半导体物理学

1、上海交通大学成教院电子科学与技术专业,半导体物理学,电话,上海交通大学微纳科学技术研究院,陆鸣,教学目标,通过半导体中电子运动规律及其性质的学习,引导学生了解半导体物理的基本分析方法,从半导体中载流子的运动规律出发,掌握半导体的基本导电理论。

2、半导体物理,第六章,结,结及其能带图,结的电流电压特性,结电容,结击穿,结隧道效应,结及其其能带图,结的形成,结的基本概念,结及其能带图,结的形成和杂质分析,在同一片半导体基片上,分别制造型半导体和型半导体,经过载流子的扩散,在它们的交界面。

3、半导体物理学基本概念有效质量,载流子在晶体中的表观质量,它体现了周期场对电子运动的影响,其物理意义,1,有效质量的大小仍然是惯性大小的量度,2,有效质量反映了电子在晶格与外场之间能量和动量的传递,因此可正可负,空穴,是一种准粒子,代表半导体。

4、半导体物理与器件物理Semiconductor Physics and Device Physics,2019.4,主要教材:半导体物理学，刘恩科，朱秉升，罗晋生，电子工业出版社，2019年11月第7版 半导体器件物理与工艺，施敏著，赵鹤鸣。

5、4,6扩散与离子注入,杂质掺杂,掺杂,将需要的杂质掺入特定的半导体区域中,以达到改变半导体电学性质,形成PN结,电阻,欧姆接触磷,P,砷,As,N型硅硼,B,P型硅掺杂工艺,扩散,离子注入,扩散,替位式扩散,杂质离子占据硅原子的位,族元素一。

6、半 导 体 物 理 学,Semiconductor Physics,半导体中的电子状态, 半导体中的杂质和缺陷能级,半导体的导电性,热平衡时半导体中的载流子的统计分布,非平衡载流子,金属和半导体的接触,本课程理论教学主要内容：,半导体表面理。

7、第一章半导体中的电子状态锗和硅的晶体结构特征金刚石结构的基本特征半导体中的电子状态和能带电子共有化运动概念绝缘体,半导体和导体的能带特征,几种常用半导体的禁带宽度,本征激发的概念半导体中电子的运动有效质量导带底和价带顶附近的E,k,k关系。

8、半导体中的电子状态半导体中杂质和缺陷能级半导体中载流子的统计分布半导体的导电性非平衡载流子pn结金属和半导体的接触半导体表面与MIS结构半导体异质结,半导体物理学,第二章半导体中杂质和缺陷能级,半导体偏离理想的情况,2,材料含杂质,不纯净。

9、半导体器件可靠性与测试,北京大学微电子学系王金延,解冰,课程的目的,了解半导体器件可靠性研究的发展过程,熟悉引起半导体电路失效的主要模式,熟悉引起器件退化的主要退化机制,基本掌握器件退化的主要表征技术和检测方法,课程目的,课程的要求,知道引。

10、固体与半导体物理学,复习,2,第二章晶体的结合复习,第二章要求了解晶体的几种典型结合方式,了解元素电负性的基本概念,了解元素电负性与元素结合的规律,掌握晶体结合能的概念及结合能与晶体性质之间的关系,了解分子晶体的范德瓦尔斯力,掌握雷纳德,琼。

11、半导体器件可靠性与测试,北京大学微电子学系王金延,解冰,课程的目的,了解半导体器件可靠性研究的发展过程,熟悉引起半导体电路失效的主要模式,熟悉引起器件退化的主要退化机制,基本掌握器件退化的主要表征技术和检测方法,课程目的,课程的要求,知道引。

12、半导体物理SEMICONDUCTOR PHYSICS,1,第六章 pn结,1 pn结及其能带图 2 pn结的电流电压特性 3 pn结电容 4 pn结击穿 5 pn结隧道效应,2,3, 6.1 pn结及其其能带图,1 pn结的形成 2 pn结。

13、半导体物理学刘恩科期末知识点总结,半导体物理基础复习,考核方式闭卷考试,可使用没有存储功能简单计算器或科学计算器评估以期末总评成绩为准,总评成绩,平时成绩,40,期末考试,60,平时成绩包括,考勤,课堂练习,作业等,考试相关,n时间,7月4。

14、半导体物理学,李斌斌,教材,半导体物理学刘恩科国防工业出版社建议120学时,现有36学时,本课程主要内容,1,半导体的电子状态2,半导体中的杂质和缺陷能级3,半导体中载流子的统计分布4,半导体的导电性5,非平衡载流子6,p,n结7,金属和半。

15、主要内容,杂质分类,施主杂质,受主杂质,施主能级,受主能级,浅能级杂质,类氢模型估算浅能级杂质电离能,估算浅能级杂质的弱束缚载流子基态轨道半径,杂质的补偿,深能级杂质,等电子陷阱,等电子杂质,杂质的双性行为,点缺陷的种类,反结构缺陷,位错和。

16、半导体物理与器件物理,主要教材,半导体物理学,刘恩科,朱秉升,罗晋生,电子工业出版社,年月第版半导体器件物理与工艺,施敏著,赵鹤鸣,钱敏,黄秋萍译,苏州大学出版社,年月第版主要参考书,半导体物理与器件,第三版,著,电子工业出版社现代半导体器。

17、半 导 体 物 理 学,Semiconductor Physics,半导体中的电子状态, 半导体中的杂质和缺陷能级,半导体的导电性,热平衡时半导体中的载流子的统计分布,非平衡载流子,金属和半导体的接触,本课程理论教学主要内容：,半导体表面理。

18、半导体物理学,刘恩科,半导体物理学,教材,半导体物理学,第六版,刘恩科等编著,电子工业出版社参考书,半导体物理与器件,第三版,DonaldA,Neamen著,电子工业出版社,课程考核办法,本课采用开卷笔试的考核办法,第九周安排一次期中考试。

19、第六章 pn结,6.1 pn结及其能带图 6.2 pn结电流电压特性6.3 pn结电容6.4 pn结击穿6.5 pn结隧道效应,6.1 pn结及其能带图,冶金结P区和n区的交界面突变结线性缓变结超突变结突变结均匀分布，交界处突变,6.1 p。

20、第二章半导体中的杂质和缺陷,理想半导体,1,原子严格周期性排列,具有完整的晶格结构,2,晶体中无杂质,无缺陷,3,电子在周期场中作共有化运动,形成允带和禁带电子能量只能处在允带中的能级上,禁带中无能级,本征半导体晶体具有完整的,完美的,晶格。