至芯半导体(杭州)有限公司深紫外UVC芯片项目环评报告.docx
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1、建设项目环境影响报告表项目名称:深紫外UVC芯片项目建设单位:至芯半导体(杭州)有限公司二。二。年十一月目录一、建设项目基本情况表1二、建设项目所在地自然环境及相关规划情况14三、环境质状况26四、评价适用标准37五、建设项目工程分析44六、项目主要污染物产生及预计排放情况78七、环境影响分析80八、建设项目拟采取的防治措施及预期治理效果108九、相关原则符合性分析108十、结论与建议122一、建设项目基本情况表项目名称深紫外UVC芯片项目建设单位至芯半导体(杭州)有限公司法人代表联系人通讯地址浙江省杭州市钱塘新区智造谷联系电话传真/邮编311200建设地点浙江省杭州市钱塘新区智造谷立项部门钱
2、塘新区行政审批局项目代码2020-330155-39-03-152731建设性质新建。改扩建口迁建Zl嚼鬻其他电子元件制造(C3989)总建筑面积(平方米)13513.91/总投资(万元)11000其中环保投资(万220元)环保投资占总投资比例2%评价经费(万元)/预期投产日期2020年12月1.1 工程内容及规模:1.1.1 项目由来至芯半导体(杭州)有限公司注册成立于2020年6月,经营范围包括一般项目:电子元器件制造(除依法须经批准的项目外,凭营业执照依法自主开展经营活动)。公司拟投资IlOOo万元,在杭州市钱塘新区智造谷租用厂房作为生产场所,购置金属有机化合物化学气相沉淀系统(MOCV
3、D)、清洗槽、光刻机系统、干法刻蚀系统(ICP)、电子枪蒸镀系统、等离子气相沉积系统(PECVD)和测试仪器等生产设备通过酸洗、真空镀膜、光刻、刻蚀、去胶、切割、研磨、测试等工艺,进行UVC芯片约3亿颗生产能力的生产。项目达产后年产值约3亿元,年纳税约3000万元人民币。公司于2020年7月31日取得钱塘新区行政审批局对项目的备案(项目代码:2020-330155-39-03-152731)0根据中华人民共和国环境保护法、环境影响评价法及国务院第682号令建设项目环境保护条例,新建、迁建和技改等建设项目必须进行环境影响评价,以便从环保角度论证项目的可行性。根据建设项目环境影响评价分类管理名录(
4、原环境保护部令第44号及生态环境部令第1号),项目属于“二十八、计算机、通信和其他电子设备制造业”中“83、电子元件及电子专用材料制造”,属于该小类中“印刷电路板;电子专用材料;有分割、焊接、酸洗或有机溶剂清洗工艺的“,应编制环境影响报告表,故该项目编制环境影响报告表。至芯半导体(杭州)有限公司委托浙江省环境科技有限公司承担深紫外UVC芯片项目的环境影响评价工作。接受委托后,我单位通过资料收集、现场踏勘后对项目建成后可能产生的环境问题进行了全面分析和预测,并提出了具有针对性和可操作性的污染防治对策和建议,在此基础上,编制了本项目环境影响报告表。1.1.2编制依据1、国家法律、法规(1)中华人民
5、共和国环境保护法(中华人民共和国主席令2014年第9号,2015年1月1日起施行);(2)中华人民共和国环境影响评价法(第十三届全国人民代表大会常务委员会第七次会议第二次修正,2018年12月29日起施行);(3)中华人民共和国水污染防治法(第十二届全国人民代表大会常务委员会第二十八次会议第二次修正,2018年1月1日起施行);(4)中华人民共和国大气污染防治法(第十三届全国人民代表大会常务委员会第六次会议第二次修正,2018年10月2日6日起施行);(5)中华人民共和国环境噪声污染防治法(第十三届全国人民代表大会常务委员会第七次会议修正,2018年12月29起施行);(6)中华人民共和国土壤
6、污染防治法(2018年8月31日第十三届全国人民代表大会常务委员会第五次会议通过,2019年1月1日起施行)(7)中华人民共和国固体废物污染环境防治法(中华人民共和国主席令第四十三号,2020年9月1日起施行);(8)中华人民共和国清洁生产促进法(第九届全国人民代表大会常务委员会第二十五次会议修正,2012年2月29日)(2018年4月28日生态环境部令第1号修改并实施);(9)建设项目环境保护管理条例(中华人民共和国国务院令第682号,2017年10月1日起施行);(10)建设项目环境影响评价分类管理名录(环境保护部令第44号,2018.4.28起施行)及关于修改建设项目环境影响评价分类管理
7、名录部分内容的决定(生态环境部令第1号,2018年4月28日起施行);(三)产业结构调整指导目录(2019年本)(中华人民共和国国家发展和改革委员会令第29号,2020年1月1日起施行);(12)国务院关于印发水污染防治行动计划的通知(国发201517号,2015年4月2日起施行);(13)国务院关于印发土壤污染防治行动计划的通知(国发201631号,2016年5月28日起施行);(14)国家危险废物名录(环保部令39号,2016年8月1起施行);(15)关于印发重点行业挥发性有机物综合治理方案的通知(环大气201953号,2019年6月26日起施行);(16)关于印发“十三五”挥发性有机物污
