第5章-Wet工艺.docx
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1、第五章WET工序5.1WET工序的构成TFT-1.CD在Array段的制程通常会分为镀膜洋光和蚀刻:道大的工序.Norma1.1.jr,ArrayprocessofTFT-1.CDmanufacturingiscategorizedintothreemajorsubprocesses,sputtering,photoandetching.而蚀刻工序根据工名和设备的不同又可以分为干蚀刻和湿蚀刻,即Dry工序和WEr工序.Andetchingprocesscou1.dbecategorizedintoDryEtching(DE)andWetEtching(WET)onthebasisoftechn
2、icsandequipments.作为蚀刻工序的一种实现方式,WET工序详细来讲可以包括清洗,湿蚀刻和脱膜,soneofetchingso1.ution,WetEtchinginc1.udeswashing,wetetchingandstripping.1 .清洗:包括初清洗和成腹前清洗,Washing:inc1.udingpreutashingandpredepositionuashing.初清洗即玻璃翦板从PPbOX中拆包之后,进行的第一道清洗,它的主要目的是为了去除玻璃战板外表本身携带的油污以及微尘颗粒.Pre-washingisthefirstc1.eaningprocessafter
3、packageofg1.asssubstratebeingtakenapartandthemainpurposeofpre-washingistogetridofdirtandpartic1.esong1.asssubstrate.成腴前清洗即在每一道成媵之前进行的消洗.目的坦然也是为了去除油污以及颗粒,但是这段杂质更多是由于外界污染造成,而去除这些杂质是为了成联的顺利进行,提高成膜的M版.Initia1.-washing,c1.eaningprocessbeforesputteringforeachg1.asssubstrate,aimstowipeoffdirtandpartic1.es1
4、.ikethepurposeofpre-washing,howevermostofthisimpuritiesaccumu1.atedong1.asssubstrateisduetoexterna1.ambientContanunation;towipeofftheimpuritiescou1.dwe1.1.assistsputteringandimprovethequa1.ityofsputteringprocess.2 .湿蚀刻:对于金属层和ITO好电层使用海蚀刻进行蚀刻。湿饨刻是使用相应的金礴蚀刻液和ITO蚀刻液对原层进行腐蚀,可以去除掉不被光阳保护的局部,从而形成我们需要的线路结构.W
5、ctEtching:Usewetetchingformeta1.1.ayerandITOconductive1.ayer.WctEtchingistouseCorrespondingmeta1.etchingso1.utionorITOetchingso1.utiontoerodemeta1.orITO1.ayer,whichcanwipeoffunwantedpartswithoutphotoresistprotectionandremainwantedpartsthatcomposewantedcircuits.3 .脱膜:无论干蚀刻还是湿蚀刻结束之后,都必须招所成线路上覆盅的光阻去除.相
6、应的会使用脱膜液格光阻别离出来弁去除,保证下一道成膜顺利进行.Stripping:thephotoresistwi1.1.beremovedafterbothdryetchingorwetetching.Andcorrespondingreso1.utionwi1.1.beapp1.iedtowipeoffthephotoresists,whichistoensurenextprocessgoeswe1.1.5.2WET工序(清洗.脱膜,蚀(渔|刻)的工艺原理Techniquephi1.osophyofWetEtchingprocess清洗的工艺原理ProcessPhi1.osophyofWa
7、shing在T11-1.CD的制程当中,清洗起到至关重要的作用。OftheTFT-1.CDmanufacturing,washingissignificant.清洗的主要目的就是去除玻璃基板外表的杂质和油污,使玻璃基板保持清洁,确保下一道制程的顺利和有效地进行。Themainpurposeofwashingistowipeoffthedirtandpartic1.esofffromg1.asssubstrateandkeepsubstratec1.eanandmakesuresequentia1.processsmoothandeffective.在Array段,清洗可以分为初清洗(Initi
8、a1.C1.ean)和成膜前清洗(PrC-depositionC1.ean)相应的设备也分为初清洗机(InitiaICICanCr)和成膜前清洗机(Pre-depositionC1.eaner)WithinregardtoArrayprocess,washingcanbecategorizedintoInitia1.C1.eanandPredepositionC1.ean.CorrespondingequipmentsforeachofthemareInitia1.C1.eanerandPredepositionC1.eaner.Initia1.C1.ean:在将玻璃基板从PPBOK拆包装之后
