质分子及其用途,第二部分质谱分析技术应用,第一部分质谱分析技术基本原理,目录,01,第1章一种功能强大的。

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15、第五章质谱分析,概述,质谱分离原理,质谱仪的基本结构,无机物的质谱分析,质谱仪的主要性能指标,色谱,质谱联用,光谱,质谱联用,娠躬牌扳蚤楔收海萎茬索叉棺浇奔农宝豹诣絮稚搓凉鸵峦蒂湘射舷饮蹭授第五章质谱分析简第五章质谱分析简,概述,一,质谱仪。

16、SICC,EAGChina成立在2005年8月,从2008年7月,EAGChina在上海增加了SIMS服务,目前拥有3台SIMS,1台Auger。将于2012年安装第4台SIMS以及XPS和SEM。2013年初将安装第一台GDMS设备。EA。

17、第7章 测量学和缺陷检查,7.1 集成电路测量学,集成电路测量学是测量制造工艺的性能以确保达到质量规范标准的一种必要的方法。为了完成这种测量,需要样片测量设备和分析数据的方法。 传统上,数据是在监控片又称样片上收集,样片是空白或无图形的硅片。

18、材料学中常用的分析方法Instrumental Analysis in Materials Science,北京科技大学材料科学学院 唐伟忠 Tel: 6233 4144 Email: ,第三讲,二次离子质谱或称离子探针火花放电质谱辉光放电。

19、能源材料,1,新型二次电池及材料,镍氢电池,锂离子电池,主要内容,1,二次电池简介,2,镍氢二次电池,包括原理,结构,工艺及应用现状,3,锂离子二次电池,包括原理,结构,工艺及应用现状,1,1二次电池简介,一次电池或原电池,电池能放电,当电。

20、二次离子质谱,质谱分析是将样品转化为运动的带电气态离子碎片,于磁场中按质荷比,大小分离并记录的分析方法,其过程为可简单描述为,离子源轰击样品,带电荷的碎片离子,电场加速,获得动能,磁场分离,检测器记录,其中,为电荷数,为电子电荷,为加速电压。

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