半导体激光器材料的研究进展-第八组

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9、杨士勇主任研究员中国科学院化学研究所高技术材料实验室Tel,01062564819E,mail,先进电子封装用聚合物材料研究进展,2010全国半导体器件技术研讨会,杭州,2010,07,16,遁粥兹猜坯呆裙侄凤接侵都兔哉责竣脸即翟萨枚脚肘颈。

10、硅基发光材料研究进展摘要,硅基发光材料是实现光电子集成的关键材料,本文分析了传统工艺制作的硅基发光材料存在发光效率低,发光性能不稳定等缺点,在此基础上,总结目前量子理论,超晶格理论和纳米技术在硅基发光材料研究进展以及多孔硅的实践应用,并对硅。

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12、无机材料物理与化学,在半导体能带结构中,把价带顶取作能量零点,能量零点以下称为价带,能量零点以上称为导带,在导带底和价带顶之间的间隙则称为禁带,其宽度称为禁带宽度,用Eg表示,E,K能带结构中波矢K是一个矢量,构成一个复杂的三维空间,在画能。

13、化学与分子科学学院无机化学研究所彭天右2009，10,氢能材料及光催化制氢研究进展,一目前的能源结构与现状,世界能源主要依赖不可再生的化石资源；我国能源结构面临经济发展和环境保护的双层压力；氢能作为理想的清洁的可再生的二次能源，其形成的关键。

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15、TiO2光催化材料在环境污染治理与新能源领域中的应用,长沙理工大学化学与生物工程学院夏畅斌2015.03.20,一目前的能源和环境问题,二光催化的主要理论,三光催化材料研究进展,四光催化降解的优点和不足,五TiO2在光催化反应中的应用,一目。

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