半导体表面特性及MOS电容

1、第十六章结构基础,本章作业,第十六章结构基础本章作业,补充基本概念,真空能级,电子完全脱离材料本身的束缚所需的最小能量功函数,从费米能级到真空能级的能量差电子亲和势,从半导体表面的导带到真空能级的能量差金属,对某一金属是一定的,对不同金属是。

2、第五章半导体的表面,界面及接触现象,半导体表面与MIS结构1,表面电场效应2,理想与非理想MIS结构的C,V特性半导体半导体接触金属半导体接触1,阻挡层与反阻挡层的形成2,欧姆接触的特性,一,理想表面和实际表面理想表面,表面处的原子和电子状。

3、半导体器件,第四章,场效应晶体管,场效应晶体管,栅极采用,结结构,栅极采用,结构,结型场效应晶体管,绝缘栅型场效应晶体管,绝缘栅型场效应晶体管,理想,结构,金属,氧化物,半导体结构,构成,管,结构是绝缘栅型场效应晶体,管开关控制的核心部分。

4、第六章金属,氧化物,半导体场效应晶体管,电容,电容电压特性,基本工作原理,频率限制特性,技术,概念扩展,电容,能带图,耗尽层厚度,功函数差,平带电压,阈值电压,电荷分布,电容电容结构,氧化层厚度,氧化层介电常数,或高掺杂的多晶,型或型,实际。

5、0,高等半导体物理与器件第十章 金属氧化物半导体场效应晶体管基础,第十章 金属氧化物半导体场效应晶体管基础,1,主要内容,双端MOS结构电容电压特性MOSFET基本工作原理频率限制特性小结,第十章 金属氧化物半导体场效应晶体管基础,2,10。

6、物理效应第一章载流子的行为,形成电流的必要条件是要具备载流子,金属导电的载流子是自由电子,半导体导电的载流子是电子与空穴,电解质溶液的载流子是正,负离子,本章将介绍不同物质接触时,载流子的动向,载流子如何越过能垒,掉入陷阱,电子空穴如何相互。

7、第7章,半导体表面特性及MOS电容,7,1半导体表面和界面结构7,2表面势7,3MOS结构的电容电压特性7,4MOS结构的阈值电压,第7章半导体表面特性及MOS电容7,1半导体表面,硅,二氧化硅界面中存在的不利因素和消除措施MOS结构中C。

8、半导体表面绪论,吴振宇西安电子科技大学微电子学院,半导体表面的定义,什么是表面密切接触的两相之间的过渡区约几个分子的厚度称为界面，如果其中一相为气体，这种界面通常称为表面。从结晶学和固体物理学考虑，表面是指晶体三维周期结构同真空之间的过渡区。

9、0,高等半导体物理与器件第十章 金属氧化物半导体场效应晶体管基础,第十章 金属氧化物半导体场效应晶体管基础,1,主要内容,双端MOS结构电容电压特性MOSFET基本工作原理频率限制特性小结,第十章 金属氧化物半导体场效应晶体管基础,2,10。

10、微电子学概论,第二章半导体物理与器件,半导体物理学刘恩科等著国防工业出版社半导体物理学叶良修高等教育出版社半导体物理与器件,第版,美,著,赵毅强等译半导体器件物理与工艺,美,施敏,著,王阳元等译,导论半导体及其基本特性半导体中的载流子半导体。

11、第八章半导体表面与MIS结构,重点,表面空间电荷层的性质,表面电场效应,MIS结构的C,V特性,理想和非理性MOS电容,多子堆积状态平带状态多子耗尽状态少子反型状态硅二氧化硅系统的性质平带电压,MIS结构的等效电路,MIS结构示意图,半导体。

12、第六章 金属氧化物半导体场 效应晶体管Lienfeld和Heil于30年代初就提出了表面场效应晶体管原理。40年代末Shockley和Pearson进行了深入研究。1960年Kahng和Alalla应用热氧化硅结构制造出第一只MOSFET.。

13、第八章半导体表面与MIS结构,重点,表面空间电荷层的性质,表面电场效应,MIS结构的C,V特性,理想和非理性MOS电容,多子堆积状态平带状态多子耗尽状态少子反型状态硅二氧化硅系统的性质平带电压,MIS结构的等效电路,MIS结构示意图,半导体。

14、0,高等半导体物理与器件第十章 金属氧化物半导体场效应晶体管基础,第十章 金属氧化物半导体场效应晶体管基础,1,主要内容,双端MOS结构电容电压特性MOSFET基本工作原理频率限制特性小结,第十章 金属氧化物半导体场效应晶体管基础,2,10。

15、第7章,半导体表面特性及MOS电容,7,1半导体表面和界面结构7,2表面势7,3MOS结构的电容电压特性7,4MOS结构的阈值电压,硅,二氧化硅界面中存在的不利因素和消除措施MOS结构中C,V曲线揭示了氧化层等器件质量性能阈值电压表征半导体。

16、第六章半导体界面问题概要,1金属,半导体接触和肖特基势垒2半导体表面电场效应3MOS结构的C,V特性,1金属,半导体接触和肖特基势垒,1,金属和半导体的功函数,2,金属,半导体接触电势差,3,表面态对接触势垒的影响,4,I,V特性的定性图象。

17、第七章半导体表面与结构,结构的电容电压特性,表面电场效应,系统的性质,表面电导及迁移率,理解并掌握热平衡下理想结构中半导体的表面电场效应,包括表面势,表面空间电荷区的电场,电势和电容,理解并掌握理想的结构的电容和电压特性,并了解金属和半导体。

18、第六章金属氧化物半导体场效应晶体管,6,1理想MOS结构的表面空间电荷区,6,1理想MOS结构的表面空间电荷区,教学要求1,了解理想MOS结构基本假设及其意义,2,根据电磁场边界条件导出空间电荷与电场的关系3,掌握载流子积累,耗尽和反型和强。

19、第11章MOS场效应管基础,MOS电容MOS二极管在半导体器件中占有重要地位,是研究半导体表面特性最有用的器件之一,是现代IC中最重要器件,MOSFET的核心,实际应用中,MOS二极管可作为储存电容器,是电荷耦合器件,CCD,的基本组成部分。

20、第8章 半导体表面和MIS结构,本章主要内容：MIS结构中的表面电场效应MIS结构电容电压特性硅二氧化硅系统性质表面电场对pn结特性的影响,8.1表面电场效应8.1.1空间电荷层及表面势,我们通过一个MIS结构来讨论在外加电场作用下半导体表。