半导体表面

1、半导体表面绪论,吴振宇西安电子科技大学微电子学院,半导体表面的定义,什么是表面密切接触的两相之间的过渡区约几个分子的厚度称为界面，如果其中一相为气体，这种界面通常称为表面。从结晶学和固体物理学考虑，表面是指晶体三维周期结构同真空之间的过渡区。

2、第七章,金属和半导体的接触,金属,半导体接触及其能带图,一,概述,在微电子和光电子器件中,半导体材料和金属,半导体以及绝缘体的各种接触是普遍存在的,如器件,肖特基二极管,气体传感器等,薄膜技术及纳米技术的发展,使得界面接触显得更加重要,二。

3、第二章半导体表面与表面态,固体的表面半导体表面半导体表面态金属,半导体接触半导体,半导体接触半导体表面态研究方法,固体的表面,固体的表面和体相是不同的,固体的表界面是指固体材料与另外一种不同物理性质的介质的交界面,是晶体三维周期结构和真空之。

4、1,第八章半导体表面与金属,绝缘体,半导体,MIS结构,P型硅衬底,MOS结构表面本征时,表面处费米能级等于禁带中央,表面处电子浓度等于空穴浓度,金属层,P半导体,d,绝缘层,d,Q,Q,表面层电子浓度服从波尔兹曼分布,单位面积表面电荷,所。

5、第五章半导体的表面,界面及接触现象,半导体表面与MIS结构1,表面电场效应2,理想与非理想MIS结构的C,V特性半导体半导体接触金属半导体接触1,阻挡层与反阻挡层的形成2,欧姆接触的特性,一,理想表面和实际表面理想表面,表面处的原子和电子状。

6、第二章半导体表面与表面态,固体的表面半导体表面半导体表面态金属,半导体接触半导体,半导体接触半导体表面态研究方法,固体的表面,固体的表面和体相是不同的,固体的表界面是指固体材料与另外一种不同物理性质的介质的交界面,是晶体三维周期结构和真空之。

7、第7章,半导体表面特性及MOS电容,7,1半导体表面和界面结构7,2表面势7,3MOS结构的电容电压特性7,4MOS结构的阈值电压,第7章半导体表面特性及MOS电容7,1半导体表面,硅,二氧化硅界面中存在的不利因素和消除措施MOS结构中C。

8、第六章半导体界面问题概要,1金属,半导体接触和肖特基势垒2半导体表面电场效应3MOS结构的C,V特性,1金属,半导体接触和肖特基势垒,1,金属和半导体的功函数,2,金属,半导体接触电势差,3,表面态对接触势垒的影响,4,I,V特性的定性图象。

9、2013年春甄,第3章 导电物理,3.5 能带理论的应用,2013年春,3.5 能带理论的应用,1半导体的表面能级,2半导体与半导体的接触,3半导体与金属的接触,2013年春,1 半导体的表面能级,能带结构是在无限扩展的3维晶体产生的周期场。

10、第八章金属和半导体的接触,1金属半导体接触及能级图,1,金属和半导体的功函数,金属功函数,真空中静止电子的能量,真空能级,E0与金属的EF能量之差,即,Wm表示一个能量等于费米能级的电子,由金属内部逸出到真空中所需要的能量最小值,Wm越大。

11、第八章半导体表面与结构,清洁表面的获得,在,的超高真空状况下机械解理获得,表面态,实际表面,表面能级,表面态,表面态密度,表面能级,达姆能级,表面态,聚集电子特性,表面态密度,悬挂键密度,施主表面态,受主表面态表面态,表面引起的附加电子状态。

12、理想MOS结构的表面空间电荷区,1.结构与工作原理2.半导体表面空间电荷区3.载流子的积累耗尽和反型4.反型和强反型的条件,前言：,半导体器件的特性与半导体表面特征性质有特别重要的联系。在超特大集成电路迅速发展的今天，半导体器件的制造相当多。

13、非平衡载流子注入探针注入小注入,大注入非平衡载流子浓度非平衡载流子寿命,少子寿命,寿命,准费米能级,电子准费米能级,空穴准费米能级,直接复合间接复合表面复合俄歇复合最有效复合中心陷阱效应载流子扩散连续性方程,一概念,第五章非平衡载流子,非平。

14、第8章 半导体表面和MIS结构,本章主要内容：MIS结构中的表面电场效应MIS结构电容电压特性硅二氧化硅系统性质表面电场对pn结特性的影响,8.1表面电场效应8.1.1空间电荷层及表面势,我们通过一个MIS结构来讨论在外加电场作用下半导体表。

15、半导体器件,第四章,场效应晶体管,场效应晶体管,栅极采用,结结构,栅极采用,结构,结型场效应晶体管,绝缘栅型场效应晶体管,绝缘栅型场效应晶体管,理想,结构,金属,氧化物,半导体结构,构成,管,结构是绝缘栅型场效应晶体,管开关控制的核心部分。

16、第七章半导体表面与结构,结构的电容电压特性,表面电场效应,系统的性质,表面电导及迁移率,理解并掌握热平衡下理想结构中半导体的表面电场效应,包括表面势,表面空间电荷区的电场,电势和电容,理解并掌握理想的结构的电容和电压特性,并了解金属和半导体。

17、第八章半导体表面与MIS结构,重点,表面空间电荷层的性质,表面电场效应,MIS结构的C,V特性,理想和非理性MOS电容,多子堆积状态平带状态多子耗尽状态少子反型状态硅二氧化硅系统的性质平带电压,MIS结构的等效电路,MIS结构示意图,半导体。

18、第7章,半导体表面特性及MOS电容,7,1半导体表面和界面结构7,2表面势7,3MOS结构的电容电压特性7,4MOS结构的阈值电压,硅,二氧化硅界面中存在的不利因素和消除措施MOS结构中C,V曲线揭示了氧化层等器件质量性能阈值电压表征半导体。

19、半导体光电子器件物理基础；半导体光电探测器；半导体光电池；半导体电荷耦合器件CCD；半导体激光器LD；半导体发光二极管LED。,半导体光电子学,半导体光电子器件物理基础,Ch3 半导体光电子器件物理基础,31 pn结32 异质结与超晶格33。

20、第八章半导体表面与MIS结构,重点,表面空间电荷层的性质,表面电场效应,MIS结构的C,V特性,理想和非理性MOS电容,多子堆积状态平带状态多子耗尽状态少子反型状态硅二氧化硅系统的性质平带电压,MIS结构的等效电路,MIS结构示意图,半导体。