6第七章金属半导体接触和mis结构

1、PN结的形成及特性,姓名：XXX 导师：XXX,1,2,3,目 录,PN结电学性能,PN结的形成,金属半导体接触,1.1PN结的形成,Ptype,Ntype,Si晶体,1.1PN结的形成,1.1PN结的形成,1.1PN结的形成,达到热平衡状。

2、2013年春甄,第3章 导电物理,3.5 能带理论的应用,2013年春,3.5 能带理论的应用,1半导体的表面能级,2半导体与半导体的接触,3半导体与金属的接触,2013年春,1 半导体的表面能级,能带结构是在无限扩展的3维晶体产生的周期场。

3、第七章金属和半导体的接触,林硕,7,1金属半导体接触及其能带图,本章内容提要,金半接触及其能级图整流特性少子注入和欧姆接触,金属半导体接触,整流接触,微波技术和高速集成电路,欧姆接触,电极制作,成为界面物理重要内容,半导体器件重要部分,能级。

4、第七章金属和半导体的接触,本章内容,金属和半导体接触,4学时,金属半导体接触及其能级图,少数载流子的注入和欧姆接触,重点,金属和半导体之间接触的能带图,少数载流子的注入过程和形成欧姆接触的必要条件,7,1金属半导体接触及其能级图,金属功函数。

5、第四章,单极型器件,金属半导体接触,肖特基势垒二极管,欧姆接触,结型场效应晶体管,肖特基栅场效应晶体管,异质结,简介,单极型器件是指基本上只有一种类型的载流子参与导电过程的半导体器件,主要讨论以下五种类型的单极型器件,金属半导体接触,结型场。

6、任何机器运转时,相互接触的零件之间都将因相对运动而产生摩擦,而磨损正是由于摩擦产生的结果,由于磨损,将造成表层材料的损耗,零件尺寸发生变化,直接影响了零件的使用寿命,因机件间摩擦磨损要多消耗总能源的13,12,并引起不少机件失效,磨损每年给。

7、金属半导体接触及其能级图,金属半导体接触及其能级图金属和半导体的功函数,金属半导体接触及其能级图接触电势差,金属半导体接触及其能级图接触电势差,金属半导体接触及其能级图接触电势差,金属半导体接触及其能级图接触电势差,金属半导体接触及其能级图。

8、第七章金属和半导体的接触,7,1金属半导体接触的接触势垒,7,2金属半导体接触的整流效应,7,3欧姆接触,当金属与半导体接触时,有二种物理接触效果,整流接触在半导体表面形成了一个接触势垒,阻挡层,和PN结类似,有整流作用,肖特基接触,势垒。

9、第四章半导体器件原理,4,1pn结特性概述,4,1,1平衡pn结,pn结,由单晶半导体上相邻两个区,p型区和n型区,的交界面附近的过渡区构成n区掺施主杂质,浓度ND,提供导带电子p区掺受主杂质,浓度NA,提供价带空穴空穴从p区向n区扩散电子。

10、第七章,金属和半导体的接触,金属,半导体接触及其能带图,一,概述,在微电子和光电子器件中,半导体材料和金属,半导体以及绝缘体的各种接触是普遍存在的,如器件,肖特基二极管,气体传感器等,薄膜技术及纳米技术的发展,使得界面接触显得更加重要,二。

11、第六章半导体界面问题概要,1金属,半导体接触和肖特基势垒2半导体表面电场效应3MOS结构的C,V特性,1金属,半导体接触和肖特基势垒,1,金属和半导体的功函数,2,金属,半导体接触电势差,3,表面态对接触势垒的影响,4,I,V特性的定性图象。

12、半导体表面绪论,吴振宇西安电子科技大学微电子学院,半导体表面的定义,什么是表面密切接触的两相之间的过渡区约几个分子的厚度称为界面，如果其中一相为气体，这种界面通常称为表面。从结晶学和固体物理学考虑，表面是指晶体三维周期结构同真空之间的过渡区。

13、第五章半导体的表面,界面及接触现象,半导体表面与MIS结构1,表面电场效应2,理想与非理想MIS结构的C,V特性半导体半导体接触金属半导体接触1,阻挡层与反阻挡层的形成2,欧姆接触的特性,一,理想表面和实际表面理想表面,表面处的原子和电子状。

14、物理效应第一章载流子的行为,形成电流的必要条件是要具备载流子,金属导电的载流子是自由电子,半导体导电的载流子是电子与空穴,电解质溶液的载流子是正,负离子,本章将介绍不同物质接触时,载流子的动向,载流子如何越过能垒,掉入陷阱,电子空穴如何相互。

15、第七章金属,半导体接触和MIS结构,微电子学院,7,1金属,半导体接触金属,半导体接触,指的是有金属和半导体相互接触而形成的结构,现代半导体工艺中,金属,半导体接触是通过在半导体表面真空蒸发一金属表面形成,常用的金属有铝和金,金属,半导体接。

16、第七章 金属和半导体的接触MetalSemiconductor Contact,7.1 金属半导体接触和能带图7.2 金半接触整流理论7.3 少数载流子的注入和欧姆接触,1金属与半导体形成的肖持基接触和欧姆接触，阻挡层与反阻挡层的形成；2肖。

17、金,半非整流接触,欧姆接触,及二极管的特点和应用,1,金属,半导体接触,在制造半导体器件的过程中,除了有PN结之外,还会遇到金属和半导体相接触的情况,这种接触,指其间距离只有几个埃,有时会在半导体表面形成载流子的积累层,从而表现出低阻特性。

18、第八章金属和半导体的接触,1金属半导体接触及能级图,1,金属和半导体的功函数,金属中的电子绝大多数所处的能级都低于体外能级,金属功函数的定义,真空中静止电子的能量E0与金属的EF能量之差,即,上式表示一个起始能量等于费米能级的电子,由金属内。

19、第八章金属和半导体的接触,1金属半导体接触及能级图,1,金属和半导体的功函数,金属功函数,真空中静止电子的能量,真空能级,E0与金属的EF能量之差,即,Wm表示一个能量等于费米能级的电子,由金属内部逸出到真空中所需要的能量最小值,Wm越大。