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场效应管g课件

2 场效应管及其基本放大电路,一场效应管,二场效应管放大电路静态工作点的设置方法,三场效应管放大电路的动态分析,概 述,场效应管是另一种具有正向受控作用的半导体器件。它体积小工艺简单,器件特性便于控制,是目前制造大规模集成电路的主要有源器件,场效应管简介,简介,场效应晶体管,缩写,简称场效应管,由多

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1、2 场效应管及其基本放大电路,一场效应管,二场效应管放大电路静态工作点的设置方法,三场效应管放大电路的动态分析,概 述,场效应管是另一种具有正向受控作用的半导体器件。它体积小工艺简单,器件特性便于控制,是目前制造大规模集成电路的主要有源器件。

2、场效应管简介,简介,场效应晶体管,缩写,简称场效应管,由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管,它属于电压控制型半导体器件,具有输入电阻高,噪声小,功耗低,动态范围大,易于集成,没有二次击穿现象,安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和。

3、第3章 场效应管及其基本电路,31 结型场效应管 32 绝缘栅场效应管IGFET33 场效应管的参数和小信号模型34 场效应管放大器,31结型场效应管,311结型场效应管的结构及工作原理 结型场效应管JunctionFieldEffectT。

4、,2 场效应管放大电路静态工作 点的设置方法,1 场效应管的结构及工作原理,场效应管及放大电路,场效应管放大电路,重点难点,重点:共源CS共栅CG共漏CD三 种组态放大器的分析方法,静态工作点的设置。难点:结型和绝缘栅型场效应管的结构和工作。

5、5,场效应管放大电路,场效应管与双极型晶体管不同,它只有一种载流子导电,电子或空穴,多子,导电,也称为单极型器件,特点,输入阻抗高,温度稳定性好,场效应管有两种,N,沟道,结型场效应管,JFET,P,沟道,N,沟道,耗尽型,增强型,耗尽型。

6、第五章 场效应管放大电路,5.1 结型场效应管 5.2 结型场效应管放大电路 5.3 金属氧化物场效应管5.4 金属氧化物场效应管放大电路,场效应管Field Effect Transistor :只有一种载流子参与导电,故称单极型三极管。。

7、第章结型场效应晶体管,第章结型场效应晶体管,概念,器件的特性,非理想因素,等效电路和频率限制,高电子迁移率晶体管,概念内容,基本原理,基本原理结型场效应管分类,由肖特基势垒整流接触结制成,所用知识,半导体材料,结,肖特基势垒二极管,基本概念。

8、4.3 金属氧化物半导体绝缘栅型场效应管 MetalOxideSemiconductor type FET,类别,增强型: 没有导电沟道,,耗尽型: 存在导电沟道,,4.3.1 N沟道增强型MOSFET,g,s,d,N,N,SiO2保护层,。

9、第三章 场效应管及放大电路,3.1 金属氧化物半导体MOS场效应管,3.2 MOSFET放大电路,3.3 结型场效应管JFET,场效应管是一种利用电场效应来控制其电流大小的半导体器件。它不仅体积小重量轻耗电省寿命长,且输入阻抗高噪声低热稳定。

10、第3章 场效应管及其放大电路,3.1 场效应半导体三极管,场效应半导体三极管是仅由一种载流子参与导电的半导体器件,是一种用输入电压控制输出电流的的半导体器件。从参与导电的载流子来划分,它有电子作为载流子的N沟道器件和空穴作为载流子的P沟道器。

11、基本知识概述,分类,命名,标识,结构,制程及工艺,基本特性,应用,常见失效模式及案例分析,标准及其测试方法,的基本知识,概述,场效应管是一种利用电场效应来控制其电流大小的半导,体器件,这种器件不仅兼有体积小,重量轻,耗电省,封装,外型脚数少。

12、常用电子元器件认知,常用电子元器件认知,序言,为了大家让能看懂BOM中电子料的规格描述,了解常用电子元器件的类别型号性能使用范围以及能使用万用表对电子元器件进行一些简单的检测,编写本教程.本教程对常用元器件概念 分类主要参数功能等进行了详细。

13、第四章场效应管放大电路,第四章场效应管放大电路,结型场效应三极管,结型场效应三极管的结构的结构如图所示,它是在型半导体硅片的两侧各制造一个结,形成两个结夹着一个型沟道的结构,一个区即为栅极,型硅的一端是漏极,另一端是源极,动画,结型场效应三。

14、1,课程简介,专业基础课40学时低频20学时高频由易到难:元器件分立电路集成电路应用电路先修课程:高等数学普通物理电路理论,2,课程要求,了解:熟知基本概念和基本原理理解:概念清楚,原理明白,并具有分析和计算能力。掌握:比理解要求更高,有的。

15、微电子技术专业,半导体器件,单元四场效应晶体管小结讲授教师,马颖,第7章,半导体表面特性及MOS电容,7,1半导体表面和界面结构了解清洁表面和真实表面的特点理解Si,SiO2界面的特点及影响因素7,2表面势掌握MIS结构的表面积累,耗尽和反。

16、1,4场效应管,场效应管,FET,是利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件,仅靠半导体中的多数载流子导电,又称单极型晶体管,FET,FieldEffectTransistor,分类,从参与导电的载流子来划分,它有电子作为载。

17、第1章半导体二极管,三极管和场效应管,1,2PN结,1,3半导体二极管,1,4稳压管,1,5半导体三极管,1,6绝缘栅场效应管,第1章目录,1,1半导体的导电特性,在热力学温度零度和没有外界激发时,本征半导体不导电,把纯净的没有结构缺陷的半。

18、场效应管,第四章,4,1结型场效应管原理及其伏安特性4,2绝缘栅型场效应管原理及伏安特性4,3主要参数4,4场效应管的基本放大电路,场效应管是利用电场效应来控制电流大小,与双极型晶体管不同,它是多子导电,输入阻抗高,温度稳定性好,噪声低,结。

19、沟道,耗尽型,沟道,沟道,耗尽型,场效应管的分类,金属,氧化物,半导体,场效应管,沟道增强型,的主要参数,沟道耗尽型,沟道,沟道长度调制效应,沟道增强型,结构,沟道,沟道长度,沟道宽度,绝缘层厚度,通常,沟道增强型,剖面图,结构,沟道,符号。

20、1,第四章场效应管放大电路,2,半导体三极管,又称晶体管,双极性三极管,是组成各种电子电路的核心器件,结构,类型,NPN型,PNP型放大机理,内部结构,外部条件特性曲线,输入特性,输出特性单级放大电路,工作原理三种组态静态分析动态分析多级放。

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