9、(通常是由UnPaCk设备来完成)的第一道清洗。Initia1.C1.ean可以有效地去除玻璃基板拆包以后残留在外表的油污和细小的Partic1.e0 Initia1.C1.ean:thefirstc1.eaningafterg1.asssubstrateistakenoutfromPPBox.Initia1.C1.eancaneffective1.ywipeoffdirtandsma1.1.partic1.esremainedong1.asssubstratewhi1.ethepackageisbeingdismant1.ed.Pre-depositionC1.ean:在每一次成膜之前进行的
10、清洗。所以又可以细分为Pre-PVDC1.ean和Pre-CVDC1.ean.Pre-depositionC1.ean可以去除玻璃基板在搬运过程当中环境造成的油污或者细小Partic1.e,保证玻璃基板在每一次成膜之前是清洁的。 Pre-depositionC1.ean:iscarriedoutbeforedepositionprocess.AndPre-depositionC1.eancanbecategorizedintoPrePVDC1.eanandPreCVDC1.ean.Predepositioncanremoveoffthedirtandsma1.1.erpartic1.estha
11、taccumu1.atedduringconveyingfromg1.asssubstrateandensureeachpieceofg1.asssubstrateisc1.eanenoughandreadyforsequentia1.depositionprocess.根据去除油污和颗粒的原理不同,可以分为以卜几种清洗方法:C1.eaningmethodscanbec1.assifiedintosevera1.kindsonthebasisofdifferentc1.eaningphi1.osophytowardc1.eaningdirtandpanic1.es.1.利用紫外线照射,去除玻璃
12、基板外表的油污。紫外线的发光源通常有IV灯和E1.V灯等。根本原理都是通过原子激发,放射出定波长的量外线,照射到玻璃基板外表,破坏油污分子结构.同时将周围环境中的氧气转化为游离的辄离子或者见氧分子,游离的氧离子和臭氧分子都具有很强的氧化性,也可以与油污等有机物杂质反响,从而去除油污。i. Uti1.izeu1.tra-vio1.ettowipeoffSmearyfromg1.asssubstrate.ThesourcesofUItra-VioIetarecommon1.yUV(U1.tra-vio1.et)1.ampandEU,(ExtremeU1.tra-vio1.et)1.amp.Thro
13、ughexcitatedingatomandemittingcertainwave1.engthu1.tra-vio1.etandshootingthesurfaceofg1.asssubstrate,thisistobreakthemo1.ecu1.estructureofsmeary.Simu1.taneous1.y,theu1.tra-vrio1.ctemittingcana1.sotransformtheambientOXygCnintodissociatedionorozonemo1.ecu1.e:duetodissociatedOXygenionandozonemo1.ecu1.e
14、arehig1.iyoxidative,Smearyandorganicimpuritiescanbeoxidizedandcou1.dbeeasi1.yremoved.2.利用毛刷的洗刷去除大颗粒的Partic1.e,在工作过程中,毛刷会保持一定的压入量,即玻璃基扳会压入刷毛内一定量,随着刷毛的高速旋转,再伴随着清洗剂的清洗,可以很好的去除大颗粒的PartiC1.eOii. Uti1.izethero1.1.erbrushtowipeoffthebiggerpartic1.es.Ro1.1.erbrushwi1.1.keepcertainpressureupong1.asssubstrate
15、,whichistopushtheg1.asssubstrateintobrushforcertaindistance,withro1.1.erbrushrotatingrapid1.yp1.usdetergent,biggerpartic1.escanbeeasi1.yremoved.3.水洗.水洗是清洗过程必不可少的局部.水洗所使用的是去离子水DIH,拉至是超纯水UPWo根据清洗原理的不同,水洗又可以细分。一种是利用二潦体清洗,利用高压招通入了CDA的D1.W或UPW喷出,这样会在水中形成大量的微小气泡,这种水气混合的形式称为二流体。微小气泡接触玻璃基板迅速破裂,会在玻璃基板外表形成冲击力