8、染防治工作方案的通知(环大气2017号,2017年9月14日起施行);(17)国务院关于印发打赢蓝天保卫战三年行动计划的通知(国发201822号,2018年6月27日起施行);(18)关于印发2020年挥发性有机物治理攻坚方案的通知(环大气202033号,2020年6月23日起施行)。2、相关地方法律法规及有关文件(1)浙江省建设项目环境保护管理办法(浙江省人民政府令第364号令);(2)浙江省水功能区、水环境功能区划分方案,浙江省人民政府(2015年);(3)浙江省人大常委会浙江省固体废物污染环境防治条例(2017年第二次修正);(4)浙江省人大常委会浙江省水污染防治条例(2017年修正本)
9、;(5)浙江省环境空气质量功能区划分,浙江省人民政府(1998年10月);(6)关于做好挥发性有机物总量控制工作的通知(浙环发201729号);(7)省发展改革委、省环保厅关于印发浙江省大气污染防治“十三五”规划的通知(浙发改规划(2017)250号);(8)关于印发浙江省建设项目主要污染物总量准入审核办法(试行)的通知(浙环发201210号);(9)浙江省生态环境厅关于进一步加强工业固体废物环境管理的通知(浙环发20192号);(10)关于印发浙江省2020年细颗粒和臭氧“双控双减”实施方案的函,浙大气办20202号,2020年4月23B;(三)关于印发浙江省挥发性有机物深化治理与减排工作方
10、案(2017-2020年)的通知(浙环发201741号);(12)浙江省人民政府关于印发浙江省打赢蓝天保卫战三年行动计划的通知(浙政发201835号);(13)杭州市人民政府关于印发杭州市打赢蓝天保卫战行动计划的通知(杭政函(2018)103号)(14)浙江省生态环境厅关于印发浙江省“三线一单”生态环境分区管控方案的通知,浙环发20207号,2020年5月23日;(15)杭州市生态环境局关于印发杭州市“三线一单”生态环境分区管控方案的通知,杭环发202056号,2020年8月18日。3、相关产业政策(1)产业结构调整指导目录(2019年本)(中华人民共和国国家发展和改革委员会令第29号);(2
11、)杭州市产业发展导向目录与空间布局指引(2019),杭州市发改委。4、技术规范(1)建设项目环境影响评价技术导则一总纲(HJ2.1-2016);(2)环境影响评价技术导则一大气环境(HJ2.2-2018);(3)环境影响评价技术导则一地表水环境(HJ2.3-2018);(4)环境影响评价技术导则一声环境(HJ2.4-2009);(5)建设项目环境风险评价技术导则(HJl69-2018);(6)环境影响评价技术导则一生态影响(HJl9-2011);(7)环境影响评价技术导则一地下水环境(HJ6102016);(8)环境影响评价技术导则一土壤环境(试行)(HJ964-2018);(9)浙江省建设项
12、目环境影响评价技术要点(2005.4修订版);(IO)大气污染治理工程技术导则(HJ2000-2010);(Il)声环境功能区划分技术规范(GB/T15190-2014);(12)建设项目危险废物环境影响评价指南(环境保护部公告2017年第43号);(13)排污单位自行监测技术指南总则(HJ819-2017)。1.1.3建设内容(I)项目名称:深紫外UVe芯片项目(2)建设单位:至芯半导体(杭州)有限公司(3)建设地点:浙江省杭州市钱塘新区智造谷(4)建设性质:新建(5)建设规模及内容至芯半导体(杭州)有限公司注册成立于2020年6月,经营范围包括一般项目:电子元器件制造(除依法须经批准的项目
13、外,凭营业执照依法自主开展经营活动)。公司拟投资UOoO万元,在杭州市钱塘新区智造谷租用厂房作为生产场所,购置金属有机化合物化学气相沉淀系统(MOCVD)、清洗槽、光刻机系统、干法刻蚀系统(ICP)、电子枪蒸镀系统、等离子气相沉积系统(PECVD)和测试仪器等生产设备通过酸洗、真空镀膜、光刻、刻蚀、去胶、切割、研磨、测试等工艺,进行UVC芯片约3亿颗生产能力的生产。项目达产后年产值约3亿元,年纳税约3000万元人民币。公司于2020年7月31日取得钱塘新区行政审批局对项目的备案(项目代码:2020-330155-39-03-152731)。本项目实施后企业产品方案详见表Mo表Ll项目生产规模一
