半导体制造工艺简介课件

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4、1,上节课主要内容,1掺杂工艺一般分为哪两步结深薄层电阻固溶度,2两种特殊条件下的费克第二定律的解及其特点特征扩散长度,预淀积退火。预淀积：气固相预淀积扩散或离子注入。Rs：表面为正方形的半导体薄层结深，在平行电流方向所呈现的电阻，单位为 。

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19、1,铜箔工业发展概述,电解铜箔的发展可划分为三个发展阶段：美国铜箔企业的创建，使世界电解铜箔业起步的阶段1955年70年代中期；日本铜箔企业高速发展，全面垄断世界市场的阶段1974年90年代初期；日美亚洲等铜箔企业多极化争夺市场的阶段自90。

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