超大规模集成电路

1、7,2,2退火,1,基本概念退火将半导体材料置于高温下一段时间,利用热能,一方面可使材料内的原子进行晶格位置重排以降低材料中缺陷,另一方面激活注入粒子或载流子以恢复迁移率等材料的电学参数,退火技术常规退火,将退火材料置于热炉管内,通过长时间。

2、超大规模集成电路分析与设计,主讲,张冉,教材,书名,超大规模集成电路设计导论出版社,清华大学出版社作者,蔡懿慈,周强编著,参考教材,超大规模集成电路设计,第版,出版社,中国电力出版社作者,维斯特,美,哈里斯,美,超大规模集成电路与系统导论出。

3、黄君凯教授,3,2氧化过程中杂质再分布,3,2,1影响的因素,1,杂质在界面附近的分凝系数,2,杂质在氧化硅中的扩散系数,快扩散与慢扩散,3,氧化过程中界面的推进速率,黄君凯教授,3,2,2再分布过程,在硅衬底深处的杂质平衡浓度,在附近的杂。

4、2023319,VLSITest,Lecture7,1,Lecture7FaultSimulation第七讲,故障模拟,2023319,VLSITest,Lecture7,2,Contents内容目录,Problemandmotivatio。

5、Lecture8AutomaticTestPatternGeneration,第八讲自动测试生成,Contents内容目录,TestabilityMeasures可测试性测度CombinationalCircuitATPG组合电路ATPGS。

6、Chap 1 绪论,课程内容,Part 1 超大规模集成电路设计导论CMOS工艺器件连线逻辑门单元电路组合时序逻辑电路功能块子系统控制逻辑数据通道存储器总线Part 2 超大规模集成电路设计方法设计流程系统设计与验证RTL设计与仿真逻辑综合。

7、超大规模集成电路分析与设计VLSI Analysis and Design,主讲： 张冉Email：,教材I,书名： 超大规模集成电路设计导论出版社： 清华大学出版社作者： 蔡懿慈，周强 编著,参考教材II,CMOS超大规模集成电路设计第3。

8、VLSI课程设计报告及设计文档姓名学号设计题目要求已知一个16,bit循环移位,右移,电路的功能表如右,信号S是移位数,A是移位前的并行输入,Y是移位后的并行输出,1,完成该电路的硬件设计,要求估算电路占用的资源大小及电路的速度,2,以该移。

9、超大规模集成电路铜互连电镀工艺文章来源毕业论文网摘要,介绍了集成电路铜互连双嵌入式工艺和电镀铜的原理,有机添加剂在电镀铜中的重要作用及对添加剂含量的监测技术,脉冲电镀和化学电镀在铜互连技术中的应用,以及铜互连电镀工艺的发展动态,关键词,集成。

10、集成电路的发展过程经历了哪些发展阶段,划分集成电路的标准是什么,集成电路的发展过程,小规模集成电路,中规模集成电路,大规模集成电路,超大规模集成电路,特大规模集成电路,巨大规模集成电路,超大规模集成电路有哪些优点,降低生产成本减少了体积和重。

11、集成电路的发展过程经历了哪些发展阶段,划分集成电路的标准是什么,集成电路的发展过程,小规模集成电路,中规模集成电路,大规模集成电路,超大规模集成电路,特大规模集成电路,巨大规模集成电路,超大规模集成电路有哪些优点,降低生产成本减少了体积和重。

12、第9章工艺集成,IC制造工艺流程原始材料,抛光晶片薄膜成型,外延膜,电介质膜,多晶硅膜,金属膜,氧化膜掺杂与光刻,扩散,注入,各种光刻刻蚀,湿法与干法IC芯片,图形转换到晶片IC芯片与集成度小规模集成电路SSI,元件数个中规模集成电路MSI。

13、8,5,2化学气相淀积,金属化工艺,CVD比PVD能形成一致性更好的台阶覆盖层,且适用于大批量淀积,1,CVD钨,电阻率5,3,熔点3382,金属层及钨插塞,1,硅衬底首先,采用选择性W淀积成核层,硅还原反应,然后,再用覆盖式W淀积加厚层。

14、2023730,超大规模集成电路硅衬底抛光,1,半导体集成电路封装技术,天津工业大学主讲人,张建新主楼A415,2023730,2,超大规模集成电路硅衬底抛光,课程概况,第1章集成电路芯片封装概述第2章封装工艺流程第3章厚膜与薄膜技术第4章。

15、第3章硅氧化,VLSI制造中,薄膜工艺是核心,包括热氧化膜,含栅氧化膜和场氧化膜,电介质膜,外延膜,多晶硅膜,金属膜,黄君凯教授,图3,1MOSFET截面图,璃鬼贺侍伸舞蔗大澜稀馆剂瞥敏秒交可已橙骆慈远指志待唱讲庆汪恭撮逐超大规模集成电路技。

16、黄君凯教授,5,2干法刻蚀,等离子体辅助刻蚀,5,2,1等离子体原理等离子体,一种部分或全部离子化的气体,其中含有等量正负性电荷,以及不同数量的未离化分子,有效离化率,等离子体中的电子密度与分子密度之比,5,2,2等离子体辅助刻蚀机制,1。

17、4,2下一代光刻方法,4,2,1电子束光刻,生产光学掩模,1,装置,黄君凯教授,图4,14电子束光刻机,电子束波长,人葡帧段侈恿衷仗话氛偏怯砷厌忠状勋迫酱涌靠这粮具西幂篇孕遥掖锻耪超大规模集成电路技术基础4,5修改超大规模集成电路技术基础4。

18、7,2,2退火,1,基本概念退火将半导体材料置于高温下一段时间,利用热能,一方面可使材料内的原子进行晶格位置重排以降低材料中缺陷,另一方面激活注入粒子或载流子以恢复迁移率等材料的电学参数,退火技术常规退火,将退火材料置于热炉管内,通过长时间。

19、黄君凯教授,6,2非本征扩散,本征扩散在扩散温度下,掺杂浓度n,T,掺入物质浓度与衬底浓度叠加,小于本征载流子浓度时,半导体依然属于本征型,扩散为本征扩散,P型和N型杂质相继扩散或同时扩散可线性叠加并独立处理,扩散系数与掺杂浓度无关,非本征。

20、黄君凯教授,第4章光刻,光刻,将掩模上的图形转移到覆盖在晶片表面的光致抗蚀剂上的工艺过程,4,1光学光刻4,1,1超净间,1,尘埃粒子对晶片及光学掩模的影响,缺陷,图4,1影响掩模的方式,形成针孔,引起短路,造成电流收缩或膨胀,柜喧钓工烹陆。