14、览表序号产品名称设计生产能力1深紫外UVC芯片3亿颗(5)总平面布置情况项目位于浙江省杭州市钱塘新区智造谷,利用租用的厂房进行生产,具体地理位置见附图一。本项目租用园区的4#厂房的1、2层作为生产厂房,其中外延车间、芯片车间(含芯片清洗间、光刻间、镀膜、沉积间、研磨间、切割间)位于4#厂房的1层;成品测试间和封装车间位于4#厂房的2层。氮气站和污水处理站位于4#厂房的东侧;危险化学品仓库位于园区西南角。具体园区总平面图和车间平面布置图见附图三。I楼N楼*IttwS了楼Met图1-1项目厂区厂房布置简图表12项目厂房功能布局及可能产生的环境问题一览表序号类别主要功能可能产生的环境问题1生产车间外
15、延车间、芯片车间(含芯片清洗间、光刻间、镀膜、沉积间、研磨间、切割间)位于4#厂房的1层,主要包括酸洗、镀膜、光刻、刻蚀、清洗、去胶、退火、研磨和切割等工序;成品测试间和封装车间位于4#厂房的2层,主要包括测试、分选和包装工序。酸性废气、碱性废气、有机废气、生产废水、一般固废、危险固废2仓库氮气(外购)站和污水处理站位于园区的东南侧;危险化学品仓库位于园区西南角,面积约105m2,固体废物3公用供水采用市政供水,项目总用水量约为34370m3a/工程纯水制备系统采用活性炭过滤+二级反渗透+紫外线杀菌装置制备纯水,设计处理能力为IOm3/h。排水采用雨、污分流系统,生活污水经厂区化粪池处理后、生
16、产废水经厂区污水处理站处理后排入市政污水管网,送临江污水处理厂统一处理。/常温冷却水系统冷却用水循环使用,定期补充,定期外排,排放量约为8mVdo/工艺设备冷却水系统冷却用水循环使用,不外排,定期补充。/供电由市政电网提供/4环保工程废气治理酸性废气:共设置一套处理设备,干法刻蚀废气经湿法尾气处理器处理后和其他酸性废气一起经酸碱废气处理系统处理后由35m高排气筒(1#)排放;工艺尾气:其中外延和沉积废气共设置一套处理设备,废气收集后经燃烧系统+酸碱废气处理系统处理后由35m高排气筒(1#)排放;有机废气:共设置一套处理设备,废气收集后经碱性废气处理系统+碳纤维净化系统处理后由35m高排气筒(2
17、#)排放。/废水处理生产废水经自建污水处理站(含氟废水处理系统/有机废水处理系统一酸碱废水处理系统)处理后,纳管排放;污水处理站位于园区南侧;生活污水经化粪池预处理后,纳管排放。/固废设置危险废物暂存间1间,位于园区西南角危险化学品仓库内。/1.1.4主要设备及原辅材料消耗项目实施后主要设备清单见表l-30表13项目实施后生产设备清单车间车间分区设备名称数量备注外延车间外延生产间MOCVD12外延测试室X-射线衍射仪1/PL测试仪1/金相显微镜21台含微分干涉,一台不含EL测试仪1ZN2柜12/技术夹道N2纯化器2/NH3纯化器2/H2纯化器2/露点仪4/手持H2探测器1/尾气处理器4/气柜6
18、用于Si114,HCl,Forming焙烤间Bake炉2/吹扫台2/紧急冲淋洗眼器1/外延清洗间储物柜4/外延烤箱2/清洗通风柜1/化学槽(酸)2设备外形尺寸:2500W1500D2000H化学槽(有机)1设备外形尺寸:2500W1500D2000H芯片清洗间化学槽(去光阻)1设备外形尺寸:2500W1500D2000H金相显微镜1/甩干机2/光刻胶去灰机(Asher)1/化学槽(显影)1设备外形尺寸:2500W1500D2000H自动匀胶机2/去胶机2光刻间甩干机2/光刻机系统2/Stepper1/芯片车间200度烤箱1/金相显微镜1/热板2/电子枪蒸镀系统3/磁控溅射镀膜设备sputter
19、金锡合金溅射1/高温退火炉2/泵5/干法刻蚀系统(ICP)2/镀膜、沉积Chiller4/间等离子气相沉积系统(PECVD)2/合金炉1/气瓶柜4/薄膜测试仪(F20)1/ITO光谱仪1/ITO表面电阻测试仪1/洁净度,温湿度测试仪1/台阶仪1/研磨间化学槽(去蜡)1设备外形尺寸:2000W15(X)D20(X)H外延片上蜡机2/外延片研磨机2/外延片抛光机2/精抛机1/卸片加热台(含热板)1/切割间激光划片机6/裂片机6/膜扩张机1/倒膜机1/贴片机1/成品测试间芯片点测台18/芯片分类机20/厚片抽测机2/贴膜机2/ESD测试机2放在点测台里芯片计数器1/目检显微镜10/自动目检仪1/封装
20、车间封装车间全自动银浆固晶机1/打胶机1/显微镜1/可编程LED测试电源(ProgrammablETEST)1/积分球2/点焊机用旋片真空泵1/WY精密数显直流稳压电源(DlGlTALCC&CVDCPOWERSUPPLY)1/电热恒温鼓风干燥箱1/全自动紫外分光分色机3/全自动紫外编带机2/大功率LED加速老化试验仪I(LEDAGINGTESTER)1/大功率LED加速老化试验仪2(LED1/AGINGTESTER)高精度快速光谱辐射计1/202无泡搅拌机1/真空脱泡机1/氮气干燥柜1/LED加速老化试验仪1/照度计(IntenSityMeter)1/激光划片机1/回流焊1/燃烧系统1/环保设
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