600360华微电子半报

1、第四章集成电路制造工艺,CMOS集成电路制造工艺,形成N阱初始氧化淀积氮化硅层光刻1版,定义出N阱反应离子刻蚀氮化硅层N阱离子注入,注磷,形成P阱在N阱区生长厚氧化层,其它区域被氮化硅层保护而不会被氧化去掉光刻胶及氮化硅层P阱离子注入,注硼。

2、浙大微电子,基准源,噪声,开关电容及仿真,浙江大学微电子与光电子研究所年月日,浙大微电子,大纲,电压基准源设计集成电路噪声分析及仿真开关电容电路理论,设计举例及仿真仿真,浙大微电子,电压基准源设计,浙大微电子,常见电压基准源,带隙基准源特点。

3、浙大微电子,140,第七讲ASIC的可编程器件实现方法,浙大微电子韩雁2013,4,浙大微电子,240,电路实现形式与成本的考量,对于数量较大的专用集成电路采用版图设计的方法进行批量生产较为合理全定制与标准单元法均属于版图设计的方法但当数量。

4、西电微电子学院董刚模拟集成电路设计,模拟集成电路原理第5章无源与有源电流镜,董刚微电子学院,西电微电子学院董刚模拟集成电路设计,本讲电流镜,基本电流镜共源共栅电流镜有源电流镜电流镜做负载的差分放大器大信号特性小信号特性共模特性,西电微电子学。

5、第章基本单元电路,第章基本单元电路,静态逻辑电路,传输门逻辑电路,动态逻辑电路,锁存器和触发器,逻辑电路的功耗,北京大学微电子学系贾嵩,静态逻辑电路,以输出端为分界点,将多个和连接成具有一定串,并联关系的逻辑块和逻辑块,逻辑块的作用是把输出。

6、芯片设计工具及应用,韩雁2013年9月,课程介绍,3学分,每周二上午三节课,分3个模块,13次课堂教学,每堂布置1道作业,分3次验收,模块1,3次课堂教学,3次作业,1次现场验收,模块2,5次课堂教学,5次作业,1次现场验收,模块3,4次课。

7、第6章 器件仿真工具DESSIS的模型分析,器件仿真主要是通过解一系列的数学物理偏微分方程，以得到相应器件的电热特性。描述半导体器件中电荷传输的主要方程有：泊松方程电子连续性方程空穴连续性方程，分别如下式所示： 6.1 6.2 6.3,23。

8、西电微电子,模拟集成电路设计,第九章,运算放大器,董刚,年月,西电微电子,模拟集成电路设计,西电微电子,模拟集成电路设计,回顾,反馈系统中负载的影响,二端口网络模型,电压,电压反馈中的负载电流,电压反馈中的负载电压,电流反馈中的负载电流,电。

9、微电子学概论,32学时概论,对微电子学概括介绍对象,工科非微电子专业本科生目的,提供对于微电子学的全面了解,在某些兴趣点上有所深入,帮助学生建立起将来从事微电子或与微电子有关的事业的基础基础课程,大学物理,普通物理学,基础电工,电路类课程授。

10、计算数学与微电子,西安电子科技大学张玉明2008,4,什么是计算微电子学,把微电子学与计算数学联系起来,使微电子学中原来难于解析求解的问题成为可解,成为微电子学和计算数学之间的桥梁,对所研究的对象,器件或电路,选用合适的物理模型,并抽象得到。

11、2007,9,北京大学软件与微电子学院,嵌入式微处理器系统,第一章概论,2008,10,北京大学软件与微电子学院,概论,主要参考书,微处理器,CPU,的结构与性能易建勋,清华大学出版社,2003嵌入式系统开发圣经,第二版,探硅工作室,中国铁。

12、2007华润微电子,控股,有限公司,结构化思维,形象化表达用图表说话,做一流PPT培训,韩东辉信息中心,2007华润微电子,控股,有限公司,培训目标,如何使PPT更有条理,如何把PPT做好,如何快速做PPT,有效利用相关素材,使得PPT的条。

13、新现代主义的设计思想,1,纵观人类文明发展史,各种艺术风格,设计风格层出不穷,其中令人惊奇的发现不少,成双成对出现的概念,古典主义,新古典主义,希腊式,新希腊式,印象派,新印象派,历史洪流如潮汐,涨了又退,来了又去,2,新现代主义,Neo。

14、第四章集成电路制造工艺,CMOS集成电路制造工艺,形成N阱初始氧化淀积氮化硅层光刻1版,定义出N阱反应离子刻蚀氮化硅层N阱离子注入,注磷,形成P阱在N阱区生长厚氧化层,其它区域被氮化硅层保护而不会被氧化去掉光刻胶及氮化硅层P阱离子注入,注硼。

15、半导体器件可靠性与失效分析2011,2012,1,教材,付桂翠,陈颖等,北京航空航天大学出版社,2010年7月第一版,普通高校,十一五,规划教材,参考书,孔学东,恩云飞,国防工业出版社,2006年9月第一版,王蕴辉,于宗光等,科学出版社,孙。

16、第二章半导体物理及器件物理基础,本节内容,半导体材料,基本晶体结构与共价键能级与能带本征载流子浓度施主和受主,导电性,固态材料可分为三类,即绝缘体,半导体及导体,绝缘体,电导率很低,约介于10,18Scm10,8Scm,如熔融石英及玻璃,导。

17、吉林华微电子股份有限公司,600360,2011年半年度报告,吉林华微电子股份有限公司2011年半年度报告,目录,一,重要提示,2二,公司基本情况,2三,股本变动及股东情况,4四,董事,监事和高级管理人员情况,7五,董事会报告,8六,重要事。

18、微电子器件与设计,第章,主要内容结构与特性结构与特性工作原理,特性交流特性,引言,引言,特点单极器件,多子器件电压控制器件噪声低制作工序少,隔离容易,结构及其特性,假设,金属和半导体的功函数差为零氧化层里面没有电荷而且氧化层完全不导电氧化层。

19、北京大学软件与微电子学院2009度课程,1,第七章互联网应用技术概述,2010年11月,北京大学软件与微电子学院2009度课程,2,自我介绍,主讲老师,王斌,中科院计算所博士毕业,副研究员,博士生导师,现为中科院计算所前瞻研究实验室信息检索。

20、微电子器件,电子科技大学微电子与固体电子学院张庆中,总学时,学时其中课堂讲授,学时,实验,学时成绩构成,期末考试,分,平时,分,实验,分,电子器件发展简史,年,真空二极管年,真空三极管,电子管,美国贝尔实验室发明的世界上第一支锗点接触双极晶。