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12、第二章真空蒸发镀膜法,2,1真空蒸发原理2,2蒸发源的蒸发特性及膜厚分布2,3蒸发源的类型2,4合金及化合物的蒸发2,5膜厚和淀积速率的测量与监控,真空蒸发镀膜法,简称真空蒸镀,在真空室中,加热蒸发容器中待形成薄膜的原材料,使其原子或分子从。
13、第6章 化学气相淀积工艺工艺,第6章 化学气相淀积工艺,本章4学时目标：,1化学气相淀积的分类,2熟悉常见的化学气相淀积形成的绝缘材料,3Si3N4薄膜的作用和淀积机理,4多晶硅薄膜的作用和淀积机理,0教材p241p255，p261p265。
14、2022121,1,1CVD成膜温度远低于体材料的熔点或软点。因此减轻了衬底片的热形变，减少了玷污，抑制了缺陷生成; 设备简单，重复性好；2薄膜的成分精确可控配比范围大；3淀积速率一般高于PVD物理气相淀积，如蒸发溅射等；厚度范围广，由几百。
15、化学气相淀积定义,指使一种或数种物质的气体,以某种方式激活后,在衬底发生化学反应,并淀积出所需固体薄膜的生长技术,其英文原名为,简称为,本章主要内容,薄膜的动力学模型,常用系统及制备常用薄膜的工艺,第六章化学气相淀积,成膜温度远低于体材料的。
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17、第六章化学气相淀积,本章主要内容,CVD模型化学气相淀积系统CVD多晶硅的特性和淀积方法CVD二氧化硅的特性和淀积方法CVD氮化硅的特性及淀积方法金属的化学气相淀积,化学气相淀积,定义,化学气相淀积,ChemicalVaporDeposit。
18、第十一章薄膜淀积,热氧化,介质淀积,多晶硅淀积,金属化总结,热氧化,热氧化,生长的机制下列为在氧气或水气的环境下,进行热氧化的化学反应式,固体,气体,固体,厚度,会推导计算,了解晶体和非晶体形态的基本差异,因此在氧化初期,表面反应是限制生长。
