成理工核辐射测量方法讲义06 X射线荧光测量方法.docx
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1、第6章X射线荧光测量方法6.1X射线荧光的产生及其特性6.1.1X射线荧光的产生X射线的本质和光一样,都是电磁辐射,其波长介于紫外线和Y射线之间。同一切电磁辐射和微观粒子一样,X射线也具有波动和微粒的双重性。X射线的这种波-粒两重性,可随不同的实验条件而表现出来。显示X射线的微粒性有:光电吸收,非相干散射,气体电离和产生闪光等现象,以一定的能量和动量为特征;显示X射线的波动性有:光速,反射,折射,偏振和相干散射等,以一定的波长和频率为特征。因此,X射线是不连续的微粒性和连续的波动性的矛盾统一体。X射线荧光是高能量子与原子发生相互作用的产物,其产生过程可以分两步来讨论:第一步如图6.1所示,高能
2、量子如X射线、电子或质子与原子发生碰撞,从中逐出一个内层电图6.1X射线荧光产生原理图(6.1)子,此时原子处于受激状态。随后(IOJ210-14S)就是第二步,原子内层电子重新配位,即原子中的内层电子空位由较外层电子补充,同时放出X射线(光子)。第一步是利用入射量子的能量;第二步是以特征X射线(荧光)的形式放出。入射量子的能量必须略高于内层电子的结合能,其多余的能量便成为该电子的动能。一个较外层电子在补充内层电子空位时放出的能量与两个能量之间的差值准确相当,因此释放出来的光量子,即特征X射线(荧光)的能量等于两个能级间的能量差,由下式确定:Ex=Rhc(Z-an)2(-)式中,耳为特征X射线
3、的能量;川、2分别为壳层电子跃迁前后所处壳层的主量子数;R为里德伯常数,109677611;分为普朗克常数,6.626XKrxJs;C为真空中光速度,3.0ltfms,;为正数,与内壳层的电子数目有关;Z原子序数。对于K系,上式中,=l,n=l,n2=2t对于1.系,an=3.5,=2,n2=3上式表明,特征X射线能量与Z2成正比,或者说每个谱系的特征X射线能量的平方根和原子序数(Z)成线性关系。上述规律称为莫塞莱定律。图6.2称为莫塞莱图,该图表示从硼到铀诸元素常用的K、1.、M系谱线能量(E)与原子序数(Z)的对数关系。当低能级的电子被激发形成空位时,高能级的电子可能跃迁到低能级,以补充空
4、位,并释放一定的能量。但是,并不是所有高能级的电子都有相同的几率来补充这一空位。几率较大的跃迁产生较强的X射线,几率较小的产生较弱的X射线。根据原子结构的量子理论,轨道之间产生跃迁遵循一定的法则,称为量子力学选择定则。这个选择定则是:1 .O,主量子数n之差不能等于零,即属于同一层的电子不能跃迁。2 .1,角量子数/之差等于1,即角量子数/相同或相差大于1的能级之间不能跃迁。3 .Ao或1,即内量子数/之差等于0或土1,可以图6.2莫塞莱图跃迁。根据该选择定则,主要的K系和1.系谱线如图6.3。由图可见,一个K(IS)电子被驱逐出原子后,必为其中的1.或M壳层中的P电子补充。当K(IS)电子空
5、位时,由1.M=2,/=1)壳层中的4个2p电子可以跃入K层IS能级。因为,母=1,便发射出Kal特征X射线;若由1.=2,/=1)层的2个2p电子跃入K层IS能级,因/=1,便发射出K2特征X射线;其中1.i(=2,/=0)层中的2s电子不能跃迁到K层的IS能级(=1,/=0),因为/=(),不符合选择定则。若由MH(=3,/=1)和MIl=3,/=1)层3层的一个电子补充,便发射出Kr和Ka特征X射线;由NM=4,/=1)和N川5=4,/=1)层的一个电子补充时,便发射出降特征X射线。由于3p或4与IS能级间的能量差大于2p与IS间的能量差,所以K辐射的光子能量大于Ka辐射的光子能量。如果
6、原子的电子空位出现在1.层,由M层或N层等外层电子补充,则发射出1.系特征X射线。同样,还有M系特征X射线。原子发射的K、1.、M等各条特征谱线的照射量率,决定于原子各壳层电子被逐出的相对几率。如果X射线或带电粒子的能量足够大(大于K层吸收限能量KnZ,),它将激发原子而逐出所有该原子K、1.、M等壳层的电子,但是几率最大的是发出最内层的K层电子,其次是1.层,M层电子。所以特征X射线照射量率最大的是K系谱线,其次是1.系谱线,再次是M系谱线。各谱线之间的照射量率比相对近似地为:K:1.:M=100:10:1(6.2)1.系布线1.mtt图6.3原子能级图和主要K系和1.系特征X射线6.1.2
7、俄歇效应与荧光产额在上述X射线荧光产生过程中,若产生特征X射线的能量大于原子某外层电子的结合能时,则有可能能将能量传递给原子本身的外层电子,使之成为自由电子,而不再发射特征X射线。这一物理过程称为俄歇效应,相应的电子称为俄歇电子,俄歇电子的动能为特征X射线的能量与该外层电子结合能之差。因此,当高能量子与原子发生碰撞并使其内层电子轨道上形成空位时,在较外层电子的跃迁过程中,可以是辐射跃迁,即发射特征X射线;也可以是非辐射跃迁,即发射俄歇电子。并且各具一定的几率。发射特征X射线的几率称为荧光产额,用3表示。荧光产额可分为K层,1.层,M层,等不同的荧光产额。K层荧光产额(3Q定义为单位时间内K层特
