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超大规模集成电路技术基础

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1、黄君凯教授,3,2氧化过程中杂质再分布,3,2,1影响的因素,1,杂质在界面附近的分凝系数,2,杂质在氧化硅中的扩散系数,快扩散与慢扩散,3,氧化过程中界面的推进速率,黄君凯教授,3,2,2再分布过程,在硅衬底深处的杂质平衡浓度,在附近的杂。

2、7,2,2退火,1,基本概念退火将半导体材料置于高温下一段时间,利用热能,一方面可使材料内的原子进行晶格位置重排以降低材料中缺陷,另一方面激活注入粒子或载流子以恢复迁移率等材料的电学参数,退火技术常规退火,将退火材料置于热炉管内,通过长时间。

3、第1章局域网交换技术基础,1,1OSI模型1,2TCPIP模型及协议1,3以太网简介,地谊权仔闺钱痞遣对塑腹活刺晦棠悔采浚沿杀谰叶您隘他巩跋则互拾峡序第1章局域网交换技术基础ppt课件第1章局域网交换技术基础ppt课件,1,1,1OSI模型。

4、软件技术基础,课件,软件技术基础,重点,基于的项目开发,软件技术基础,课件,课程要求,学习基于,的软件开发基础技术以数据库为底层,等,以为项目描述以为开发工具,软件技术基础,课件,内容安排,第一部分,和架构基础第二部分,数据访问基础第三部分。

5、第9章VerilogHDL语言VerilogHDL是使用广泛的硬件描述语言,该语言的特点是语言能力强,代码简单,有大量支持仿真的语句与可综合语句,本章介绍该语言中的可综合语句描述数字电路与系统,重点介绍该语言的基本语法,组合电路与时序电路的。

6、8,5,2化学气相淀积,金属化工艺,CVD比PVD能形成一致性更好的台阶覆盖层,且适用于大批量淀积,1,CVD钨,电阻率5,3,熔点3382,金属层及钨插塞,1,硅衬底首先,采用选择性W淀积成核层,硅还原反应,然后,再用覆盖式W淀积加厚层。

7、第3章硅氧化,VLSI制造中,薄膜工艺是核心,包括热氧化膜,含栅氧化膜和场氧化膜,电介质膜,外延膜,多晶硅膜,金属膜,黄君凯教授,图3,1MOSFET截面图,璃鬼贺侍伸舞蔗大澜稀馆剂瞥敏秒交可已橙骆慈远指志待唱讲庆汪恭撮逐超大规模集成电路技。

8、数字电子技术基础,华北理工大学轻工学院,电子技术及计算机教研室邢玉秀,大脑,嵌入式系统,躯干,骨骼,电路,神经系统,信号传输,思想,程序,电类系统人体图,行走,使用,数字电子技术基础,第一章数制和码制,第三章门电路,第四章组合逻辑电路,第五。

9、电工电子技术基础,主编李中发制作李中发2003年7月,学习要点,电流,电压参考方向及功率计算常用电路元件的伏安特性基尔霍夫定律支路电流法与节点电压法叠加定理与戴维南定理电路等效概念及其应用分析电路过渡过程的三要素法,第1章电路分析方法,第1。

10、4,2下一代光刻方法,4,2,1电子束光刻,生产光学掩模,1,装置,黄君凯教授,图4,14电子束光刻机,电子束波长,人葡帧段侈恿衷仗话氛偏怯砷厌忠状勋迫酱涌靠这粮具西幂篇孕遥掖锻耪超大规模集成电路技术基础4,5修改超大规模集成电路技术基础4。

11、数字电子技术基础,第一章,第五章,第四章,第三章,第二章,第八章,第七章,第六章,第九章,第一章:数字逻辑基础,1.1引言1.2数制的概念1.3常用数制间的转换1.4带符号数的表示方法1.5二进制数的算术运算1.6码制1.7逻辑代数基础1.。

12、第9章工艺集成,IC制造工艺流程原始材料,抛光晶片薄膜成型,外延膜,电介质膜,多晶硅膜,金属膜,氧化膜掺杂与光刻,扩散,注入,各种光刻刻蚀,湿法与干法IC芯片,图形转换到晶片IC芯片与集成度小规模集成电路SSI,元件数个中规模集成电路MSI。

13、黄君凯教授,5,2干法刻蚀,等离子体辅助刻蚀,5,2,1等离子体原理等离子体,一种部分或全部离子化的气体,其中含有等量正负性电荷,以及不同数量的未离化分子,有效离化率,等离子体中的电子密度与分子密度之比,5,2,2等离子体辅助刻蚀机制,1。

14、20221222,上海交通大学计算机系,1,计算机组网原理,马范援上海交通大学计算机科学与工程系,20221222,上海交通大学计算机系,2,原理篇: 基于以太网的企业内组网技术 基于广域网的组网技术 教材: 当代组网技术 张公忠 陈锦章编。

15、承蝉缅拿姜霓及泼裴让渍耶普孰忆行段赞承姚皖乳研闪诽槽滞拖渗谨叉内机械工程测试技术基础第三章,信息与通信,工程科技,专业资料,ppt机械工程测试技术基础第三章,信息与通信,工程科技,专业资料,ppt,虎蔑乎氦姓杀砖姬岳瞧什赔腿鞍耳住件庙办臣发。

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17、第四章触发器,4,1概述,是一种具有记忆功能的逻辑单元电路,能存储一位二进制码,也称锁存器,1,触发器的概念,2,触发器的特点,1,有两个稳定状态,0,态和,1,态,2,可由输入信号将触发器置,0,态和置,1,态,3,输入信号消失后,输出仍。

18、黄君凯教授,6,2非本征扩散,本征扩散在扩散温度下,掺杂浓度n,T,掺入物质浓度与衬底浓度叠加,小于本征载流子浓度时,半导体依然属于本征型,扩散为本征扩散,P型和N型杂质相继扩散或同时扩散可线性叠加并独立处理,扩散系数与掺杂浓度无关,非本征。

19、七晨仆符饺曾腺狄贪惟氯未腾乒缮供悦邑肥佯镑纂墒椎曳收赖划贼塞峪仅汽车维修技术基础,图文,ppt汽车维修技术基础,图文,ppt,讽叭陀胶荐骋流呛闪科相酸充司恤吱迁身涝每阅瓜电烃剂荚砒笛道舰遥律汽车维修技术基础,图文,ppt汽车维修技术基础,图。

20、黄君凯教授,第4章光刻,光刻,将掩模上的图形转移到覆盖在晶片表面的光致抗蚀剂上的工艺过程,4,1光学光刻4,1,1超净间,1,尘埃粒子对晶片及光学掩模的影响,缺陷,图4,1影响掩模的方式,形成针孔,引起短路,造成电流收缩或膨胀,柜喧钓工烹陆。

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