半导体物理课件cha课件

1、.,第二章 太阳能电池原理,2.1 半导体物理基础 2.2 太阳电池物理基础,.,2.1 半导体物理基础,2.1.1半导体的能带结构,1原子的能级和晶体的能带,制造半导体器件所用的材料大多是单晶体。单晶体是由靠得很紧密的原子周期性重复排列而。

2、第5节光的色散,第5节光的色散,演示实验:太阳光照到射三棱镜上，从三菱镜射出的光有什么变化呢,17世纪以前,人们一直认为白色是最单纯的颜色.直到1666年,英国物理学家牛顿用玻璃三棱镜分解了太阳光，这才揭开了光的颜色之谜。,演示实验:17世。

3、第二章 光电检测器件工作原理及特性,第二章 光电检测器件工作原理及特性,半导体物理基础 光电检测器件的物理基础 光电检测器件的特性参数,一半导体的特性,半导体的导电能力在不同的条件下有显著的差异。,21 半导体物理基础,物质按导电能力可分为。

4、9.5 欧姆接触,金属半导体接触,整流接触肖特基势垒,非整流接触欧姆接触,肖特基接触的特点是接触区的电流电压特性是非线性的，呈现出二极管的特性，因而具有整流效应，所以肖特基接触又叫整流接触。欧姆接触的特点是不产生明显的附加阻抗，而且不会使半。

5、第五章电荷输运现象,在电场和磁场作用下，半导体中电子和空穴的运动引起各种电荷输运现象，主要包括电导霍尔效应和磁阻。 这些现象是研究半导体基本特性和内部机构的重要方面。通过电导和霍尔效应的测量，可以确定半导体中载流子浓度迁移率和杂质电离能等基。

6、微电子学概论,第二章半导体物理与器件,半导体物理学刘恩科等著国防工业出版社半导体物理学叶良修高等教育出版社半导体物理与器件,第版,美,著,赵毅强等译半导体器件物理与工艺,美,施敏,著,王阳元等译,导论半导体及其基本特性半导体中的载流子半导体。

7、第一章太阳能电池的工作原理和基本特性之半导体物理基础,1,半导体的性质,世界上的物体如果以导电的性能来区分,有的容易导电,有的不容易导电,容易导电的称为导体,如金,银,铜,铝,铅,锡等各种金属,不容易导电的物体称为绝缘体,常见的有玻璃,橡胶。

8、0,高等半导体物理与器件第十章 金属氧化物半导体场效应晶体管基础,第十章 金属氧化物半导体场效应晶体管基础,1,主要内容,双端MOS结构电容电压特性MOSFET基本工作原理频率限制特性小结,第十章 金属氧化物半导体场效应晶体管基础,2,10。

9、,第一章 太阳能电池的工作原理和基本特性 之半导体物理基础,1半导体的性质,世界上的物体如果以导电的性能来区分，有的容易导电，有的不容易导电。容易导电的称为导体，如金银铜铝铅锡等各种金属；不容易导电的物体称为绝缘体，常见的有玻璃橡胶塑料石英。

10、拟祖竖精熏潘幌澡匪穷锄迭肤帛灵凄点瞬赡即构痊自恤熟号干颜脾辱映帅届河北正定中学12月4日高考备考策略物理课件120pp届河北正定中学12月4日高考备考策略物理课件120pp,乞甲绣错得穷舰字脖密谋落耀绍显讥怯偏憾缠怂癸癣冈剥算胎婆控蹄次辟届。

11、第六章 pn结,本章主要内容,6.1 pn结及其能带图； 6.2 pn结电流电压特性； 6.3 pn结电容； 6.4 pn结击穿特性； 6.5 pn隧道特性；,Pn相关器件认识,二极管,整流桥,主要面向计算机主板硬盘驱动器手机充电器紧急照明。

12、半导体物理与器件Semiconductor Physics andDevices,陕西科技大学物理教研室管志花201020112,课程简介课本：Neamen 美，赵毅强译,半导体物理与器件参考书:1.Charles Kittel,固体物理导。

13、半导体物理学,主讲人：代国章 物理楼110室，13786187882Email:gzdai2019csu.edu,课程代码：14010022课程性质：专业课程选修课 学分：3.0时间：周二7, 8单周周三1, 2教室：D座103课程特点：内。

14、第二章 改变世界的热机 复习课件,教科版九年级上册 物理 课件 第二章 改变世界的热机 复习课件共16张PPT,教科版九年级上册 物理 课件 第二章 改变世界的热机 复习课件共16张PPT,第二章 改变世界的热机 复习课件教科版九年级上册 。

15、半导体物理基础,第一章半导体的一般特性,导体,绝缘体和半导体能带,电导率,介于导体与绝缘体之间,导体,绝缘体,半导体,与温度,光照,湿度等密切相关,半导体材料种类,元素,化合物,合金,指两种或多种金属混合,形成某种化合物,晶体结构,金刚石结。

16、第六章 pn结,本章主要内容,6.1 pn结及其能带图； 6.2 pn结电流电压特性； 6.3 pn结电容； 6.4 pn结击穿特性； 6.5 pn隧道特性；,Pn相关器件认识,二极管,整流桥,主要面向计算机主板硬盘驱动器手机充电器紧急照明。

17、第六章 pn结,6.1 pn结及其能带图 6.2 pn结电流电压特性6.3 pn结电容6.4 pn结击穿6.5 pn结隧道效应,6.1 pn结及其能带图,冶金结P区和n区的交界面突变结线性缓变结超突变结突变结均匀分布，交界处突变,6.1 p。

18、迁移率与杂质浓度和温度的关系,庞智勇山东大学物理学院本幻灯片参照刘恩科等所编著教材半导体物理学编写,半导体物理 Semiconductor Physics,本节采用简单的模型来讨论电导率迁移率和散射几率的关系，进而讨论它们与杂质浓度和温度的。

19、半导体物理SEMICONDUCTORPHYSICS,西安电子科技大学微电子学院,3,1导带电子浓度与价带空穴浓度3,2本征载流子浓度与本征费米能级3,3杂质半导体的载流子浓度3,4简并半导体及其载流子浓度3,5非平衡载流子的产生与复合准费米。

20、半导体物理SEMICONDUCTORPHYSICS,西安电子科技大学微电子学院,第四章半导体中载流子的输运现象,4,1载流子的漂移运动与迁移率4,2半导体中的主要散射机构迁移率与平均自由时间的关系4,3半导体的迁移率,电阻率与杂质浓度和温度。