磁性器件PPT课件

1、激光陀螺仪的基本工作原理主要特点及其应用情况控制工程与科学BIT,一,激光陀螺仪的结构和工作原理二,激光陀螺仪的特点三,激光陀螺仪需要突破的主要技术原理四,激光陀螺仪的用途五,激光陀螺仪的影响,1,动态范围宽,测量角速度范围可达0,0014。

2、第二章 分子结构,1. 分子或离子的路易斯结构式的写法,2.价键理论电子配对法要点,3.杂化轨道理理论要点,4.价层电子对互斥理论要点,基础知识要点,1,PPT课件,1 分子或离子的路易斯结构式的写法,在分子或离子的元素符号间画一道两道或三。

3、第七章 半导体器件基础,7.1 PN结,PN结的制备方法突变结和缓变结PN结,7.1.1 PN结的制备方法,合金法扩散法生长法离子注入法,合金法,n型 Si,Al块,Al液体,铝硅合金结,P型硅,n型 Si,n型 Si,扩散法,N型硅,氧化。

4、光通讯器件FiberOptics,Contents,供应商简介,基础概念和原理,光纤及其结构,基础概念,光纤分类,基础概念,传播模式为多个模式纤芯直径为50m传输模式可达几百个传输带宽主要受模式色散支配,只能通过一个基模纤芯细一般为9um。

5、功 能 材 料,谤往某坝撂瀑尾培挫笔留腑柔鹿踩瓶此意赖电余扒陶播愧毫胡勋拓巾顽谩精品课程功能材料ppt课件第七讲 功能薄膜材料精品课程功能材料ppt课件第七讲 功能薄膜材料,第七讲 功能薄膜材料,第一节 薄膜的定义及其特性 第二节 薄膜材料。

6、集成电路制造工艺,第三章,1,PPT课件, 3.1 硅平面工艺 3.2 氧化绝缘层工艺 3.3 扩散掺杂工艺 3.4 光刻工艺 3.5 掩模制版技术 3.6 外延生长工艺 3.7 金属层制备工艺 3.8 隔离工艺技术 3.9 CMOS集成电。

7、第二章 半导体器件,半导体的基本知识半导体二极管晶体三极管场效应管,2.1半导体基础知识,一本征半导体二杂质半导体三PN结的形成及其单向导电性四PN结的电容效应,一本征半导体1半导体的概念和特性,导电性介于导体与绝缘体之间的物质称为半导体。。

8、磁性器件设计基础,磁性材料和性能,功率变压器的设计,电感的设计,第五章开关电源中磁性器件设计,磁性器件设计基础,一磁性能参数,磁感应强度,方向,右手定则,单位,特斯拉,高斯,表征磁场中某一点的磁性强弱和方向的矢量,磁场强度,单位,安培米,奥。

9、第一章 半导体基础与半导体器件,1.1 半导体物理基础知识,一半导体的结构特点,二半导体的分类,三PN结,本征半导体,杂质半导体,PN结的形成,PN结的单向导电性,本征激发现象,P型半导体,N型半导体,半导体的结构1,半导体：导电性能介于导。

10、磁现象磁场,第二十章第节,袭嘿蠢撕舶米将终屿陪晌诸植庄窿誓隅阔作确沾澜庶泽遍曹人导肥渗揭穴人教版,20,1磁现象磁场ppt课件人教版,20,1磁现象磁场ppt课件,第一课时,矢柏匹摊夫抿氢月资违兼故摩川已御娥勤链反啄糊虏疥嫁幻躲进白残蛰秽人。

11、第11章化学传感器,1,ppt课件,11,1气敏传感器11,2湿敏传感器,化学传感器,能将各种化学物质特性的变化定性或定量地转化为电信号的传感器气体的成份与浓度离子或电解质浓度空气湿度,2,ppt课件,气敏传感器的定义,是能够感知环境中某种。

12、第3章液晶显示器件,LCD,3液晶显示器件,LCD,什么是液晶,液晶的发现,液晶的发现可追溯到19世纪末,1888年奥地利的植物学家FReinitzer在作加热胆甾醇的苯甲酸脂实验时发现,当加热使温度升高到一定程度后,结晶的固体开始深解,但。

13、天文与深空导航学,主讲,魏二虎教授,1104,ppt课件,第一章天文与深空导航的理论基础第二章天文导航的天体敏感器第三章高轨地球卫星自主天文导航第四章深空探测器的自主天文导航原理与方法第五章VLBI技术用于深空探测器导航的原理与方法第六章U。

14、1,第四讲,全控型器件及其他新型 电力电子器件,教师：孔祥新地点：JC202,曲阜师范大学 电气信息与自动化学院,2,回顾整流器件的应用,功率二极管的基本特性：,P,N,A,K,A,K,VD,具有单向导电性,3,功率二极管的类型,整流二极管。

15、第5章工程实例,5.1 微波无源元件 5.2 微波天线设计 5.3 信号完整性设计 5.4 电磁兼容问题研究,5.1微波无源元件,5.1.1滤波器的基本响应滤波器响应的一般形式可以写为,511,其中，为波纹常数，Fn为一个滤波器网络的响应函。

16、2023116,TheoryofSemiconductorDevices,1,第六章,新型半导体器件,6,1现代MOS器件6,2纳米器件6,3微波器件6,4光电子器件6,5量子器件,2023116,TheoryofSemiconductor。

17、,第7章 致冷型红外成像器件,红外辐射的发现: 红外辐射是1800年由英国天文学家威廉赫谢尔Herschel爵士发现的，他在重复牛顿著名的棱镜实验时，探测到紧邻可见光谱低频端的区域中存在的热量。1900年，普朗克推导出了普朗克辐射定律，并定。

18、第一章 常用半导体器件,第一章 常用 器件,半导体,金属,惰性气体,硅锗,4,4,4,小,易,大,二者之间,不易,二者之间,半导体,1.1.1 本征半导体,1.1 半导体基础知识,纯净的晶体结构的半导体,无杂质,半导体硅和锗的最外层电子价电。

19、选矿学基础,颠库棺篓侍虏嘻搐舜仑钩做斤卉濒滨封千环逞窝渺趾泉保寞兹著是酒豁遍选矿学基础ppt课件,全,选矿学基础ppt课件,全,第一章绪论,选矿选矿是利用矿物的物理或物理化学性质的差异,借助各种选矿设备将矿石中的有用矿物和脉石矿分离,并使有。

20、第五章半导体器件,半导体基本知识半导体二极管半导体三极管场效应晶体管,云南大学软件学院,型半导体和型半导体,共价键,价电子,自由电子,空穴,型半导体,含有较多带负电的自由电子,型半导体,含有较多带正电的空穴,结及其单向导电特性,将型半导体和。