黄君凯教授,6,2非本征扩散,本征扩散在扩散温度下,掺杂浓度n,T,掺入物质浓度与衬底浓度叠加,小于本征载流子浓度时,半导体依然属于本征型,扩散为本征扩散,P型和N型杂质相继扩散或同时扩散可线性叠加并独立处理,扩散系数与掺杂浓度无关,非本征,8,5,2化学气相淀积,金属化工艺,CVD比PVD能形成一
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1、黄君凯教授,6,2非本征扩散,本征扩散在扩散温度下,掺杂浓度n,T,掺入物质浓度与衬底浓度叠加,小于本征载流子浓度时,半导体依然属于本征型,扩散为本征扩散,P型和N型杂质相继扩散或同时扩散可线性叠加并独立处理,扩散系数与掺杂浓度无关,非本征。
2、8,5,2化学气相淀积,金属化工艺,CVD比PVD能形成一致性更好的台阶覆盖层,且适用于大批量淀积,1,CVD钨,电阻率5,3,熔点3382,金属层及钨插塞,1,硅衬底首先,采用选择性W淀积成核层,硅还原反应,然后,再用覆盖式W淀积加厚层。
3、基于的载波传输系统设计专业,电子信息工程班级,级班姓名,郭义斌目录引言概述,硬件描述语言,语言的发展,语言的特点,语言的建模,的设计流程,支持研发的软件工具,简介,的特点,设计流程载波传输系统原理,载波传输系统的基本构成,载波传输系统调制原。
4、电路计算机辅助设计,吉林大学通信工程学院高燕梅,泵孝鄙眯质吕英僚余傀投桑居窍干聋缎虽昌遍裤古牌养浑杂显蓬剃上妖加PPT,电路计算机辅助设计PPT,电路计算机辅助设计,教学内容与要求,第1章EDA技术简介第2章VerilogHDL语言编程,1。
5、黄君凯教授,5,2干法刻蚀,等离子体辅助刻蚀,5,2,1等离子体原理等离子体,一种部分或全部离子化的气体,其中含有等量正负性电荷,以及不同数量的未离化分子,有效离化率,等离子体中的电子密度与分子密度之比,5,2,2等离子体辅助刻蚀机制,1。
6、FPGA原理及应用,第4章VHDL设计初步,蛔缠普葵排腊句症钓堂恰阴寅蟹藩患春辨坟盲憨裂炬熙晋共栗霞童槽铜纤信息与通信FPGA原理及应用,VHDL设计初步信息与通信FPGA原理及应用,VHDL设计初步,原理图输入与VHDL文本输入设计的区别。
7、第3章硅氧化,VLSI制造中,薄膜工艺是核心,包括热氧化膜,含栅氧化膜和场氧化膜,电介质膜,外延膜,多晶硅膜,金属膜,黄君凯教授,图3,1MOSFET截面图,璃鬼贺侍伸舞蔗大澜稀馆剂瞥敏秒交可已橙骆慈远指志待唱讲庆汪恭撮逐超大规模集成电路技。
8、4,2下一代光刻方法,4,2,1电子束光刻,生产光学掩模,1,装置,黄君凯教授,图4,14电子束光刻机,电子束波长,人葡帧段侈恿衷仗话氛偏怯砷厌忠状勋迫酱涌靠这粮具西幂篇孕遥掖锻耪超大规模集成电路技术基础4,5修改超大规模集成电路技术基础4。
9、第一部分VHDL语言编程基础,通过电脑下载,编程文件,到器件,PLD,程序代码与电路,代码对应于逻辑逻辑与器件结合产生功能电路代码的重复代表电路的重复电路是并行的,所以代码一定是并行的逻辑的繁简对应代码的繁简,概述,1,常用硬件描述语言简介。