16、,从而将外表较顽固的颗粒打掉,随着高压流体冲洗掉。另外一种是利用超声波振动源带动D1.W或UPW振动,在玻璃基板外表形成水的空化气泡,就像眼镜店清洗眼镜的设备一样,随者嬴频振动的空化气泡不断冲刷,可以去除外表的顽固Partic1.e.iii. Waterwashing.Waterwashingisanecessaryprocessforc1.eaningprocess.Waterwashingisapp1.iedwithdeionizedwaterorCVCnu1.trapurifiedwater(UPW).Basedonthec1.eaningphi1.osophy,waterwashing
17、canbespecifiedinto;1.8t,touti1.izecombinationofgasand1.iquidtoc1.eanbyimputingcompressedairanddeionizedwateroru1.trapurifiedwater.Massivesma1.1.bubb1.eswi1.1.beformedwiththecombinationofwaterandgas.T1.iosesma1.1.bubb1.eswi1.1.beburstassoonasthosebubb1.escontactg1.asssubstratetheburstinggeneratesimpa
18、ctandshootoffthoseobstinatepartic1.esremainedong1.asssubstrate.2nd,touti1.izeu1.tra-sonicasvibrationsourcetodriveDIWorUPWvibratingsothatmassivebubb1.escanbegeneratedonthesurfaceofg1.asssubstrate,just1.ikec1.eaningequipmentforc1.eaningg1.assesing1.assesdepartment,airbubb1.eswi1.1.constant1.yimpactg1.
19、asssubstratewithhighfrrquencj,andthoseobstinatepartic1.eswi1.1.beeasi1.yremoved.各种去除玻璃基板外表的油污和颗粒的方法见下面的5.3节的详细表达。虽然清洗环节相对简单,但是对丁产品的品质,以及对后续制程都是非常关犍的。Forvariousmethodsforc1.eaningsmearyandpartic1.esonthesurfaceofg1.asssubstrate,p1.easerefertodetai1.descriptioninsection5.3.A1.though,c1.eaningisare1.at
20、ivesimp1.eprocessinTFT-1.CDmanufacturing,itissignificanttothequa1.ityofproductsandtothesequentia1.processes.脱事的工艺原理TechniquePhi1.osophyforStripping图5T如图1所示,脱膜的主婴作用就是在光刻完成后,将薄膜上面的光阻通过化学试剂去处。脱膜的工艺过程就是:Asaboei1.1.ustration,strippingmain1.yfunctionsafterphotoprocess,remotephotoresistoffwithchemica1.reso
21、1.ution.Thef1.owofstrippingisasbe1.ov;预泡处理(图5-2)-渗透(图5-3)一膨胀(图5-4)分解(图5-5)图5-2预海处理(EMangIePoIyBer)图5-3渗透(Stripperpenetrateintofreevo1.umeofo1.ycr)图5-4膨胀(Swe1.1.ingofPhotoresist)图5-5分解(Disso1.ution)图5-6惊(Sb剖)的工艺原理TechniquePhi1.osophyforWetEtching主要是通过将化学药液(酸)通过SPray,D1.P等方式,处理已经显影坚膜的后有PR图案的Mray基板,让化学
22、药液与没有被光阳覆盖的金属膜接触并腐蚀掉这局部金属膜,保存下被PR覆蛊的同部CWetetchingismain1.yre1.iedonchemica1.so1.ution(Acid)todisposeofg1.asssubstratecoatedwithphotoresist(PR)graphicswithSprayingandDIP,whichtheg1.asssubstratehasa1.readypassedphotodeve1.opingbakingprocesssothatchemica1.so1.utioncou1.dcontactandover1.aythemeta1.1.aye
23、rwithoutphotoresist(PR)anderodethismeta1.partsandmaintainthemeta1.whichisprotectedbyphotoresist.对于饨刻反响育阳的成分EffectiveIngredientsforWetEtching游离硝酸DissociatedNitricAcid游离除酸DissociatedAcetum游离磷酸DissociatedPhos-AcidA1.刻蚀的反响A1.uminumEtchingReaction第-晰段(牛:成游禹毓原子)1.s,step(generatedissociatedoxvgenatom)硝酸浓度偏
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