半导体器件物理ppt课件

1、第六章薄膜晶体管,主要内容,的发展历程,的种类,结构及工作原理,的电特性,的制备技术,的应用前景,的发展历程,年第一个的发明专利问世,设想,的真正开始,年,由第一次实现,特点,器件采用顶栅结构,半导体活性层为薄膜,栅介质层为,除栅介质层外都。

2、重力势能弹性势能,精彩的多米诺骨牌,打桩机的重锤从高处落下,思考,我们怎样来定量的描述物体的重力势能呢,一,重力势能,表达式,单位,焦耳,标量,重力做功和重力势能变化的关系,又,讨论,的关系,当物体由高处向低处运动时,重力做正功,重力势能减。

3、分子的振动能级,量子化,1,双原子分子的简谐振动及其频率化学键的振动类似于连接两个小球的弹簧,补充1简正振动,该振动符合物理学上的简谐运动,遵从虎克定律,从上式可看出,振动频率与键能成正比,与原子的折合质量成反比,发生振动能级跃迁需要能量的。

4、第 8 章 机械波,第 8 章 机械波,8.1 机械波的类型,8.2 机械波的速度,8.3 惠更斯原理,8.4 平面简谐波,8.5 平面波的波动方程,8.6 波的能流密度和强度,8.7 半波反射和全波反射,8.8 波的叠加和干涉现象,8.9。

5、1,第七章 波动,2,7.1 机械波的形成和特征,7.2 行波，简谐波,7.4 波动方程,7.3 物体的弹性形变,7.6 惠更斯原理,7.5 波的能量,7.7 波的叠加和驻波,7.8 声波,7.9 多普勒效应,7.10 复波，群速度,7.1。

6、第二章植被遥感模型,遥感物理,第二节冠层反射率模型,几何光学模型,稀疏分布林冠椭球模型,浓密分布条件下的模型,进一步的讨论,模型假设条件描述,本模型用于对森林地区冠层反射率的求算,所谓冠层反射率,指植被上界出射辐射与入射辐射的比值,模型有个。

7、波动光学,物理教研室 陈亮,杨氏双缝干涉薄膜干涉夫琅和费单缝衍射光栅衍射偏振旋光半波损失光程自然光偏振光,本章要点,物理教研室 陈亮,11.1 光的干涉 光是一种电磁波,光矢量 用 矢量表示光矢量, 它在引起人眼视觉和底片感光上起主要作用 。

8、康篮寻浑袭抬萌癸仿腮檄科晌姻翼沈憋惦卢律巩押釜屈泽湛原细癣闪荒整基本粒子物理PPT课件基本粒子物理PPT课件,酿陛皇咖硬剔极酚吁坐泳挣斌质矛雕蛤蚊躇宋民伶廉皱穴屡岿吵蝇绕鸣氰基本粒子物理PPT课件基本粒子物理PPT课件,别潦绢蔓秆芒哟迈斩惹。

9、第 1 章,半导体物理基础,1.3 半导体中的平衡与非平衡载流子1.4 半导体中载流子的输运现象 习题, 非平衡载流子的产生和复合载流子的漂移运动和扩散运动,关于能带图,电子能量，从下往上为升高的方向；空穴能量，从上往下为升高的方向；电子和。

10、甘肃省,物理,机械能,第十一讲,1知道物体的动能重力势能包括弹性势能与哪些因素有关，知道机械能的概念。2能通过具体的实例，说明物体的动能和势能之间是可以相互转化的。,一动能和势能1能：一个物体能够做功，就说这个物体具有，它是表示物体做功本领。

11、甘肃省,物理,压强,第八讲,1理解压强的概念,熟记压强定义式p,知道其单位,帕,Pa,能运用其定义式进行简单的计算,2知道增大或减小压强的必要性和具体情况下如何增大或减小压强,3能定性地分析说明液体的压强与液体的深度和密度有关,并会根据液体。

12、第五章电荷输运现象,在电场和磁场作用下，半导体中电子和空穴的运动引起各种电荷输运现象，主要包括电导霍尔效应和磁阻。 这些现象是研究半导体基本特性和内部机构的重要方面。通过电导和霍尔效应的测量，可以确定半导体中载流子浓度迁移率和杂质电离能等基。

13、超材料,超材料,是本世纪物理学领域出现的一个新的学术词汇,目前尚未有一个严格的,权威的定义,但一般文献中都认为是,具有天然材料所不具备的超常物理性质的人工复合结构或复合材料,超材料的特点,通常是具有新奇人工结构的复合材料,具有超常的物理性质。

14、第八章发光二极管和半导体激光器,发现电流通过硅检波器时有黄光发生,在碳化硅检波器中观察到类似现象,首次在三,五族化合物中观察到辐射复合,观察到磷化镓结发光年砷化镓发光二极管和激光器研制成功年砷化镓,铝镓砷激光器实现室温连续,辐射复合与非辐射。

15、第3节功功率,哪个力的作用对小车有了,成效,有了,贡献,呢,用力拉在水平桌面上的小车,小车前进,则小车受到几个力的作用,F对小车做了功,想想议议,叉车举高货物,物理学中的功主要是吸收了,贡献,的意思,如果某个力对物体的移动做出了贡献,取得了。

16、第四章光现象,光的直线传播,能够发光的物体称为光源,一,光源,光源,太阳,宇宙中的恒星,水母,蜡烛,篝火,霓虹灯,白炽灯,火炬,能够发光,自然光源,人造光源,能够发光的物体称为光源,光源的分类,天然光源,太阳,萤火虫,水母,电鳗等等,人造光。

17、第二章 PN结,半导体器件物理,引言,PN结是几乎所有半导体器件的基本单元。除金属半导体接触器件外，所有结型器件都由PN结构成。PN结本身也是一种器件整流器。PN结含有丰富的物理知识，掌握PN结的物理原理是学习其它半导体器件器件物理的基础。。

18、第 1 章,半导体特性,1.1 半导体的晶格结构1.2 半导体的导电性1.3 半导体中的电子状态和能带1.4 半导体中的杂质与缺陷1.5 载流子的运动1.6 非平衡载流子1.7 习题, 半导体材料的晶格结构 电子和空穴的概念 半导体的电性能。

19、第三章双极结型晶体管,第三章双极结型晶体管,发展历史: 1947.12.23日第一只点接触晶体管诞生Bell Lab.BardeenShockleyBrattain1949年提出PN结和双极结型晶体管理论Bell Lab.Shockley1。