半导体物理

1、.,第二章 太阳能电池原理,2.1 半导体物理基础 2.2 太阳电池物理基础,.,2.1 半导体物理基础,2.1.1半导体的能带结构,1原子的能级和晶体的能带,制造半导体器件所用的材料大多是单晶体。单晶体是由靠得很紧密的原子周期性重复排列而。

2、半导体物理讲义晶体结构晶格1晶格相关的基本概念1,2,3,4,5,6,7,晶体,原子周期排列,有周期性的物质,晶体结构,原子排列的具体形式,晶格,典型单元重复排列构成晶格,晶胞,重复性的周期单元,晶体学晶胞,反映晶格对称性质的最小单元,晶格。

3、半导体物理基础,第一章半导体的一般特性,导体,绝缘体和半导体能带,电导率,介于导体与绝缘体之间,导体,绝缘体,半导体,与温度,光照,湿度等密切相关,半导体材料种类,元素,化合物,合金,指两种或多种金属混合,形成某种化合物,晶体结构,金刚石结。

4、非平衡载流子的产生与复合,非平衡载流子,产生率,复合率,如果在外界作用下,平衡条件破坏,偏离了热平衡的状态,非平衡状态,外界作用使半导体中产生非平衡载流子的过程叫非平衡载流子的注入,光照引起的附加光电导,通过附加电导率测量可计算非平衡载流子。

5、第六章 pn结,6.1 pn结及其能带图 6.2 pn结电流电压特性6.3 pn结电容6.4 pn结击穿6.5 pn结隧道效应,6.1 pn结及其能带图,冶金结P区和n区的交界面突变结线性缓变结超突变结突变结均匀分布，交界处突变,6.1 p。

6、茅惠兵信息科学技术学院,半导体物理SemiconductorPhysics,第一章半导体中的电子状态,1,1晶体结构预备知识,半导体晶体结构1,晶体结构的描述,有关的名词,格点,空间,一维或多维,点阵中的点,结点,晶列,通过任意两格点所作的。

7、半导体物理复试指导注,结合半导体物理季振国编著浙江大学出版社重点看第二章半导体材料的成分与结构第三章晶体中电子的能带第一章量子力学初步1,光电效应,康普顿散射证明电磁波除了具有波动性外,还具有性,即光具有,2,受爱因斯坦光量子的启发,德布罗。

8、第一章半导体物理基础,半导体中的电子状态载流子的统计分布简并半导体载流子的散射载流子的输运非平衡载流子,1,本课程的主要内容研究由不同半导体材料组成半导体器件时,载流子的运动规律和电压,电流等电学特性,方法,1,分析半导体器件时,应先将整个。

9、第一章太阳能电池的工作原理和基本特性之半导体物理基础,1,半导体的性质,世界上的物体如果以导电的性能来区分,有的容易导电,有的不容易导电,容易导电的称为导体,如金,银,铜,铝,铅,锡等各种金属,不容易导电的物体称为绝缘体,常见的有玻璃,橡胶。

10、半导体物理学,主讲人：代国章 物理楼110室，13786187882Email:gzdai2019csu.edu,课程代码：14010022课程性质：专业课程选修课 学分：3.0时间：周二7, 8单周周三1, 2教室：D座103课程特点：内。

11、半导体物理,光源与照明,第五章非平衡载流子,处于热平衡状态的半导体，在一定温度下，载流子浓度是一定的。这种处于热平衡状态下的载流子浓度称为平衡载流子浓度。热平衡时，载流子的产生及复合相等，则有GR。统一的费米能级是热平衡状态的标志。非平衡态。

12、第六章 pn结,本章主要内容,6.1 pn结及其能带图； 6.2 pn结电流电压特性； 6.3 pn结电容； 6.4 pn结击穿特性； 6.5 pn隧道特性；,Pn相关器件认识,二极管,整流桥,主要面向计算机主板硬盘驱动器手机充电器紧急照明。

13、9.5 欧姆接触,金属半导体接触,整流接触肖特基势垒,非整流接触欧姆接触,肖特基接触的特点是接触区的电流电压特性是非线性的，呈现出二极管的特性，因而具有整流效应，所以肖特基接触又叫整流接触。欧姆接触的特点是不产生明显的附加阻抗，而且不会使半。

14、第五章电荷输运现象,在电场和磁场作用下，半导体中电子和空穴的运动引起各种电荷输运现象，主要包括电导霍尔效应和磁阻。 这些现象是研究半导体基本特性和内部机构的重要方面。通过电导和霍尔效应的测量，可以确定半导体中载流子浓度迁移率和杂质电离能等基。

15、,第一章 太阳能电池的工作原理和基本特性 之半导体物理基础,1半导体的性质,世界上的物体如果以导电的性能来区分，有的容易导电，有的不容易导电。容易导电的称为导体，如金银铜铝铅锡等各种金属；不容易导电的物体称为绝缘体，常见的有玻璃橡胶塑料石英。

16、第六章 pn结,本章主要内容,6.1 pn结及其能带图； 6.2 pn结电流电压特性； 6.3 pn结电容； 6.4 pn结击穿特性； 6.5 pn隧道特性；,Pn相关器件认识,二极管,整流桥,主要面向计算机主板硬盘驱动器手机充电器紧急照明。

17、半导体物理与器件Semiconductor Physics andDevices,陕西科技大学物理教研室管志花201020112,课程简介课本：Neamen 美，赵毅强译,半导体物理与器件参考书:1.Charles Kittel,固体物理导。

18、0,高等半导体物理与器件第十章 金属氧化物半导体场效应晶体管基础,第十章 金属氧化物半导体场效应晶体管基础,1,主要内容,双端MOS结构电容电压特性MOSFET基本工作原理频率限制特性小结,第十章 金属氧化物半导体场效应晶体管基础,2,10。

19、常用半导体的能带结构,庞智勇山东大学物理学院本幻灯片参照刘恩科等所编著教材半导体物理学编写,半导体物理 Semiconductor Physics,硅和锗的导带结构,硅导带极小值在k空间方向，能谷通常把导带极小值附近的能带形象地称为能谷中心。

20、迁移率与杂质浓度和温度的关系,庞智勇山东大学物理学院本幻灯片参照刘恩科等所编著教材半导体物理学编写,半导体物理 Semiconductor Physics,本节采用简单的模型来讨论电导率迁移率和散射几率的关系，进而讨论它们与杂质浓度和温度的。