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半导体器件物理第三章PN结

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半导体器件物理第三章PN结Tag内容描述:

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2、第三章作业题,硅突变结二极管的掺杂浓度为,在室温下计算,内建电势差,零偏压时的耗尽区宽度,零偏压下的最大内建电场,推导结空间电荷区内建电势差公式,推导加偏压的结空间电荷区边缘非平衡少子浓度值公式,推导杂质分布公式,长结二极管处于反偏压状态。

3、第一章 常用半导体器件,1.1 半导体基础知识1.2 半导体二极管1.3 双极型晶体管1.4 场效应管1.5 单结晶体管和晶闸管1.6 集成电路中的元件,返回,腐址蓄弗幌丑扁靡涌铰屈万攒膏加掏枣敏是抖孽辟毅郴谎勘乞露廓疾仍玩模拟电子技术基础。

4、物理学科知识与教学能力,中学,教师资格,统考,第三节热学,光学,近代物理理论,一,热学,一,分子动理论1,分子动理论的三个观点,1,物体是有大量的分子组成的一般认为分子直径大小的数量级为10,10m,固体,液体被理想化地认为各分子是一个挨一。

5、微电子学概论,第二章半导体物理与器件,半导体物理学刘恩科等著国防工业出版社半导体物理学叶良修高等教育出版社半导体物理与器件,第版,美,著,赵毅强等译半导体器件物理与工艺,美,施敏,著,王阳元等译,导论半导体及其基本特性半导体中的载流子半导体。

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9、HEMT,High Electron Mobility Transistor,高电子迁移率晶体管,小组成员,制作PPT,收集资料,1,t课件,介绍内容,2,t课件,一.HEMT简介,HEMT,高电子迁移率晶体管是一种异质结场效应晶体管,又称。

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11、高一物理第三章相互作用,授课,浦江县第二中学陈枫林,弹力,2,1,形变,物体的形状或体积的改变,叫做形变,2,形变类型,2,形变的类型,拉伸形变,或压缩形变,弯曲形变,扭转形变,3,弹性形变,物体在形变后能够恢复原状的形变叫弹性形变,弹簧被。

12、1,第一章半导体器件基础知识,2,第一章半导体器件基础知识,第二节,第三节,第四节,本章概述,半导体器件是电子线路的核心器件,只有掌握半导体器件的结构,性能,工作原理和特点,才能正确分析电子电路工作原理,正确选择和合理使用半导体器件,本章主。

13、电子学基础,第一章半导体器件的特性,1,1半导体的导电特性1,2PN结1,3二极管1,4双极型晶体管1,5场效应管,第一章半导体器件的特性,1,1半导体的导电特性,一,本征半导体的导电特性二,杂质半导体的导电特性,第一章半导体器件的特性1。

14、第三章,高分子溶液,重点和要求,1,了解不同聚合物的溶解过程差异,2,从FloryHuggins晶格模型理论出发,所推导出的高分子溶液混合过程的混合热,混合熵,混合自由能和化学位与小分子理想溶液的差别及产生差别的原因,3,何为溶液,4,相分。

15、,重 力 与 弹 力,第三章 相互作用力,1.力是使物体运动状态发生变化 的原因。,2.力是使物体发生形变的原因。,力的作用效果:,1. 定义:,物体与物体之间的相互作用称为力。,力不能离开物体施力物体和受力物体而单独存在。,2. 物质性:。

16、第三章双极结型晶体管,第三章双极结型晶体管,发展历史: 1947.12.23日第一只点接触晶体管诞生Bell Lab.BardeenShockleyBrattain1949年提出PN结和双极结型晶体管理论Bell Lab.Shockley1。

17、第二章 PN结,半导体器件物理,引言,PN结是几乎所有半导体器件的基本单元。除金属半导体接触器件外,所有结型器件都由PN结构成。PN结本身也是一种器件整流器。PN结含有丰富的物理知识,掌握PN结的物理原理是学习其它半导体器件器件物理的基础。。

18、第三章作业题,硅突变结二极管的掺杂浓度为,在室温下计算,内建电势差,零偏压时的耗尽区宽度,零偏压下的最大内建电场,推导结空间电荷区内建电势差公式,推导加偏压的结空间电荷区边缘非平衡少子浓度值公式,推导杂质分布公式,长结二极管处于反偏压状态。

19、初二物理第三章第一节温度练习题及答案课件,初二物理第三章第一节温度练习题及答案课件,初二物理第三章第一节温度练习题及答案课件,初二物理第三章第一节温度练习题及答案课件,初二物理第三章第一节温度练习题及答案课件,初二物理第三章第一节温度练习题。

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