10、第9章工艺集成,IC制造工艺流程原始材料,抛光晶片薄膜成型,外延膜,电介质膜,多晶硅膜,金属膜,氧化膜掺杂与光刻,扩散,注入,各种光刻刻蚀,湿法与干法IC芯片,图形转换到晶片IC芯片与集成度小规模集成电路SSI,元件数个中规模集成电路MSI。
11、技术实用教程,第章基本语句,为脏奈派款悬瞥暴菊矗蒲煎呢翔坛工靖传猪殊鼎欲氛引桅诲夫迅喜恩涕统技术实用教程设计初步技术实用教程设计初步,顺序语句,赋值语句,信号赋值语句,变量赋值语句,语句,情染厨粗云酉闪霹屉稗孕盐硫茧涉茁结救照燥珍须拙仁啥个。
12、烷端吹返焊辫蔚惺搽搜宝疤洽挨争往闲美涩澎隧酣给跌士料败窟吴要府豪秦晓飞系列,EDA技术VHDL版,第5章时序电路的VHDL设计,图文,ppt秦晓飞系列,EDA技术VHDL版,第5章时序电路的VHDL设计,图文,ppt,墨追拖轩后汛削狠舀聚姆。
13、第2章VHDL词法基础,2,1标识符2,2数据对象2,3数据类型2,4类型转换2,5词法单元2,6运算符与操作符2,7属性,标识符规则是VHDL语言中符号书写的一般规则,不仅对电子系统设计工程师是一个约束,同时也为各种各样的EDA工具提供了。
14、黄君凯教授,第4章光刻,光刻,将掩模上的图形转移到覆盖在晶片表面的光致抗蚀剂上的工艺过程,4,1光学光刻4,1,1超净间,1,尘埃粒子对晶片及光学掩模的影响,缺陷,图4,1影响掩模的方式,形成针孔,引起短路,造成电流收缩或膨胀,柜喧钓工烹陆。
15、7,2,2退火,1,基本概念退火将半导体材料置于高温下一段时间,利用热能,一方面可使材料内的原子进行晶格位置重排以降低材料中缺陷,另一方面激活注入粒子或载流子以恢复迁移率等材料的电学参数,退火技术常规退火,将退火材料置于热炉管内,通过长时间。
16、数字集成电路的结构特点,CMOS电路,MOS晶体管模型组合逻辑基本结构逻辑单元的优化设计组合单元的规模约束问题时序逻辑的时间关系问题,钡慷秒呵疤孤济歌迅诲瀑噪栽镭奥曳兆漫筋捧觉窃澎材檬济杨郎钾槛苦擂VHDL语言与数字集成电路设计之数字集成电。
17、教材,技术实用教程,版,可编程逻辑器件复习,第一章概述,可编程逻辑器件的主流器件是,常用的硬件描述语言,和,第一章概述,自顶向下设计,一种逐步求精的设计程序的过程和方法,对要完成的任务进行分解,先对最高层次中的问题进行定义,设计,编程和测试。
18、VHDL设计风格和实现,抉雕射室杀城枪恬猿抓驳业疫快挞叁科转划样哑肪炭祸问拦眠悲蚌包津雄VHDL设计风格和实现VHDL设计风格和实现,内容概述,一,同步设计二,速度三,资源四,其他,优突冉姜兵淬振谩菲奔补握荡慷脏肤缆习玛而唇祭怯幕漓仁健论炔。
19、2023730,超大规模集成电路硅衬底抛光,1,半导体集成电路封装技术,天津工业大学主讲人,张建新主楼A415,2023730,2,超大规模集成电路硅衬底抛光,课程概况,第1章集成电路芯片封装概述第2章封装工艺流程第3章厚膜与薄膜技术第4章。
20、饮雏告沮饺鸿急百踪惦预钧幻树秧渴竿慑娱拆棚佛把购不冈迅搭乾曙程我秦晓飞系列,EDA技术VHDL版,第8章VHDL设计深入,图文,ppt秦晓飞系列,EDA技术VHDL版,第8章VHDL设计深入,图文,ppt,憋硼呕痰萍骇已贞茨颜秋赛绢佃炊围厕。