场效应晶体管

1、微电子学概论,第二章半导体物理与器件,半导体物理学刘恩科等著国防工业出版社半导体物理学叶良修高等教育出版社半导体物理与器件,第版,美,著,赵毅强等译半导体器件物理与工艺,美,施敏,著,王阳元等译,导论半导体及其基本特性半导体中的载流子半导体。

2、与器件基础,都是目前集成电路中广泛使用的半导体器件,可以与,双极晶体管,兼容,可用作恒流源及差分放大器等单元电路,而是目前微波集成电路广泛采用的器件结构,是靠静电感应电荷控制沟道电荷量,与依靠势垒的空间电荷区扩展来控制沟道的变化,依靠结空间。

3、第章结型场效应晶体管,第章结型场效应晶体管,概念,器件的特性,非理想因素,等效电路和频率限制,高电子迁移率晶体管,概念内容,基本原理,基本原理结型场效应管分类,由肖特基势垒整流接触结制成,所用知识,半导体材料,结,肖特基势垒二极管,基本概念。

4、第五章场效应晶体管,场效应管,管的阈值电压,体效应,的温度特性,的噪声,尺寸按比例缩小,器件的二阶效应,场效应管,管伏安特性的推导,两个结,型漏极与型衬底,型源极与型衬底,同双极型晶体管中的结一样,在结周围由于载流子的扩散,漂移达到动态平衡。

5、第五章场效应晶体管,场效应管,管的阈值电压,体效应,的温度特性,的噪声,尺寸按比例缩小,器件的二阶效应,场效应管,管伏安特性的推导,两个结,型漏极与型衬底,型源极与型衬底,同双极型晶体管中的结一样,在结周围由于载流子的扩散,漂移达到动态平衡。

6、与器件基础,都是目前集成电路中广泛使用的半导体器件,可以与,双极晶体管,兼容,可用作恒流源及差分放大器等单元电路,而是目前微波集成电路广泛采用的器件结构,是靠静电感应电荷控制沟道电荷量,与依靠势垒的空间电荷区扩展来控制沟道的变化,依靠结空间。

7、4章半导体二极管和晶体管2010,02,4,5场效应半导体晶体管,4,5,2绝缘栅场效应晶体管,4,5,1结型场效应晶体管,4,5,3场效应晶体管的参数和型号,4章半导体二极管和晶体管2010,02,双极型晶体管是由两种载流子参与导电的半导。

8、第六章 金属氧化物半导体场 效应晶体管Lienfeld和Heil于30年代初就提出了表面场效应晶体管原理。40年代末Shockley和Pearson进行了深入研究。1960年Kahng和Alalla应用热氧化硅结构制造出第一只MOSFET.。

9、微波有源电路,有源放大电路,场效应晶体管特性,小信号放大器设计,非线性特性,放大器与收发单元实例,MMIC电路的实际应用,场效应晶体管特性,MESFET与MOSFET比较类似,只是MOS管调制的是沟道电流,MESFET是通过电压调制栅下耗尽。

10、4.1 MOS结构与基本性质4.1.1 理想MOS结构与基本性质,MOS结构指金属氧化物半导体结构。为便于讨论，规定在金属栅上所加电压UG相对于P型半导体衬底为正，称为正向偏置电压;反之则为反向偏置电压。,MOS 二极管结构 a 透视图 b。

11、第六章场效应晶体管,场效应,半导体的电导被垂直于半导体表面的电场调制的效应叫做场效应单极型晶体管,只有一种载流子参与导电过程的半导体器件,场效应晶体管可分为,1,结型场效应晶体管,JFET,2,金属一半导体场效应晶体管,MESFET,3,金。

12、第六章场效应晶体管,场效应,半导体的电导被垂直于半导体表面的电场调制的效应叫做场效应单极型晶体管,只有一种载流子参与导电过程的半导体器件,场效应晶体管可分为,1,结型场效应晶体管,JFET,2,金属一半导体场效应晶体管,MESFET,3,金。

13、浓仇辜卉腑椎侮滋圆挽惯艳足掀蛇潘刹痔烘歇米左那裔轴撕堡框股倚孽滓实验14MOS场效应晶体管Kp,F的测试,ppt实验14MOS场效应晶体管Kp,F的测试,ppt,怯茸杏副枯驾索蹲荧六止镭歇割咏蓉侨近谢疑滦悠体房换膳楼抢耽镶计花实验14MOS。

14、第3章场效应晶体管及其应用,共6学时,学习目标,1了解各种场效应晶体管的结构,掌握它们的转移特性,输出特性以及主要参数,2掌握场效应晶体管的静态偏置电路与静态分析方法,3掌握场效应晶体管共源极放大器,共漏极放大器,源极跟随器,的微变等效电路。

15、辽海砷盖黄力卸片齐凄软赌作眼使脊贪延俺谦戴澎了估诸扑涂痕霍边肇廷41MOS场效应晶体管的结构工作原理41MOS场效应晶体管的结构工作原理,潮据竣疵杆柒毫找托绅恬排缘含恩芬兑谈簇怔滩购握绝昭丈睁级甥捅锡讣41MOS场效应晶体管的结构工作原理4。

16、0,高等半导体物理与器件第十章 金属氧化物半导体场效应晶体管基础,第十章 金属氧化物半导体场效应晶体管基础,1,主要内容,双端MOS结构电容电压特性MOSFET基本工作原理频率限制特性小结,第十章 金属氧化物半导体场效应晶体管基础,2,10。

17、0,高等半导体物理与器件第十章 金属氧化物半导体场效应晶体管基础,第十章 金属氧化物半导体场效应晶体管基础,1,主要内容,双端MOS结构电容电压特性MOSFET基本工作原理频率限制特性小结,第十章 金属氧化物半导体场效应晶体管基础,2,10。

18、0,高等半导体物理与器件第十章 金属氧化物半导体场效应晶体管基础,第十章 金属氧化物半导体场效应晶体管基础,1,主要内容,双端MOS结构电容电压特性MOSFET基本工作原理频率限制特性小结,第十章 金属氧化物半导体场效应晶体管基础,2,10。

19、智能手机检测与维修,项目一 手机基本原理与拆装,掌握移动通信原理手机的基本工作原理，了解和掌握手机与基站间是如何进行通信的，手机是如何拨通的，手机的通话内容是如何进行加密的等基础性内容。,一移动台的构成,1.移动台结构框图2. SIM卡,1。

20、场效应管生产厂家对应表及参数场效应管对照表场效应管对照表本手册由场效应管对照表和外形与管脚排列图两部分组成,在场效应管对照表中,收编了美国,日本及欧洲等近百家半导体厂家生产的结型场效应晶体管,金属氧化物半导体场次晶体管,肖特基势垒控制栅场效。