.,第二章 太阳能电池原理,2.1 半导体物理基础 2.2 太阳电池物理基础,.,2.1 半导体物理基础,2.1.1半导体的能带结构,1原子的能级和晶体的能带,制造半导体器件所用的材料大多是单晶体。单晶体是由靠得很紧密的原子周期性重复排列而,第五章电荷输运现象,在电场和磁场作用下,半导体中电子和空穴
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1、.,第二章 太阳能电池原理,2.1 半导体物理基础 2.2 太阳电池物理基础,.,2.1 半导体物理基础,2.1.1半导体的能带结构,1原子的能级和晶体的能带,制造半导体器件所用的材料大多是单晶体。单晶体是由靠得很紧密的原子周期性重复排列而。
2、第五章电荷输运现象,在电场和磁场作用下,半导体中电子和空穴的运动引起各种电荷输运现象,主要包括电导霍尔效应和磁阻。 这些现象是研究半导体基本特性和内部机构的重要方面。通过电导和霍尔效应的测量,可以确定半导体中载流子浓度迁移率和杂质电离能等基。
3、半导体物理学,主讲人:代国章 物理楼110室,13786187882Email:,课程代码:14010022课程性质:专业课程选修课 学分:3.0时间:周二7, 8单周周三1, 2教室:D座103课程特点:内容广概念多,理论和系统性较强。课。
4、第七章 超声波物理,超声ultrosound,US,高频机械波,20000Hz1015Hz,人耳感觉不到超声波,20Hz20000Hz,诊断超声,频率高波长短方向性强能量大危害小,人耳听阈,1MHz106Hz100MHz,第一节 超声波物理。
5、1,第七章 波动,2,7.1 机械波的形成和特征,7.2 行波,简谐波,7.4 波动方程,7.3 物体的弹性形变,7.6 惠更斯原理,7.5 波的能量,7.7 波的叠加和驻波,7.8 声波,7.9 多普勒效应,7.10 复波,群速度,7.1。
6、甘肃省,物理,机械能,第十一讲,1知道物体的动能重力势能包括弹性势能与哪些因素有关,知道机械能的概念。2能通过具体的实例,说明物体的动能和势能之间是可以相互转化的。,一动能和势能1能:一个物体能够做功,就说这个物体具有,它是表示物体做功本领。
7、机械波,第七章,波动是一切微观粒子的属性,与微观粒子对应的波称为物质波。,各种类型的波有其特殊性,但也有普遍的共性,有类似的波动方程。,机械振动在介质中的传播称为机械波。声波水波,71 机械波的产生和传播,一机械波的产生条件,1有作机械振动。
8、0,高等半导体物理与器件第十章 金属氧化物半导体场效应晶体管基础,第十章 金属氧化物半导体场效应晶体管基础,1,主要内容,双端MOS结构电容电压特性MOSFET基本工作原理频率限制特性小结,第十章 金属氧化物半导体场效应晶体管基础,2,10。
9、分子的振动能级,量子化,1,双原子分子的简谐振动及其频率化学键的振动类似于连接两个小球的弹簧,补充1简正振动,该振动符合物理学上的简谐运动,遵从虎克定律,从上式可看出,振动频率与键能成正比,与原子的折合质量成反比,发生振动能级跃迁需要能量的。
10、,一孤立原子中的电子状态1. 单电子原子 m0为电子惯性质量,q是电子电荷,h为普朗克常数, 0是真空中介电常数。,根据上式可以得到图2.1所示的氢原子能级图。表明孤立原子中电子 能量是不连续的,电 子能量是各个分立的 能量确定值,称为能级。
11、第六章 pn结,6.1 pn结及其能带图 6.2 pn结电流电压特性6.3 pn结电容6.4 pn结击穿6.5 pn结隧道效应,6.1 pn结及其能带图,冶金结P区和n区的交界面突变结线性缓变结超突变结突变结均匀分布,交界处突变,6.1 p。
12、半导体物理与器件Semiconductor Physics andDevices,陕西科技大学物理教研室管志花201020112,课程简介课本:Neamen 美,赵毅强译,半导体物理与器件参考书:1.Charles Kittel,固体物理导。
13、超材料,超材料,是本世纪物理学领域出现的一个新的学术词汇,目前尚未有一个严格的,权威的定义,但一般文献中都认为是,具有天然材料所不具备的超常物理性质的人工复合结构或复合材料,超材料的特点,通常是具有新奇人工结构的复合材料,具有超常的物理性质。
14、第六章 pn结,本章主要内容,6.1 pn结及其能带图; 6.2 pn结电流电压特性; 6.3 pn结电容; 6.4 pn结击穿特性; 6.5 pn隧道特性;,Pn相关器件认识,二极管,整流桥,主要面向计算机主板硬盘驱动器手机充电器紧急照明。
15、第六章 pn结,本章主要内容,6.1 pn结及其能带图; 6.2 pn结电流电压特性; 6.3 pn结电容; 6.4 pn结击穿特性; 6.5 pn隧道特性;,Pn相关器件认识,二极管,整流桥,主要面向计算机主板硬盘驱动器手机充电器紧急照明。
16、茅惠兵信息科学技术学院,半导体物理SemiconductorPhysics,第一章半导体中的电子状态,1,1晶体结构预备知识,半导体晶体结构1,晶体结构的描述,有关的名词,格点,空间,一维或多维,点阵中的点,结点,晶列,通过任意两格点所作的。
17、9.5 欧姆接触,金属半导体接触,整流接触肖特基势垒,非整流接触欧姆接触,肖特基接触的特点是接触区的电流电压特性是非线性的,呈现出二极管的特性,因而具有整流效应,所以肖特基接触又叫整流接触。欧姆接触的特点是不产生明显的附加阻抗,而且不会使半。
18、,第三章 SOI MOS器件SOI Silicon On Insulator绝缘体上硅,3.1 特点与优势,1 寄生效应小 采用SOI衬底,可以制造准理想器件。器件的完整介质隔离避免了体硅器件中存在的大部分寄生效应。体硅MOS器件中大多数寄。
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20、第一章半导体物理基础,半导体中的电子状态载流子的统计分布简并半导体载流子的散射载流子的输运非平衡载流子,1,本课程的主要内容研究由不同半导体材料组成半导体器件时,载流子的运动规律和电压,电流等电学特性,方法,1,分析半导体器件时,应先将整个。