CMOS工艺流程与MOS电路版图举例课件

1、20221129 韩 良,1,第四章 CMOS数字集成电路单元,MOS集成电路具有集成度高功耗低的特点，是当今大规模集成电路的主流产品，尤其是CMOS集成电路。,20221129 韩 良,2,基本知识提示：,NMOS PMOS 增强型 耗尽。

2、第三章集成逻辑门电路教学要求,1,在重点理解原理的基础上,熟练掌握各种门电路的外特性,对各种常用门电路的使用方法有深刻的了解,知道选用器件进行组合,实现实际系统的设计要求,2,各种器件的内部工作原理和结构只需了解,以能,理解,为原则,3,本。

3、1,CMOS工艺流程与MOS电路版图举例,1. CMOS工艺流程 1 简化N阱CMOS工艺演示flash 2 清华工艺录像：N阱硅栅CMOS工艺流程 3 双阱CMOS集成电路的工艺设计 4 图解双阱硅栅CMOS制作流程2. 典型N阱CMOS。

4、1,CMOS工艺流程与MOS电路版图举例,1. CMOS工艺流程 1 简化N阱CMOS工艺演示flash 2 清华工艺录像：N阱硅栅CMOS工艺流程 3 双阱CMOS集成电路的工艺设计 4 图解双阱硅栅CMOS制作流程2. 典型N阱CMOS。

5、集成电路设计技术与工具,第八章 数字集成电路晶体管级设计,基本要求,掌握数字集成电路晶体管级设计的设计流程和电路仿真类型；掌握数字标准单元库的原理和库单元的设计；掌握焊盘输入单元输出单元和双向三态单元的设计。,内容提要,8.1 引言8.2 。

6、第章基本单元电路,第章基本单元电路,静态逻辑电路,传输门逻辑电路,动态逻辑电路,锁存器和触发器,逻辑电路的功耗,北京大学微电子学系贾嵩,静态逻辑电路,以输出端为分界点,将多个和连接成具有一定串,并联关系的逻辑块和逻辑块,逻辑块的作用是把输出。

7、1,集成电路原理与设计,微电子学,微电子技术是电子计算机和通信的核心技术微电子技术的核心是集成电路,IntegratedCircuit,IC,技术微电子学是电子学的一门分支,主要研究电子或离子在固体材料中的运动规律及其应用微电子学是以实现电。

8、离子植入磷离子,5,所以出现多余电子,呈现负电荷状态,电荷移动速度高于P型约0,25倍,以缓冲氢氟酸液去除二氧化硅层,在表面重新氧化生成二氧化硅层,LPCVD沉积氮化硅层,以光阻定出下一步的fieldo,ide区域,在上述多晶硅层外围,氧化。

9、工艺流程与电路版图举例,工艺流程与电路版图举例,工艺流程与电路版图举例,简化阱工艺演示,工艺流程与电路版图举例,氧化层生长,工艺流程与电路版图举例,曝光,工艺流程与电路版图举例,氧化层的刻蚀,光刻,刻阱掩膜版,工艺流程与电路版图举例,阱注入。

10、第三章门电路,内容提要,本章主要讲述数字电路的基本逻辑单元门电路,有TTL逻辑门,MOS逻辑门,在讨论半导体二极管和三极管及场效应管的开关特性基础上,讲解它们的电路结构,工作原理,逻辑功能,电器特性等等,为以后的学习及实际使用打下必要的基础。

11、年月,微电子基础知识和基本技能培训课程,哈尔滨工业大学微电子中心,年月,第一部分集成电路基础知识,年月,集成电路器件基础,年月,结构,结构的堆积状态,年月,结构,结构的耗尽状态,年月,结构,结构的反型状态,年月,晶体管,晶体管的结构,年月。

12、集成电路设计导论,云南大学信息学院电子工程系,梁竹关,第一部分理论课第一章绪言11集成电路的发展12集成电路分类13集成电路设计第二章MOS晶体管21MOS晶体管结构22MOS晶体管工作原理23MOS晶体管的电流电压关系24MOS晶体管主要。

13、工艺流程与电路版图举例,简化阱工艺演示,氧化层生长,曝光,氧化层的刻蚀,光刻,刻阱掩膜版,阱注入,光刻,刻阱掩膜版,形成阱,氮化硅的刻蚀,阱,场氧的生长,阱,去除氮化硅,阱,重新生长二氧化硅,栅氧,阱,生长多晶硅,阱,刻蚀多晶硅,阱,刻蚀多。

14、第四章,电路与逻辑设计,晶体管,的物理结构,版图与设计规则,基本,逻辑门,基本门版图设计,其他,逻辑结构,的物理结构,制造材料,的物理结构,串联,管硅片图形,并联,管图形,制造材料,集成电路制造所应用到的材料分类,分类,材料,电导率,导体。

15、集成电路设计导论,第一部分理论课第一章绪言11集成电路的发展12集成电路分类13集成电路设计第二章MOS晶体管21MOS晶体管结构22MOS晶体管工作原理23MOS晶体管的电流电压关系24MOS晶体管主要特性参数25MOS晶体管的SPICE。

16、集成电路分析与设计,第一章集成电路基本制造工艺,本章概要,双极工艺流程CMOS工艺流程CMOS先进工艺BiCMOS工艺流程无源器件,1,1双极工艺流程,典型NPN管剖面图,1,1双极工艺流程,衬底选择,1,衬底选择对于典型的PN结隔离双极集。

17、第五章基本门电路,5,1数字信号的特征5,2电路的主要性能5,3双极晶体管的开关特性5,4饱和型与非饱和型双极型数字集成电路5,5晶体管,晶体管逻辑,TTL,门5,6肖特基晶体管晶体管逻辑门5,7发射极耦合逻辑,ECL,门5,8NMOS门电。

18、集成电路分析与设计,第一章集成电路基本制造工艺,本章概要,双极工艺流程CMOS工艺流程CMOS先进工艺BiCMOS工艺流程无源器件,1,1双极工艺流程,典型NPN管剖面图,1,1双极工艺流程,衬底选择,1,衬底选择对于典型的PN结隔离双极集。

19、第章集成电路制造工艺,第章集成电路制造工艺,工艺,版图设计,封装技术,木版年画,画稿刻版套色印刷,半导体芯片制作过程,硅片,的制作,掩模版,的制作,外延衬底的制作,集成电路加工的基本操作,形成薄膜,二氧化硅,多晶硅,金属等薄层,形成图形,器。

20、该图的说明沟道长度覆盖,最小宽度,最小间距阱与,区间距孔距扩散区最小间距覆盖孔孔或栅跨越,环最小宽度最小间距,铝栅,硅栅器件的版图,硅栅器件,铝栅器件,铝栅工艺掩膜版的说明,硅栅硅栅器件工艺的流程,刻有源区,正胶,刻多晶硅与自对准掺。