半导体物理与器件第八章课件

1、第一章太阳能电池的工作原理和基本特性之半导体物理基础,1,半导体的性质,世界上的物体如果以导电的性能来区分,有的容易导电,有的不容易导电,容易导电的称为导体,如金,银,铜,铝,铅,锡等各种金属,不容易导电的物体称为绝缘体,常见的有玻璃,橡胶。

2、第八章 pn结二极管,0,高等半导体物理与器件第八章 pn结二极管,第八章 pn结二极管,1,n结电流产生复合电流和大注入pn结的小信号模型,本章内容,第八章 pn结二极管1,2,1pn结内电荷流动的定性描述,8.1 pn结电流,第八章 p。

3、半导体物理与器件,陈延湖,PN结的理想电压电流特性PN结的非理想电压电流特性PN结的小信号模型与等效电路,本章重点问题：,第八章 pn二极管,本章主要内容：,n结电流8.1 定性分析理想电流电压关系推导边界条件非平衡少子分布理想电流电压关系。

4、第一章电路和电路元件,上海大学自动化系,电子器件,半导体的导电特性,杂质半导体,结及其单向导电性,第一章电路和电路元件,半导体二极管,双极型晶体管,绝缘栅型场效应晶体管,半导体器件具有体积小,重量轻,使用寿命长,耗电少等特点,是组成各种电子。

5、.,第二章 太阳能电池原理,2.1 半导体物理基础 2.2 太阳电池物理基础,.,2.1 半导体物理基础,2.1.1半导体的能带结构,1原子的能级和晶体的能带,制造半导体器件所用的材料大多是单晶体。单晶体是由靠得很紧密的原子周期性重复排列而。

6、半导体物理学,主讲人：代国章 物理楼110室，13786187882Email:gzdai2019csu.edu,课程代码：14010022课程性质：专业课程选修课 学分：3.0时间：周二7, 8单周周三1, 2教室：D座103课程特点：内。

7、第二章 光电检测器件工作原理及特性,第二章 光电检测器件工作原理及特性,半导体物理基础 光电检测器件的物理基础 光电检测器件的特性参数,一半导体的特性,半导体的导电能力在不同的条件下有显著的差异。,21 半导体物理基础,物质按导电能力可分为。

8、半导体器件可靠性与测试,北京大学微电子学系王金延,解冰,课程的目的,了解半导体器件可靠性研究的发展过程,熟悉引起半导体电路失效的主要模式,熟悉引起器件退化的主要退化机制,基本掌握器件退化的主要表征技术和检测方法,课程目的,课程的要求,知道引。

9、第四章 平衡半导体1,0,高等半导体物理与器件第四章 平衡半导体1,第四章 平衡半导体1,1,前章概要,内层允带都为满带,导带：基本无电子占据,价带：价电子占满,导带之上仍有很多允带，但都为空带,1半导体材料能带图,第四章 平衡半导体1,2。

10、0,高等半导体物理与器件第十章 金属氧化物半导体场效应晶体管基础,第十章 金属氧化物半导体场效应晶体管基础,1,主要内容,双端MOS结构电容电压特性MOSFET基本工作原理频率限制特性小结,第十章 金属氧化物半导体场效应晶体管基础,2,10。

11、,第一章 太阳能电池的工作原理和基本特性 之半导体物理基础,1半导体的性质,世界上的物体如果以导电的性能来区分，有的容易导电，有的不容易导电。容易导电的称为导体，如金银铜铝铅锡等各种金属；不容易导电的物体称为绝缘体，常见的有玻璃橡胶塑料石英。

12、第七章 pn结,0,高等半导体物理与器件第七章 pn结,第七章 pn结,1,双极晶体管,n结二极管,肖特基二极管,欧姆接触,JFETMESFETMOSFETHEMT,从物理到器件,MOS结,双端MOS结构,统计物理,能带理论,第七章 pn结。

13、半导体物理与器件,陈延湖,理想半导体：原子严格地周期性排列，晶体具有完整的晶格结构原子是静止的晶体中无杂质，无缺陷。,电子在周期场中作共有化运动，形成允带和禁带电子能量只能处在允带中的能级上，禁带中无能级。且由本征激发提供载流子。,实际半导。

14、第二章 量子力学初步,0,高等半导体物理与器件第二章 量子力学初步,第二章 量子力学初步,1,本章内容1. 量子力学的基本原理 2. 薛定谔波动方程 3. 薛定谔波动方程的应用 4.原子波动理论的延伸 5. 小结,第二章 量子力学初步,2,。

15、半导体器件可靠性与测试,北京大学微电子学系王金延,解冰,课程的目的,了解半导体器件可靠性研究的发展过程,熟悉引起半导体电路失效的主要模式,熟悉引起器件退化的主要退化机制,基本掌握器件退化的主要表征技术和检测方法,课程目的,课程的要求,知道引。

16、微电子学概论,第二章半导体物理与器件,半导体物理学刘恩科等著国防工业出版社半导体物理学叶良修高等教育出版社半导体物理与器件,第版,美,著,赵毅强等译半导体器件物理与工艺,美,施敏,著,王阳元等译,导论半导体及其基本特性半导体中的载流子半导体。

17、0,高等半导体物理与器件第十章 金属氧化物半导体场效应晶体管基础,第十章 金属氧化物半导体场效应晶体管基础,1,主要内容,双端MOS结构电容电压特性MOSFET基本工作原理频率限制特性小结,第十章 金属氧化物半导体场效应晶体管基础,2,10。

18、第八章 pn结二极管,1,高等半导体物理与器件第八章 pn结二极管,第八章 pn结二极管1高等半导体物理与器件第八章 p,第八章 pn结二极管,2,n结电流产生复合电流和大注入pn结的小信号模型,本章内容,第八章 pn结二极管2pn结电流本。

19、迁移率与杂质浓度和温度的关系,庞智勇山东大学物理学院本幻灯片参照刘恩科等所编著教材半导体物理学编写,半导体物理 Semiconductor Physics,本节采用简单的模型来讨论电导率迁移率和散射几率的关系，进而讨论它们与杂质浓度和温度的。