《光伏制造行业规范条件(2024年本)》(征求意见稿).docx
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1、附件1光伏制造行业规范条件(2024年本)(征求意见稿)为加强光伏行业管理,引导产业加快转型升级和结构调整,推动我国光伏产业高质量发展,根据国家有关法律法规及国务院关于促进光伏产业健康发展的若干意见等政策,按照优化布局、调整结构、控制总量、鼓励创新、支持应用的原则,制定本规范条件本规范条件是鼓励和引导行也技术进步和规范发展的引导性文件,不具有行政审批的前置性和强制性。一、生产布局与项目设立(一)光伏制造企业及项目应符合国家资源开发利用、环境保护、节能管理等法律法规要求,符合国家产业政策和相关产业规划及布局要求,符合当地国土空间规划、社会经济发展规划和环境保护规划等要求。(二)在国家法律法规、规
2、章及规划确定或省级以上人民政府批准的自然保护区、饮用水水源保护区等生态功能重要区域,已划定的永久基本农田及生态保护红线,以及法律、法规规定禁止建设工业企业的区域不得建设光伏制造项目。上述区域内的现有企业应按照法律法规要求拆除关闭,或严格控制规模、逐步迁出。生态保护红线内零星分布的已有光伏设施严禁扩大现有规模与范围,项目到期后由建设单位负贵做好生态修复。(三)引导光伏企业减少单纯扩大产能的光伏制造项目,加强技术创新、提高产品质量、降低生产成本。新建和改扩建光伏制造项目,最低资本金比例为30%。二、工艺技术()光伏制造企业应采用工艺先进、安全可靠、节能环保、产品质量好、生产成本低的生产技术和设备,
3、并实现高品质产品的批量化生产。(二)光伏制造企业应具备以卜.条件:在中华人民共和国境内依法注册成立,具有独立法人资格:具有太阳能光伏产品独立生产、供应和售后服务能力;具有应用于主营业务并实现产业化的核心专利,研发生产的产品应符合知识产权保护方面的法律规定,旦近三年未出现侵权行为;每年用于研发及工艺改进的费用不低于总销售额的3%且不少于100O万元人民币,鼓励企业取得省级以上独立研发机构、技术中心或高新技术企业资质;申报符合规范名单时上年实际产量不低于上一年实际产能的50%。(三)现有光伏制造企业及项目产品应满足以下要求:1 .多晶硅满足太阳能级多晶硅(GB/T25074)或流化床法颗粒硅(GB
4、/T35307)特级品的要求。2 .多晶硅片(含准单晶硅片)少子寿命不低于2s,碳、氧含量分别小于IoPPma和12PPrna;P型单晶硅片少子寿命不低于80s,N型单晶硅片少子寿命不低于800s,碳、氧含量分别小于IPPma和12PPma,其中异质结电池用N型单晶硅片少子寿命不低于500s,碳、氧含量分别小于IpPn1.a和14PPmao3 .多晶硅电池、P型单晶硅电池和N型单晶硅电池(双面电池按正面效率计算:)的平均光电转换效率分别不低于21.4%、23.2%和25%。4 .多晶硅组件、P型单晶硅组件和N型单晶硅组件(双面组件按正面效率计算)的平均光电转换效率分别不低于19.4%、21.2
5、%和22.3%。5 .硅基、铜钢铁硒(C1.GS)、硅化镉(CdTe)及其他薄膜组件的平均光电转换效率分别不低于12%、15%、15%、14%。6 .含变压器型的光伏逆变器中国加权效率不得低于96.5%,不含变压器型的光伏逆变器中国加权效率不得低了98%(单相二级拓扑结构的光伏逆变器相关指标分别不低于94.5%和97.3%),微型逆变器相关指标分别不低于95%和95.5%。(四)新建和改扩建企业及项目产品应满足以下要求:1.多晶硅满足电子级多晶硅(GB/T12963)3级品以上要求或流化床法颗粒硅(GB/T35307)特级品的要求。2 .多晶硅片(含准单晶硅片)少子寿命不低于2.5s,碳、氧含
6、量分别小于6ppma和8ppma;P型单晶硅片少子寿命不低于90s,N型单品硅片少子寿命不低于100Os,碳、氧含量分别小于1PPma和12ppma,其中异质结电池用N型单晶硅片少子寿命不低于700s,碳、氟含量分别小于IPPma和14PPmao3 .多晶硅电池、P型单晶硅电池和N型单晶硅电池(双面电池按正面效率计算:)的平均光电转换效率分别不低于21.7%、23.7%和26%。4 .多晶硅组件、P型单晶硅组件和N型单晶硅组件(双面组件按正面效率计算)的平均光电转换效率分别不低于19.7%、21.8%和23.1%。5 .C1GS、CdTe及其他薄膜组件的平均光电转换效率分别不低于16%、16.
7、5%15%o(五)P型晶硅组件衰减率首年不高于2%,后续每年不高于0.55%,25年内不高于15%,N型晶硅组件衰减率首年不高于1%,后续每年不高于0.4%,25年内不高于11%;薄膜组件衰减率首年不高于4%,后续每年不高于0.4%,25年内不高于14%。(六)光伏组件非金属材料的燃烧性能不低于国家标准建筑材料及制品燃烧性能分级(GB8624)规定的BI级。(七)鼓励晶硅组件外形尺寸满足相关标准要求。三、资源综合利用及能耗(一)光伏制造企业和项目用地应符合国家已出台的土地使用标准,严格保护耕地,节约集约用地。(二)光伏制造项目电耗应满足以下要求:1 .现有多晶硅项目还原电耗小于46千瓦时/千克
8、,综合电耗小于60千瓦时/千克;新建和改扩建项目还原电耗小于44千瓦时/千克,综合电耗小于57千瓦时/千克。2 .现有硅锭项目平均综合电耗小于7.5千瓦时/千克,新建和改扩建项目小于6.5千瓦时/千克;如采用多晶铸锭炉生产准单晶或高效多品产品,项目平均综合电耗的增加幅度不得超过05千瓦时/千克。3 .现有硅棒项目平均综合电耗小于26千瓦时/千克,新建和改扩建项目小于23千瓦时/千克。4 .现有多晶硅片项目平均综合电耗小于25万千瓦时/百万片,新建和改扩建项目小于20万千瓦时/百万片;现有单晶硅片项目平均综合电耗小于10万千瓦时/百万片,新建和改扩建项目小于8万千瓦时/百万片。5 .P型晶硅电池
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