8、征X射线发射光子,除以K层在同一时间形成的电子空位数或打出的电子数:式中,M:为K层单位时间内形成的电子空位数;(),:为单位时间内i射线谱发射的光子数。同理,1.层,M层的荧光产额31和(jl)m的确定方法也类似。荧光产额的计算比较复杂,这里介绍一个半经验公式:-1.,/4=A+BZ+(6.4)式中,Z:为原子序数;A、3、C:为系数。K层荧光产额(C),1.层荧光产额(31,)和M层荧光产额(0)具有相同形式的半经验公式,但其系数不同。表6.1列出了不同壳层的系数值,其计算结果如图6.4o表6.1不同壳层系数值常数3fi叫3mA-0.03795-0.11107-0.00036B0.0342
9、60.013680.00386C-0.1163IO5-0.2177XIO50.20101IO5图6.4表明,低原子序数元素的荧光产额低。随着原子序数的增加,荧光产额也增大,特别是K层的荧光产额增长很快。大约是Z大于60号以上的重元素,K层荧光产额的增长才缓缓慢下来。荧光产额的高低直接影响到原位X辐射取样的灵敏度,所以低原子序数元素的原位X辐射取样的灵敏度较低。图6.4还表明,K层荧光产额大于1.层荧光产额,更大于M层荧光产额。因此,单纯从荧光产额这一参量来看,在原位X辐射取样时总希望激发K层。但对重元素的X荧光分析,例如铅元素,由于激发K层需较大射线能量的激发源,一般用较低能量子的激发源激发1
10、.层,也能获得较高的分析灵敏度。图6.4K、1.、M层荧光产额与原子序数的关系6. 1.3X射线的吸收特性当一束X射线穿过一定厚度的物质时,在沿入射方向上相同能量X射线的照射量率减小,这一过程称为物质对X射线的吸收,或者说X射线在物质中的衰减。造成X射线被吸收的物理实质,一方面是X光子与原子发生光电效应使光子消失;另一方面是X光子与原子发生散射作用,使光子损失大部分能量,或者偏离原来的入射方向。下面我们讨论X射线通过物质的吸收情况。一、X射线的吸收设有一束准直的单能X射线,沿水平方向垂直通过吸收物质,如图6.13所示。吸收物质单位体积中的原子数为N,密度为p,在X=O41处,X射线照射量率为/
11、。在物质中X处的XT-射线照射量率为4,通过公薄层后,其照射量X率变化为d/。按照截面的定义,应有下弄关系式:-dl=OJNdx(6.5)图6.5X射线穿过物质时的吸收示意图式中,负号表示X射线照射量率是沿X方向减少的,-d/就是受到原子的作用而离开原来入射X射线束的光子数,x是光电效应和散射作用(包括相干散射和非相干散射)的截面之和,即:r+=rcr(66)Xaaaa.caJn6. 5MnK.O.255-20(13)17234058135160dE27.40TeK.30.99TeK35.41.41O.0725(26)304874-9257Co270dE6. 4FeK.7. IFeKV14.4
12、Y121.9136.30.48O.08O.85O.11252024(55)6792153Gd242dE41.30EuK.47.03EuKP69.797.4103.21.1O.0260.30.21-5(31)4058(50)64-872IOPb22a10.80Bi1.-13.01Bi1.P15.24Bi1.46.5O.24O.041020(22)24-31(50)5579170Tm127dE,B52.1YbK”59.3YbKfi84.3YO.0450.03350-500(40)50-80204Tl4.Ia8,E70.82HgKs68.89HgK。?80.26IigKHO.01559Ni810aE
13、6.93CoKa7.65CoK.O.99(17)2025(41)51624ICa810,aE3.31KK.3.59KKI)O.129101749V330dE4.51TiK“4.93TiK0.2122144Ti48aE4.09ScK。4.46SCKP67.878.40.17412-20注:在蜕变类型栏中,E:电子俘获衰变;a:为a衰变;3:为B衰变6.1.5X射线荧光定量分析方程由以上讨论可知,X射线荧光的产生是X(Y)射线与物质相互作用的产物,也正是X射线与物质的相互作用的复杂性,使得待测物质中目标元素特征X射线照射量率与其含量之间的关系复杂化,尤其对化学成份复杂的岩(矿)石、土壤样品而言,更
14、是如此。然而,在一定的简化的假设条件下推导目标元素特征X射线照射量率与其含量之间关系的理论公式,将能建立各个有关量之间的大致关系,为后面讨论“基体效应”、“不平度效应”和“不均匀效应”等节提供必要的基础知识。首先,我们较详细推导平行射线束照射下无限大光滑平面的均匀样品中目标元素特征X射线照射量率与其含量之间的关系,即一般方程。然后,再介绍几种有用的基本方程。如I,点状源X辐射取样方程,凹凸面X辐射取样方程,以及X荧光测井基本方程。为了本书以后讨论方便,在给出上述各方程的同时,给出源初级射线在样品上产生散射射线照射量率的表达式。一、一般方程假设样品为无限大的光滑平面,密度为P,厚度为X,目标元素
15、分布均匀且含量为C。激发源为单一能量的光子源,能量为耳,初级射线和特征X射线均为平行射线束,与样品表面的夹角分别为a和激发源、样品和探测器之间的几何位置如图6.5O若样品表面上初级射线的照射量率为10,则初级射线束在深度为X处的照射量率给为:图6.6激发源、样品和探测器之间的几何位置图J=0esincr式中,。为初级射线在样品中的线衰减系数,xsin为初级射线在样品中所经过的路程,因而初级射线束在通过薄层公层时减少的照射量率端为:就=TOenadxSina因为/就是初级射线以Q角入射到样品表面为lsinCT的单位截面积(ICm2)上的能量,所以入射到单位面积、厚为公薄层上初级射线能量的变化为若
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