单晶制绒

1、王峰鲁东大学化学与材料科学学院,材料合成与制备,第一章单晶材料的制备第二章非晶态材料的制备第三章薄膜的制备第四章功能陶瓷的合成与制备第五章结构陶瓷的制备,目录,单晶,singlecrystal,即结晶体内部的微粒在三维空间呈有规律地,周期性。

2、单晶电子衍射花样的标定,单晶电子衍射花样的标定,PPT32页,单晶电子衍射花样的标定,PPT32页,目录,一,单晶电子衍射花样优缺点,特征及分类,二,单晶电子衍射花样主要标定方法,三,单晶电子衍射花样标定实例,单晶电子衍射花样的标定,PPT。

3、Preface,单晶,singlecrystal,晶体是经过结晶过程而形成的具有规则的几何外形的固体,晶体中原子或分子在空间按一定规律周期性重复的排列,所谓单晶,即结晶体内部的微粒在三维空间呈有规律地,周期性地排列,或者说晶体的整体在三维方。

4、第4章硅,锗晶体中的杂质和缺陷,半导体材料中的杂质和缺陷对其性质具有重要的影响,半导体硅,锗器件的制做不仅要求硅,锗材料是具有一定晶向的单晶,而且还要求单晶具有一定的电学参数和晶体的完整性,单晶的电学参数通常是采用掺杂的方法,即在单晶生长过。

5、介质的磁化,磁介质顺磁质和抗磁质的磁化,传导电流产生,与介质有关的电流产生,顺磁质,抗磁质,铁磁质,锰,铬,铂,氮,水银,铜,硫,氢,金,铁,镍,钴,铁氧体,相对磁导率,顺磁质试件向右摆动,顺磁质试件向右摆动,抗磁质磁化后试件的极性,近代科。

6、半导体材料,徐桂英材料学院无机非金属材料系,第5章,半导体材料的制备,第5章,半导体材料的制备,为了满足第四章所提出的要求,以保证半导体器件的需要,发展了一系列的半导体材料制备工艺,其中大部分已在工业规模范围内得到实现,这些工艺大体可分为提。

7、1,第二章单晶生长技术,2,由原子,分子或离子等微粒在空间按一定规律,周期性重复排列所构成的长程有序的固体物质,非晶态结构示意图,晶态结构示意图,2,0晶体知识回顾,1,晶体定义,3,2,晶体的特性,1,晶体的均匀性与各向异性,晶体的一些与。

8、第3章硅半导体材料基础,3,1半导体材料概述3,1,1半导体材料发展根据物质的导电性质,将它们分为导体,绝缘体和介于两者之间的半导体三大类,1947年锗晶体管的诞生引起了电子工业的革命,打破了电子管一统天下的局面,从此人类从使用电子管的时代。

9、1,直拉单晶硅工艺技术,主讲教师,裴迪石油化工学院,第二章直拉单晶炉,直拉单晶炉是用于直拉法单晶生长的设备,炉子分两部分组成,机械部分和电控系统,炉体为一带水套的不锈钢炉室,其内装有由石墨加热器和石墨保温套构成的热场,籽晶轴和坩埚轴分别从炉。

10、第二节硅片制备中的热工设备,单晶炉和多晶硅铸锭炉,一,单晶炉,目前在所有安装的太阳电池中,超过90,以上的是晶体硅太阳电池,因此位于产业链前端的硅锭片的生产对整个太阳电池产业有着很重要的作用,太阳电池硅锭主要有单晶硅锭和多晶硅锭,这两种硅锭。

11、1,普通降温法生长单晶是溶液法制备单晶中最简单的一种,适合实验室制备单晶,最初用于生长二磷酸腺甙,ADP,1947年英国人托德合成,一种人工生物单晶体,磷酸二氢钾,KDP,磷酸二氘钾,DKDP,等的单晶体,KDP和DKDP晶体均具有光电子性。

12、单晶制绒工艺培训,工艺部,主要内容,制绒目的制绒原理RENA制绒工艺流程工艺常见问题以及解决方法制绒工序岗位职责注意事项,制绒目的,消除表面硅片表面有机沾污,HF,和金属杂质,HCL,去除硅片表面的机械损伤层,减少表面复合中心在硅片表面形成。

13、单晶制绒作业指导书赛维LDK太阳能高科技有限公司文件编号文件名称单晶制绒作业指导书生效日期页码第1页共5页1,目的为LDK电池生产线单晶制绒工序的作业提供标准的操作指导,使单晶制绒工序的生产操作管理规范化,标准化,2,范围适用于LDK电池生。

14、硅片制绒工艺,zhejianguniversity,制备绒面的目的减少光的反射率,提高短路电流,以致提高光电转换效率陷光原理当光入射到一定角度的斜面,光会反射到另一角度的斜面,形成二次或者多次吸收,从而增加吸收率,绒面光学原理,单晶制绒,单。

15、1,硅片的清洗与制绒,电池技术部2008年12月,2,硅片的化学清洗,由硅棒,硅锭或硅带所切割的硅片,表面可能沾污的杂质可归纳为三类,油脂,松香,蜡,聚乙二醇等有机物,金属,金属离子及一些无机化合物,尘埃及其他颗粒,硅,碳化硅,等,硅片表面。

16、1,硅片的清洗与制绒,电池技术部2008年12月,2,硅片的化学清洗,由硅棒,硅锭或硅带所切割的硅片,表面可能沾污的杂质可归纳为三类,油脂,松香,蜡,聚乙二醇等有机物,金属,金属离子及一些无机化合物,尘埃及其他颗粒,硅,碳化硅,等,硅片表面。

17、硅片的清洗与制绒,硅片的化学清洗,由硅棒,硅锭或硅带所切割的硅片,表面可能沾污的杂质可归纳为三类,油脂,松香,蜡,环氧树脂,聚乙二醇等有机物,金属,金属离子及一些无机化合物,尘埃及其他颗粒,硅,碳化硅,等,硅片表面沾污的杂质,硅片的化学清洗。

18、1,硅片的清洗与制绒,2,硅片的化学清洗,由硅棒,硅锭或硅带所切割的硅片,表面可能沾污的杂质可归纳为三类,油脂,松香,蜡,环氧树脂,聚乙二醇等有机物,金属,金属离子及一些无机化合物,尘埃及其他颗粒,硅,碳化硅,等,硅片表面沾污的杂质,3,硅。

19、1,硅片的清洗与制绒,电池技术部2008年12月,2,硅片的化学清洗,由硅棒,硅锭或硅带所切割的硅片,表面可能沾污的杂质可归纳为三类,油脂,松香,蜡,聚乙二醇等有机物,金属,金属离子及一些无机化合物,尘埃及其他颗粒,硅,碳化硅,等,硅片表面。