半导体制造工艺

1、1,两大关键问题：选择性方向性：各向同性各向异性,待刻材料的刻蚀速率,掩膜或下层材料的刻蚀速率,横向刻蚀速率,纵向刻蚀速率,图形转移光刻刻蚀,2,刻蚀的性能参数,3,A0 0A1 A1,方向性：,4,刻蚀要求:1. 得到想要的形状斜面还是垂。

2、第二章半导体制造工艺,硅制造光刻技术氧化物生长和去除扩散和离子注入硅淀积和刻蚀金属化组装,提纲,2,硅制造,冶金级多晶硅石英矿和碳加热至2000,得到液态熔融硅冷却后形成由大量细小晶粒结合在一起的多晶硅SiO2,2CSi,2CO半导体级多晶。

3、半导体制造技术,点砂成金的梦想实现,在很久很久以前,大河边上,我们的祖先有一个梦想,他们希望把石头变成值钱的黄金,但是他们一直没有实现他们的梦想,大河滚滚东流,岁月的车轮终于驶入20世纪,三个美国科学家,巴恩,肖特莱,也为这个梦想而苦苦追寻。

4、集成电路版图设计与验证,第三章半导体制造工艺简介,学习目的,1,了解晶体管工作原理,特别是MOS管的工作原理,2,了解集成电路制造工艺,3,了解COMS工艺流程,主要内容,3,1半导体基础知识3,2工艺流程3,3工艺集成,3,1半导体基础知。

5、半导体制造工艺,第7章光刻,第7章光刻,7,1概述7,2光刻工艺的基本步骤7,3正性光刻和负性光刻7,4光刻设备简介7,5光刻质量控制,7,1概述,图7,1半导体制造工艺流程,7,1概述,7,1,1光刻的概念光刻处于晶圆加工过程的中心,一般。

6、半导体制造工艺流程,半导体相关知识,本征材料,纯硅,个,型硅,掺入族元素,磷,砷,锑型硅,掺入族元素镓,硼结,半导体元件制造过程可分为,前段,制程晶圆处理制程,简称,晶圆针测制程,後段,构装,测试制程,一,晶圆处理制程,晶圆处理制程之主要工。

7、半导体制造工艺流程,半导体相关知识,本征材料,纯硅,个,型硅,掺入族元素,磷,砷,锑型硅,掺入族元素镓,硼结,半导体元件制造过程可分为,前段,制程晶圆处理制程,简称,晶圆针测制程,後段,构装,测试制程,一,晶圆处理制程,晶圆处理制程之主要工。

8、半导体制造前道工艺,谢梓建,Attention,在参考资料的时候,有的步骤或是工艺在不同资料里面的说法有点出入,所以本PPT可能有很多不对的地方,希望大家多多指正,晶圆,晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片,由于其形状为圆形,故称为晶圆。

9、1,两大关键问题,选择性方向性,各向同性各向异性,待刻材料的刻蚀速率,掩膜或下层材料的刻蚀速率,横向刻蚀速率,纵向刻蚀速率,图形转移光刻刻蚀,2,刻蚀的性能参数,3,A00A1A,1,方向性,4,刻蚀要求,1,得到想要的形状,斜面还是垂直图。

10、半导体制造工艺流程,半导体相关知识,本征材料,纯硅,个,型硅,掺入族元素,磷,砷,锑型硅,掺入族元素镓,硼结,半导体元件制造过程可分为,前段,制程晶圆处理制程,简称,晶圆针测制程,後段,构装,测试制程,一,晶圆处理制程,晶圆处理制程之主要工。

11、半导体制造工艺,1,学习交流PPT,第7章光刻,2,学习交流PPT,第7章光刻,7.1概述7.2光刻工艺的基本步骤7.3正性光刻和负性光刻7.4光刻设备简介7.5光刻质量控制,3,学习交流PPT,7.1概述,图71半导体制造工艺流程,4,学。

12、九 研究对象Research Object本报告的研究对象为半导体制造工艺流程中的制造封装测试净化以及试验检测设备等。一2002年中国半导体设备市场环境综述一 半导体设备分类与技术发展现状半导体的飞跃发展与其结构和工艺技术的进步分不开,尤其。

13、半导体制造工艺流程,半导体相关知识,本征材料：纯硅 910个9 250000.cmN型硅： 掺入V族元素磷P砷As锑SbP型硅： 掺入 III族元素镓Ga硼BPN结：,N,P,半 导体元件制造过程可分为,前段Front End制程 晶圆处理。

14、1,两大关键问题：选择性方向性：各向同性各向异性,待刻材料的刻蚀速率,掩膜或下层材料的刻蚀速率,横向刻蚀速率,纵向刻蚀速率,图形转移光刻刻蚀,2,刻蚀的性能参数,3,A0 0A1 A1,方向性：,4,刻蚀要求:1. 得到想要的形状斜面还是垂。

15、第三章 硅的 氧化,绪论SiO2的结构和性质SiO2的掩蔽作用硅的热氧化生长动力学决定氧化速度常数和影响氧化速率的各种因素热氧化过程中的杂质再分布初始氧化阶段以及薄氧化层的生长Si SiO2 界面特性,下一页,二氧化硅是上帝赐给IC的材料。。

16、半导体制造工艺流程,1,t课件,半导体相关知识,本征材料：纯硅 910个9 250000.cmN型硅： 掺入V族元素磷P砷As锑SbP型硅： 掺入 III族元素镓Ga硼BPN结：,N,P,2,t课件,半 导体元件制造过程可分为,前段Fron。

17、第三章 硅的 氧化,绪论SiO2的结构和性质SiO2的掩蔽作用硅的热氧化生长动力学决定氧化速度常数和影响氧化速率的各种因素热氧化过程中的杂质再分布初始氧化阶段以及薄氧化层的生长Si SiO2 界面特性,下一页,二氧化硅是上帝赐给IC的材料。。

18、1,半导体薄膜：Si介质薄膜：SiO2，Si3N4, BPSG，金属薄膜：Al，Cu，W，Ti，,在集成电路制备中，很多薄膜材料由淀积工艺形成,单晶薄膜：Si, SiGe外延多晶薄膜：polySi,Deposition,2,1化学气相淀积 。

19、半导体制造工艺,第10章平坦化,第10章平坦化,10.1概述10.2传统平坦化技术10.3化学机械平坦化10.4CMP质量控制,10.1概述,图 101两层布线表面的不平整,10.1概述,图 102多层布线技术,10.1概述,图103平坦化。

20、1,上节课主要内容,1掺杂工艺一般分为哪两步结深薄层电阻固溶度,2两种特殊条件下的费克第二定律的解及其特点特征扩散长度,预淀积退火。预淀积：气固相预淀积扩散或离子注入。Rs：表面为正方形的半导体薄层结深，在平行电流方向所呈现的电阻，单位为 。